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睡眠障碍研究进展被引量：4: 2023年; 睡眠占了人生命的三分之一,是生命所需。多导睡眠图监测被认为是诊断多种睡眠障碍的金标准。本文对睡眠障碍临床研究现状、分类、快速监测新方法 Quisi,婴儿、儿童、青少年及成人部分睡眠障碍的脑电图和多导睡眠图特征,及诊断治疗做了介绍。认为Quisi技术将多导睡眠图技术简化和延申,判断睡眠障碍多了一个手段,针刺结合中药疗法是治疗失眠的有机统一,效果更佳,具有临床转化价值。; 苏杰张郦张敏敏胡学谦刘占文陈兴时叶敏捷于梅; 关键词：睡眠障碍电生理学多道睡眠描记术中医

一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体AB类功率放大器: 本发明公开了一种锗化硅双极-互补金属氧化物半导体AB类功率放大器，该放大器电路结构分为第一级预放大级和第二级功率放大级，其中第一级放大管用的是标准锗化硅双极型晶体管，第二级放大管用的是高压锗化硅双极型晶体管，以得到高的功...; 张书霖陈磊赖宗声苏杰张伟华林刘盛富阮颖

一种改进型双吉尔伯特结构射频正交上混频器: 本发明公开了一种改进型双吉尔伯特结构射频正交上混频器，该混频器包括跨导级、开关级和尾电流源电路。整体电路采取的是锗化硅双极-互补金属氧化物半导体工艺技术，结合了双极型器件和互补金属氧化物半导体两者的优点，能够有效地降低电...; 张伟陈磊赖宗声华林刘盛富张书霖苏杰阮颖; 文献传递

一种射频绝缘体上硅互补金属氧化物半导体低噪声放大器: 本发明公开了一种工作于中心频率为2.4GHz的基于部分耗尽绝缘体上硅互补型金属氧化物半导体工艺全片集成并带有静电防护的低噪声放大器。该放大器采用带源极负反馈共源共栅结构，电路中钳位二极管和电压钳位系统起到了良好的静电防护...; 严琼陈磊赖宗声石春琦张书霖华林苏杰张伟刘盛富阮颖

一种宽带低噪声放大器: 本发明公开了一种宽带低噪声放大器，该放大器包括第一级共源共栅放大电路，第二级共源放大电路，输入输出匹配电路，为电路提供一个高的增益，电流抽取电路使电路的噪声系数降低，MOS管电流源偏置电路和HBT偏置电路，偏置网络滤波电...; 苏杰陈磊赖宗声石春琦张书霖张伟刘盛富华林胡少坚王勇赵宇航陈寿面

一种可变增益低噪声驱动放大器: 本发明公开了一种可变增益低噪声驱动放大器，该放大器采用全差分共源共栅结构，共栅级采用三个并排的锗化硅双极型晶体管，中间的锗化硅双极型晶体管采用并联电容反馈，采用合理的输入输出匹配电路，为电路提供一个高的可变增益，降低了噪...; 刘盛富陈磊赖宗声张伟华林张书霖苏杰阮颖

躯体形式障碍的失匹性负波和Quisi脑电变化被引量：1: 2023年; 目的:探讨躯体形式障碍(SFD)患者失匹性负波(MMN)及睡眠脑电(Quisi)特点。方法:应用德国脑电生理仪对2019年12月至2022年6月华东师范大学附属精神卫生中心60例SFD患者分别在治疗前和治疗后6周进行MMN和Quisi检测。正常健康人组(NC)36名作为对照。结果:60例SFD中,症状出现频率由高到低依次为认知睡眠、呼吸、消化、五官及心血管症状。与NC组相比,治疗前SFD患者MMN潜伏期延迟,波幅下降(P<0.05或P<0.01)。P300也见同一趋势变化,与此同时Quisi睡眠显示异常(P<0.05或P<0.01),SFD组治疗6周后,MMN和P300若干主成分指标恢复(P<0.05)。夜间Quisi显示睡眠效率[治疗前(85±7%),治疗后(90±4%),P<0.05]提高,觉醒时间和S1减少,S2增加,睡眠潜伏期缩短。结论:Quisi便捷是其临床转化的价值,与MMN联合应用更有助于反映SFD患者的睡眠和认知功能变化。; 刘占文张郦田金昌张敏敏苏杰胡学谦陈兴时杜向东; 关键词：躯体形式障碍多导睡眠描记术 QUISI 失匹性负波

一种射频绝缘体上硅互补金属氧化物半导体低噪声放大器: 本发明公开了一种工作于中心频率为2.4GHz的基于部分耗尽绝缘体上硅互补型金属氧化物半导体工艺全片集成并带有静电防护的低噪声放大器。该放大器采用带源极负反馈共源共栅结构，电路中钳位二极管和电压钳位系统起到了良好的静电防护...; 严琼陈磊赖宗声石春琦张书霖华林苏杰张伟刘盛富阮颖; 文献传递

2.4GHz SiGe BiCMOS功率放大器核心电路设计被引量：1: 2011年; 基于宏力半导体有限公司最新的0.18μm SiGe BiCMOS 1P6M工艺,提出了一种应用于2.4-2.5 GHz频段的功率放大器,采用两级共发射极结构,优化了电路结构和元件参数,并使用片上和片外电感电容进行匹配。仿真结果表明,电路在2.4~2.5 GHz频率范围内,增益（S21）达到21 dB,输入和输出匹配（S11,S22）分别达-到17 dB和-22 dB,1 dB输出压缩点为16.7 dBm。在电源电压为3.3 V时,电路总消耗电流为275 mA。; 苏杰张书霖陈磊赖宗声; 关键词：SIGE BICMOS 功率放大器 S参数

一种宽带低噪声放大器: 本发明公开了一种宽带低噪声放大器，该放大器包括第一级共源共栅放大电路，第二级共源放大电路，输入输出匹配电路，为电路提供一个高的增益，电流抽取电路使电路的噪声系数降低，MOS管电流源偏置电路和HBT偏置电路，偏置网络滤波电...; 苏杰陈磊赖宗声石春琦张书霖张伟刘盛富华林胡少坚王勇赵宇航陈寿面; 文献传递

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苏杰