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肖志雄

作品数：13 被引量：8H指数：1
供职机构：东南大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 12篇电子电信

主题

  • 7篇双极晶体管
  • 7篇晶体管
  • 7篇硅
  • 5篇硅双极晶体管
  • 4篇重掺杂
  • 3篇电流增益
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇增益
  • 2篇低温双极晶体...
  • 2篇电特性
  • 2篇电特性分析
  • 2篇多晶硅发射极
  • 2篇温度
  • 2篇硅器件
  • 2篇发射极
  • 2篇半导体
  • 1篇电离
  • 1篇电离率
  • 1篇液氮

机构

  • 12篇东南大学

作者

  • 12篇肖志雄
  • 7篇郑茳
  • 6篇魏同立
  • 1篇王明网
  • 1篇李垚
  • 1篇吴金

传媒

  • 3篇应用科学学报
  • 2篇电子学报
  • 2篇微电子学
  • 1篇Journa...
  • 1篇东南大学学报...
  • 1篇高技术通讯
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 2篇1997
  • 4篇1996
  • 4篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
硅中电离率与有效多数载流子浓度的温度关系被引量：1
1996年
该文研究了重掺杂引起的禁带变窄效应对电离率与有效多数载流子浓度的影响；建立了从７７Ｋ到３００Ｋ广为适用的数学模型．获得的计算结果在轻掺杂时与已有的计算数据相一致；而在重掺杂时，解决了已有文献未能解决的难题：杂质电离率随掺杂浓度的增大而上升的定量计算．
肖志雄郑茳魏同立
关键词：硅电离率载流子浓度温度重掺杂
低温高注入硅双极晶体管电流增益的定量模拟
1996年
本文考虑了基区复合电流，发射结空间电荷区复合电流，基区高注入引起的禁带变窄效应，Ｅａｒｌｙ效应，基区和发射区电导调制效应，有效基区展宽效应以及发射区电流集边效应，定量地模拟了硅双极晶体管电流增益在７７Ｋ和３００Ｋ时与集电极电流的关系，并且与实验结果相吻合，计算还表明在低温７７Ｋ时，电流增益的大注入效应由基区电导调制效应和发射区电流集边效应决定，而在３００Ｋ时则由有效基区展宽效应决定。
肖志雄魏同立
关键词：硅双极晶体管电流增益
硅低温双极晶体管的优化设计与制备──Ⅱ结构与电特性分析
1995年
本文在前文器件掺杂分布优化设计的基础上，实现了结构设计和工艺选择，采用多晶硅发射极技术，研制成功了７７Ｋ下高增益（Ｈ＿（ＦＥ）可达２５０）硅双极晶体管；采用多晶硅发射区和基区重掺杂技术，获得了可与ＣＭＯＳ结构兼容，基区电阻较小的硅低温双极晶体管。
郑茳肖志雄吴金魏同立
关键词：双极晶体管多晶硅发射极硅器件
低温二极管的计算机模拟及分析
1997年
在通用半导体器件模拟软件PISCES（版本为90091，SunOS4.1（Zhiping））的基础上，修改了模型方程，加进了低温参数模型，成功地开发和编制出了适于低温半导体器件模拟软件SE－PISCES，模拟了77K下二极管的稳态特性、瞬态特性和交流小信号分析，并将模拟结果和300K下的作了对比分析．
王明网魏同立李垚肖志雄
关键词：半导体器件二极管计算机模拟
重掺杂硅物理参数的低温特性分析被引量：1
1995年
本文考虑了杂质重掺杂引起的禁带变窄效应，提出了新的电离率和有效多数载流子浓度的数学模型，并应用于由发射效率决定的硅双极晶体管电流增益的计算，所获得的计算结果与实验相符合。这为硅低温半导体器件的设计提供了理论基础。
肖志雄郑茳魏同立王明网卓伟吴金
关键词：硅物理参数掺杂
低温重掺杂硅爱因斯坦关系的修正
1995年
　　量化分析了低温杂质重掺杂条件下，采用非简并、简并近似和非抛物线能带结构对硅半导体中爱因斯坦关系的影响。主要分析结果表明：对于低温重掺杂硅中的爱因斯坦关系，有必要进行简并近似的修正，在甚高掺杂时，还有必要进行更为精确的非抛物线能带结构的修正；修正因子随温度的上升而下降，随掺杂浓度的上升而上升。具有很强的物理指导意义。
肖志雄魏同立郑茳徐明洁
硅低温双极晶体管的优化设计与制备─—I．优化设计理论
1995年
本文研究了硅双极晶体管电流增益和截止频率的低温物理特性，提出了电流增益在低温下将随发射区杂质浓度的下降和基区杂质浓度的上升而上升的新理论，得出了低温下硅中浅能级杂质将起有效陷阱作用的新结论。在上述基础上，本文对发射区、基区和收集区的掺杂分布进行了优化设计，这将成为获得高性能硅低温双极晶体管的重要设计依据和理论基础。
郑茳肖志雄吴金魏同立
关键词：双极晶体管硅器件优化设计
低温重掺杂硅电特性分析与多晶硅发射极硅双极晶体管大电流特性的模拟
该论文主要计算和分析了重掺杂硅的低温特性、影响低温硅双极晶体管直流和瞬态特性的主要物理效应的温度特性、普通硅双极晶体算及多晶硅发射极硅双极晶体管的大电流特性.
肖志雄
关键词：硅双极晶体管电流增益
低温下硅双极晶体管基区高注入禁带变窄效应
1993年
重掺杂效应是引起基区禁带变窄的主要原因，但是高注入也将引起禁带变窄效应，这一影响在低温下尤其明显。本文建立了低温下硅双极晶体管基区高注入禁带变窄效应的计算理论模型，获得的计算值与实验结果相一致。
肖志雄郑茳
关键词：晶体管
适用于液氮温度工作的硅双极晶体管
1994年
硅双极晶体管电流增益具有正温度系数，这使得普通硅双极器件电流增益在液氮温度下严重退化，失去了放大能力。本文分析了多晶硅发射极晶体管电流增益的温度相关性，优化设计和选取了发射区掺杂浓度和发射区宽度，成功地研制了液氮温度下电流增益高达２００的硅双极晶体管。
肖志雄郑茳吴金魏同立
关键词：多晶硅晶体管液氮温度
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共2页<12>
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