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MgZnO半导体材料光致发光以及共振拉曼光谱研究: 2013年; 用分子束外延设备在c面蓝宝石衬底上生长得到高质量Mg x Zn1-x O薄膜。X射线衍射显示,当Mg摩尔分数在0~32.7%范围内时,薄膜保持六方结构,(002)衍射峰半高宽为0.08°~0.12°,薄膜结晶质量与现有报道的最高水平相当。随着薄膜中Mg含量的增加,紫外发光峰由378 nm蓝移至303 nm。对Mg0.108Zn0.892O薄膜变温光致发光光谱的研究发现,束缚激子发光随温度变化存在两个不同的猝灭过程。对不同Mg含量薄膜共振拉曼光谱的研究发现,A1(LO)声子模频移与Mg含量在一定范围内呈线性关系,这为确定Mg x Zn1-x O薄膜中的Mg含量提供了一种简单高效的方法。通过拉曼光谱与X射线衍射对比研究发现,拉曼光谱在确定MgZnO材料相变时具有更高的灵敏度。最后,研究了Mg0.057Zn0.943O薄膜的变温共振拉曼光谱,对A1(LO)和A1(2LO)声子模随温度而变化的现象给出了一定的理论解释。; 王玉超吴天准张权林陈明明苏龙兴汤子康; 关键词：MGXZN1-XO 分子束外延光致发光共振拉曼光谱

ZnO单晶和BeZnO合金的生长及其紫外探测器研究: 2015年; 用分子束外延(MBE)的方法在c面蓝宝石衬底上生长出了高质量的ZnO单晶薄膜和BexZn1-xO合金薄膜。X射线光电子能谱(XPS)测试结果表明,合金材料中Be元素的摩尔分数分别为1.8%、4.9%、8.0%和15.3%。在此基础上制备了ZnO基和BexZn1-xO基的金属-半导体-金属(MSM)结构紫外探测器。ZnO单晶探测器的响应波长为375nm,在1V电压下,350nm处的光响应度高达43A/W,光电流和暗电流之比达到105量级。在BexZn1-xO基紫外探测器中,其截止响应波长随着合金中Be含量的增加逐渐蓝移,其中Be0.153-Zn0.847O合金探测器的截止响应波长为366nm,紫外波段和可见波段的光电流之比达到2~3个数量级,具有良好的信噪比。此外,提出了氧气等离子体表面处理降低探测器暗电流的方法,并使ZnO单晶探测器的暗电流降低了4个数量级。; 王玉超张权林苏龙兴沈正川吴天准汤子康; 关键词：ZNO单晶紫外探测器表面处理分子束外延

在c-面蓝宝石上控制生长高质量的ZnO单晶薄膜: 2015年; 利用Mg O和低温Zn O的缓冲层技术,在c面蓝宝石衬底上用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)的方法生长了高质量的Zn O单晶薄膜。通过XRD测试,Zn O薄膜样品具有c轴方向的择优取向,其(002)方向摇摆曲线的半高宽(FWHM)仅为68.4 arcsec,(102)方向摇摆曲线的半高宽(FWHM)为1 150 arcsec,显示了外延薄膜极高的晶体质量。另外从扫描电子显微测试结果和原子力显微测试结果来看,Zn O薄膜具有极为平整的表面,3μm×3μm面积内的均方根粗糙度仅为0.842 nm,接近原子级的平整。拉曼光谱(Raman)和荧光光谱(PL)测试结果显示,Zn O薄膜样品内部的应力基本释放,而且具有极低的点缺陷密度。高质量Zn O单晶薄膜的实现为Zn O基的光电器件的制备提供了坚实的基础。; 张权林苏龙兴吴天准王玉超祝渊陈明明桂许春汤子康; 关键词：缓冲层应力 ZNO

一种提高异质外延层晶体质量的方法: 本发明属于纳米材料外延技术领域，具体公开一种提高异质外延层晶体质量的方法。本发明在衬底上先外延生长Mg/MgO复合缓冲层，充当晶格失配较大的衬底与ZnO外延薄膜中间的过渡缓冲角色，因而可以极大提高异质外延层晶体质量，同时...; 汤子康吴天准张权林王玉超苏龙兴陈明明祝渊桂许春项荣; 文献传递

一种氧化锌和/或氧化锌合金的湿法刻蚀方法: 本发明属于无机化学领域，公开了一种氧化锌和/或其合金材料的湿法刻蚀方法,该方法包括以下步骤:首先制作氧化锌以及其合金材料的掩膜,然后通过过氧化氢溶液进行刻蚀。上述刻蚀方法中,由于采用了过氧化氢溶液作为刻蚀剂,因此可以保证...; 王玉超汤子康吴天准张权林苏龙兴陈明明祝渊; 文献传递

基于靶场高速摄影光学系统畸变分析的三次拟合校正研究: 2019年; 针对靶场高速电视测量系统短焦距大视场的特点,分析了畸变对测量精度的影响;考虑到靶场短焦距光学系统畸变难以克服的问题,采用实验法和图像矫正法,利用视场标校数据、基于最小二乘原理,建立了三次方程拟合的数学模型,对光学系统全视场进行了畸变校正。实验结果表明,该方法能够有效提高短焦距大视场光学系统靶场测量的精度,简便实用,可操作性强。; 朱东济刘剑锋高蓉赵宇王玉超

单分散水油液滴阵列超小反应器及制备方法、使用方法: 本发明公开了一种单分散水油液滴阵列超小反应器及其制备方法与使用方法，包括衬底、与衬底邦定的沟道；所述沟道与衬底之间形成主通道；所述主通道的宽度与深度比≥20；所述沟道靠近主通道的一侧有微阱阵列，且所述主通道和微阱阵列形成...; 吴天准王玉超苏宇泉项荣桂许春祝渊汤子康铃木宏明四方哲也; 文献传递

一种提高异质外延层晶体质量的方法: 本发明属于纳米材料外延技术领域，具体公开一种提高异质外延层晶体质量的方法。本发明在衬底上先外延生长Mg/MgO复合缓冲层，充当晶格失配较大的衬底与ZnO外延薄膜中间的过渡缓冲角色，因而可以极大提高异质外延层晶体质量，同时...; 汤子康吴天准张权林王玉超苏龙兴陈明明祝渊桂许春项荣; 文献传递

分子束外延生长的极性与非极性BeZnO薄膜的比较研究(英文): 2013年; 采用分子束外延设备在不同晶面蓝宝石衬底上(c面,a面,r面)生长BeZnO薄膜。使用复合缓冲层生长得到了高质量的BeZnO薄膜,X射线衍射半高宽达到600 arcsec。在c面与a面蓝宝石衬底上生长得到了极性BeZnO薄膜,在r面蓝宝石上生长得到了非极性BeZnO薄膜。共振拉曼光谱测试结果表明薄膜中的Be含量在同一水平。相对于c面与a面蓝宝石上的极性BeZnO薄膜,生长在r面蓝宝石衬底上的非极性BeZnO薄膜具有较大的表面粗糙度以及较大的半高宽,但是其光致发光谱中的紫外发光峰远远强于极性BeZnO薄膜,并且黄绿光发光峰弱于极性BeZnO薄膜。; 王玉超吴天准陈明明苏龙兴张权林汤子康; 关键词：晶体取向分子束外延光致发光

一种氧化锌和/或氧化锌合金的湿法刻蚀方法: 本发明属于无机化学领域，公开了一种氧化锌和/或其合金材料的湿法刻蚀方法,该方法包括以下步骤:首先制作氧化锌以及其合金材料的掩膜,然后通过过氧化氢溶液进行刻蚀。上述刻蚀方法中,由于采用了过氧化氢溶液作为刻蚀剂,因此可以保证...; 王玉超汤子康吴天准张权林苏龙兴陈明明祝渊; 文献传递

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王玉超