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王正荣

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：辽宁大学物理系更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇电流
  • 1篇电流-电压特...
  • 1篇电流电压
  • 1篇电压
  • 1篇电压特性
  • 1篇多孔硅
  • 1篇压力传感器
  • 1篇压阻
  • 1篇压阻式
  • 1篇压阻式压力传...
  • 1篇压阻效应
  • 1篇阳极
  • 1篇阳极氧化
  • 1篇应力
  • 1篇深能级
  • 1篇深能级瞬态谱
  • 1篇瞬态
  • 1篇特性分析
  • 1篇能级
  • 1篇力传感器

机构

  • 3篇辽宁大学

作者

  • 3篇沈桂芬
  • 3篇王正荣
  • 1篇黄和鸾
  • 1篇张九惠
  • 1篇刘岩
  • 1篇高博静
  • 1篇高嵩

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇传感技术学报
  • 1篇辽宁大学学报...

年份

  • 2篇1996
  • 1篇1993
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
多孔硅的形成与电流电压特性研究
1996年
本文在很宽的导电范围内采用阳极氧化方法形成多孔硅。用ＳＥＭ观测了多了孔硅形貌、性质与腐蚀时间的关系。研究了四种不同掺杂的Ｓｉ－ＨＦ系统的电流－电压特性。
沈桂芬黄和鸾王正荣高博静刘岩郭兴加
关键词：多孔硅阳极氧化量子限制效应电流-电压特性
压阻式压力传感器灵敏度特性分析
1996年
对圆形膜片、正方形膜片及矩形膜片压力传感器的灵敏度进行了详细剖析.计算并列出大量数据,指出影响压力传感器灵敏度的因素及提高器件灵敏度的有效途径,给出部分实验数据与理论分析符合较好.本分析对开发设计新型高灵敏度的压力传感器有一定指导意义.
沈桂芬王正荣
关键词：压阻效应灵敏度应力膜片压力传感器
用深能级瞬态谱技术研究MOS结构界面态的分布
1993年
本文简述了深能级瞬态谱技术测量界面态分布的基本原理。在大量实验基础上给出典型MOS结构界面态分布的测试曲线与数据,对实验结果进行了有价值的分析。
沈桂芬高嵩王正荣张九惠
关键词：深能级瞬态谱界面态MOS结构
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共1页<1>
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