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王少阶

作品数:140 被引量:113H指数:6
供职机构:武汉大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金湖北省自然科学基金湖北省科技攻关计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术化学工程电子电信更多>>

文献类型

  • 67篇会议论文
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领域

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主题

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  • 13篇复合材料
  • 13篇复合材
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作者

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传媒

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年份

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  • 2篇2001
  • 9篇2000
  • 9篇1999
  • 5篇1998
  • 4篇1997
  • 2篇1996
  • 2篇1995
  • 7篇1994
  • 3篇1993
140 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Y_1Ba_2(Cu_(1-x)Sn_x)_3O_y系超导体中Sn替代位置的正电子湮没研究
1992年
元素替代效应已成为研究高温超导陶瓷的重要方法之一,而元素替代的真实位置是讨论替代效应的基本点。正电子湮没技术高度敏感于材料中的电子结构与缺陷机构。自从Jean等人首次报道了在高温超导陶瓷中的正电子湮没谱后,许多工作表明正电子湮没技术也是研究该类材料的有力工具。特别是近来一系列的理论计算与实验研究。
陈昂智宇李标荣张绪礼李晓华王少阶
关键词:超导体正电子湮没高TC
一种基于Windows界面的正电子湮没谱分析软件包
2011年
在保留正电子寿命谱分析程序PATFIT和连续谱分析程序MELT主要优点的基础上研究开发了一个新的正电子湮没谱分析软件PASA。主要的改进包括:将PATFIT、MELT和多普勒展宽谱3种正电子湮没分析方法集成在Windows界面程序中,MELT程序脱离MATLAB环境独立运行;编写了完整的多普勒展宽谱分析程序,谱文件的读取、输入参数的调节和拟合结果的输出更加方便快捷,重点加强了正电子湮没实验谱和拟合结果的图形显示。介绍PASA软件的使用经验。
李辉周凯王柱陈志权王少阶
关键词:数据拟合
符合多普勒展宽谱的源修正研究
2005年
测量了Ti,Ni,Cu,Al以及Si的符合多普勒展宽谱。对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合得出其中的源强度。给出了源修正前后湮没量子在Si中的多普勒展宽谱,讨论了源成分的影响。用高斯-抛物线模型拟合多普勒展宽谱,将多普勒展宽谱中自由电子的湮没贡献和束缚电子的湮没贡献分开,进而探讨了只对束缚电子的湮没贡献做源修正的方法。
苏本法王柱黄长虹王少阶
关键词:正电子湮没最小二乘法
用正电子谱学研究高聚物材料的压力弛豫过程被引量:1
1997年
用正电子谱学研究了高分子材料聚苯乙烯和聚氯乙烯压力弛豫过程中微观结构的变化,测量了聚苯乙烯及聚氯乙烯在加压力后的样品中正电子寿命随弛豫时间的变化。并讨论了正电子辐射效应和实验方法对实验结果的影响。
张少平何春清王采林王少阶
关键词:高聚物自由体积
接枝率对MA-g-HDPE性能及微结构的影响
系统研究了接枝率对马来酸酐接枝高密度聚乙烯(MA-g-HDPE)的热学性能及微结构的影响。实验发现,随着接枝率的增大,样品熔融温度先降低后升高。利用正电子湮灭寿命谱研究了接枝率对样品内部的化学环境及自由体积的影响。结果证...
陈喆方鹏飞王少阶
关键词:微结构正电子自由体积
文献传递
正电子能量转换研究进展被引量:4
2004年
简要介绍了正电子能量转换的原理、优点、重要应用前景及主要研究领域.
王少阶
关键词:正电子能量转换
用正电子湮没谱研究聚酯型聚氨酯的微观结构和自由体积特性被引量:11
2001年
用正电子湮没谱研究了两类分别由聚己二酸丁二醇酯多元醇和聚ε 己内酯多元醇合成的线型聚酯型聚氨酯 (PBU和PCU)在 140~ 36 0K温度范围内的结构转变和自由体积特性 .研究结果表明 ,两类聚氨酯(PU)在 140~ 36 0K温度范围内 ,都存在三个转变点 ,其中较低温度的转变 (约 2 0 0K)对应于PU中软段的玻璃化转变温度 (Tg) ,2 75K处的转变可能与样品吸附少量水分有关 ,较高温度的转变 (约 310K) ,对于PBU而言对应于软段结晶的熔点 ,而对于PCU则与在无序的硬段中混入一定量的软段后形成的相容区的Tg 有关 .当温度低于PU软段的Tg 时 ,两类PU的自由体积尺寸和浓度都随温度升高而增大 .当温度高于软段的Tg 但低于2 75K时 ,自由体积尺寸较快地增加 ,而自由体积浓度保持不变 .温度高于 2 75K并低于软段的熔点或硬段 软段相容区的Tg 时 ,自由体积尺寸增加速度最快 ,自由体积浓度却保持同样的数值 .当温度进一步升高时 ,自由体积尺寸和浓度都随温度增大而增加 .最后研究了这两类PU的自由体积分布与温度的关系 .所有这些实验现象均与大分子链的运动有关 。
宁超峰何春清张明胡春圃王波王少阶
关键词:微观结构自由体积
高聚物PMMA自由体积及结构变化的研究
林东王少阶
关键词:高聚物聚甲基丙烯酸甲酯微观结构湮灭
重掺杂p-InP(Zn)中载流子补偿机制的正电子湮没研究
测量了不同掺Zn浓度的p型InP材料中正电子寿命随温度的变化。结果发现随着温度的上升,带负电荷的受主Zn<,In>会与带正电荷的P空位发生相互作用形成中性的缺陷复合体。同时还发现,缺陷复合体的形成与载流子浓度...
陈志权王柱王少阶
关键词:正电子湮没磷化铟
Y沸石中组装CdSe纳米团簇的实验研究被引量:2
2000年
采用离子交换方法 ,在 Y型沸石分子筛中首次组装了质量比分别为 5 %和 15 %的 Cd Se纳米团簇 ;样品漫反射光谱和透射电镜形貌相的实验结果证实 ,该制备过程是成功可行的 ,并得到了分布均匀、尺寸比较单一的团簇材料 .采用正电子湮没寿命谱对上述两种样品、Y型沸石原粉和纯的 Cd Se粉末样品进行测量 。
彭浩马莉林兆军刘舒曼王少阶
关键词:Y型沸石纳米团簇正电子湮没硒化镉
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