王洪
- 作品数：10 被引量：40H指数：3
- 供职机构：汕头大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 射频辉光放电等离子体的电探针诊断被引量：24
- 1994年
- 本文简要叙述了探针诊断技术的作用，比较了单、双探针测量技术的异同，分析了当前所碰到的主要问题和各种可能的解决办法，着重报导了我们提出和制作的加热调谐单探针装置，不仅抑制了射频干扰，还克服了中毒效应对探针测量的影响。首次成功地测量了射频辉光放电硅烷等离子体的电子能量分布函数、电子平均能量和密度。并对测量结果进行了简要的分析。
- 林揆训余云鹏林璇英王洪
- 关键词：辉光放电探针诊断等离子体诊断
- 非晶硅液晶光阀
- 1994年
- 本文介绍反射式非晶硅液晶光阀的研制方法，并对其光电性能进行了研究，提出非晶硅液晶光阀的参数设计模型。
- 符史流林揆训林璇英王洪陈家宜余云鹏
- 关键词：非晶硅液晶光阀
- PCVD过程中的等离子体诊断
- 1997年
- 本文综述了ＰＣＶＤ过程中等离子体各种粒子和基团的诊断技术和方法。结合我们的研究工作，着重分析诊断技术在发展过程中所碰到的难题及其解决办法和仍待解决的问题。
- 林揆训石旺舟王洪林璇英姚若河余楚迎
- 关键词：等离子体诊断化学气相沉积PCVD
- 非单晶硅基薄膜光致发光特性的研究
- 1997年
- 非单晶硅氢基薄膜材料，经高温退火及高温氧化可制备纳米尺寸的晶粒，室温下发出可见光。发光强度强烈依赖于晶粒大小和结晶体在网络中的体积比。发光来源于量子尺寸效应和表面发光中心。
- 林璇英林揆训王洪石旺舟姚若河余楚迎
- 关键词：光致发光
- 纳米晶硅的光电特性
- 1997年
- 利用ＰＥＣＶＤ方法及后处理工艺制备了具有室温可见光区光致发光效应的纳米晶硅（ｎ－Ｓｉ／ＳｉＯ２）薄膜材料，对其光吸收，光能隙以及电导率等特性参数进行了测试研究。发现该薄膜的可见光区吸收比ＰＥＣＶＥ方法制备的微晶硅，非晶硅等薄膜的光吸收明显减弱，且光能隙增大。而电导率则大大提高，达到１０－１－１０－３ｃｍ－１Ω－１的量级。该材料光学性能的变化可用量子尺寸效应进行定性解释，但其电导率的大幅度增加还有待进一步的研究。
- 王洪林璇英林揆训
- 关键词：纳米硅光电特性硅半导体光致发光
- 高速沉积的α—Si:H薄膜光致变化的光电导研究
- 1993年
- 本文研究了高速生长的氢化非晶硅合金(a—Si:H)的光致亚稳变化,即 Stabler-Wrondki(S.W)效应.做了退火态(A 态)和长时间光照后的光浸态(B 态)的光电导温度曲线的测量,并利用一个较合理的缺陷态分布模型对其进行了模拟,从而发现长时间光照的主要结果是引起带隙中悬挂键的增加,带尾态的变化不明显,另外对光电导与光强的关系中的γ因子进行了计算和讨论.
- 林东晓梁少坚王洪林璇英
- 关键词：PCVD
- a-Si:H/a-SiN_x:H超晶格中空间电势分布和光电导的理论计算
- 1992年
- 本文从a-Si:H体材料的缺陷态模型出发,考虑在a-Si:H/a-SiN:H超晶格中由于空间电荷转移掺杂效应,以及界面不对称引起的a-Si:H阱层的能带下降和弯曲,严格求解空间电势分布和电荷分布,发现a-Si:H阱层中能带的下降值远大于由界面电荷不对称所引起的两端电势能差,且随转移到阱层中的电荷总量的变化非常敏感。空间电荷分布比较平缓,当不对称参数K=0.9时,空间电荷浓度的最大差值不到两倍。在此基础上,计算了超晶格中光电导的温度曲线,发现引起超晶格中暗电导和光电导相对于单层膜增大的主要原因是转移电荷量的多少,而界面电荷不对称的影响则小得多。计算中对带尾态采用Simmons-Taylor理论,考虑a-Si:H中悬挂键的相关性,并用巨正则分布讨论其在复合过程中的行为。
- 王洪朱美芳郑德娟
- 关键词：A-SI:H超晶格电势分布
- 高速沉积非晶硅氢合金薄膜的研究被引量：9
- 1992年
- 在一个等离子体化学气相沉积(PCVD)系统中,用射频辉光放电分解纯硅烷,通过控制和选择工艺条件,可以制备速率大于1.0nm/s,光敏性大于10~5的优质非晶硅氢合金薄膜。
- 林璇英林揆训余云鹏曾旭陈家宜王洪吴萍
- 关键词：沉积速率光敏性
- 纳米硅基薄膜光致发光机制的初步研究被引量：7
- 1998年
- 用等离子体化学气相沉积方法制备氢化非晶硅合金薄膜，经高温退火及高温氧化可制备纳米尺寸的晶粒，室温下能发出可见光。实验表明，高温氧化后的纳米颗粒被镶嵌在ＳｉＯ２的无序网络中，其晶粒尺寸减少，而发光强度增强，发光峰位置向短波方向移动。这些结果说明，发光来源于纳米晶粒的量子尺寸效应和覆盖晶粒表面的ＳｉＯ２层的发光中心。
- 林璇英姚若河余楚迎刘兴盛林揆训王洪石旺舟
- 关键词：纳米晶硅薄膜光致发光
- Langmuir探针的中毒效应及其抑制
- 1996年
- 射频辉光放电硅烷等离子体化学汽相沉积是制备氢化非晶硅薄膜的主要工艺技术。探测和控制等离子体参数是选取最佳工艺条件、制备优质薄膜的关键问题。Ｌａｎｇｍｕｉｒ探针是获得等离子体荷电参数的诊断技术。本文分析了探针诊断技术中的一大难题──中毒效应产生的原因，提出并验证了用加热探针抑制中毒效应的机理。理论分析和实验结果表明，探针被加热升温到２００℃时，其中毒效应完全得到了抑制。
- 林揆训林璇英余云鹏王洪胡盛明
- 关键词：射频辉光放电硅烷等离子体诊断
