蔡志猛
- 作品数：4 被引量：14H指数：2
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院半导体光子学研究中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金福建省重点科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程理学更多>>
- UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层被引量：6
- 2008年
- 采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530″和5.5cm-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm-2.可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件.
- 周志文蔡志猛张永蔡坤煌周笔林桂江汪建元李成赖虹凯陈松岩余金中王启明
- 关键词：锗
- 低温Ge作缓冲层的高组份SiGe弛豫衬底生长研究
- ＜正＞Si 基 SiGe 合金和纯 Ge 材料具有良好的光电热性能,并且与 Si 工艺兼容,在微电子和光电子器件方面得到了广泛应用,如异质结双结型晶体管,应变 Si、SiGe 和 Ge 高迁移率 MOS 管,近红外1.3...
- 周志文蔡志猛张永周笔林桂江赖虹凯李成陈松岩余金中
- 文献传递
- Si基Ge MSM光电探测器的研制
- 制备响应波长在1.3和1.55μm,并具有高响应速度、高量子效率和低暗电流的高性能光电探测器,不仅是光通信技术发展的需要,也是实现硅基光电集成的需要。Ⅲ-Ⅴ族半导体材料在1.3～1.55μm具有较大的吸收系数,是理想的吸...
- 蔡志猛
- 关键词：MSM光电探测器
- 文献传递
- 硅基外延锗金属-半导体-金属光电探测器及其特性分析被引量：8
- 2008年
- 利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备,以低温下生长的薄的Si1-xGex和Ge作为缓冲层,在Si(100)衬底上外延出表面平整(粗糙度<1 nm)、位错密度低(<5×105cm-2、厚度约为500 nm的高质量纯Ge层。Ge层受到由于Si和Ge热膨胀系数不同引入的张应变,应变大小约为0.2%。以外延的Ge层为吸收区、在硅基上制备了台面面积为195×150μm2的金属-半导体-金属(MSM)光电探测器。在-1 V偏压下,暗电流为2.4×10-7A;在零偏压下,光响应波长范围扩展到1.6μm以上。
- 蔡志猛周志文李成赖虹凯陈松岩
- 关键词：MSM光电探测器
