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蔡根旺

作品数:7 被引量:2H指数:1
供职机构:郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国航空科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术机械工程更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 5篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇机械工程

主题

  • 2篇电介质
  • 2篇介质
  • 2篇拉曼
  • 2篇负折射
  • 1篇电场
  • 1篇电磁
  • 1篇折射率
  • 1篇数值模拟
  • 1篇数值模拟研究
  • 1篇通带
  • 1篇平板结构
  • 1篇左手材料
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇纳米线结构
  • 1篇介电
  • 1篇介电常数
  • 1篇拉曼散射
  • 1篇共振器
  • 1篇负折射率

机构

  • 7篇郑州大学
  • 4篇郑州航空工业...
  • 3篇东华大学

作者

  • 7篇梁二军
  • 7篇蔡根旺
  • 4篇丁佩
  • 4篇胡伟琴
  • 2篇范春珍
  • 2篇刘志峰
  • 2篇王俊俏
  • 2篇程永光
  • 2篇何金娜
  • 2篇李兵
  • 2篇朱双美
  • 1篇周强
  • 1篇袁斌

传媒

  • 2篇光散射学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇河南大学学报...
  • 1篇郑州大学学报...
  • 1篇第16届全国...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
利用电介质柱共振器实现电磁响应模式可转变的电磁超介质
2011年
本文利用电磁场数值计算方法研究了横截面具有不同长宽比例的电介质柱的电磁共振模式,发现横截面长宽比例影响电介质柱共振模式的激发顺序.截面长宽比小于2.2时,首先激发磁共振模式;而长宽比大于2.2时,磁共振模式在第二个共振被激发;作为转折点,截面长宽比例约为2.2的电介质柱不能激发磁共振模式.结果还表明改变电磁波入射方向可以调节长方形截面的电介质柱的磁共振发生的频率位置,实现偏振可控的电磁响应,这为新颖的电介质电磁超介质的设计与研究提供有价值的信息.
丁佩周强胡伟琴蔡根旺梁二军
关键词:电介质
具有双负折射率通带的双结构单元渔网电磁超介质的数值模拟研究
2011年
基于传统的"金属-电介质-金属"渔网状电磁超介质,平行和交叉排列具有不同介电常数介质板的两种单元,利用数值方法研究了两种排列方式下渔网电磁超介质的左手行为.与采用单一介质板相比,使用两种电介质板形成的双结构单元渔网结构能够使不同的单元在不同频率下谐振,表现出双负折射率通带.利用楔形结构和后向波模拟验证了两种排列方式下双结构单元渔网结构的负折射特性.利用双结构单元渔网结构,可以通过调节介质板的介电常数,同时在一个或多个频率带实现负折射,这为制作性能更为优良的多频带滤波器和变频通信微波器件等提供了一种可行方法.
李兵丁佩胡伟琴蔡根旺刘志峰梁二军
关键词:负折射
新型全电介质平板结构负折射性能的模拟分析被引量:1
2010年
利用全电介质材料,设计了一种新型的高介电质平板-普通介电质-高介电质平板结构.该平板结构中入射电磁波激发的位移电流取代金属材质左手材料中的传导电流,在特定的激发模式下可以产生负折射现象.利用提取的有效介质参数和楔形棱镜模拟证实了这种全电介质结构的左手性能,并研究了高介电质平板尺寸变化对负折射率通带的影响.用具有高介电系数的介电质材料构筑左手材料可以克服传统的基于金属基元的左手材料在红外和太赫兹波段面临的结构复杂和损耗问题,为高频低损电磁超介质的开发提供一种新的结构设计思路.
刘志峰袁斌丁佩胡伟琴蔡根旺李兵梁二军
关键词:电介质左手材料负折射
渔网电磁超介质左手通带的超常透射及其电场增强效应的数值研究
2010年
本文利用电磁场数值模拟方法研究了分布矩形孔阵列的"金属-电介质-金属"三明治渔网电磁超介质在其左手通带发生的超常透射现象和不同模式激发下的电场增强效应。结果证实左手通带紧邻的超常光学传输峰源于波导共振模式,利用超常传输效应可以有效降低电磁超介质的损耗,提高左手性能;波导共振模和左手通带对应的反对称磁模能够分别在孔洞和金属夹层区域激发超过11倍的增强电场,因此渔网电磁超介质结构在表面增强光谱和传感等方面也具有潜在应用价值。
丁佩胡伟琴蔡根旺梁二军
三角形金纳米结构拉曼衬底的电磁场增强效应研究
经研究发现SERS电磁场增强的主要原因是局域等离子体共振效应,金属纳米粒子的组成、形状、尺寸及周围的介电常数等因素都会对局域等离子体共振产生影响。本文提出一种三角形的金纳米结构衬底以提高表面增强拉曼光谱的信号强度。模拟和...
蔡根旺梁二军
层状纳米线结构对硅基太阳能电池的影响
程永光王俊俏何金娜范春珍朱双美蔡根旺梁二军
基于Klarite芯片的表面增强拉曼散射特性研究被引量:1
2012年
本文介绍了一种商用的表面增强拉曼芯片(Klarite),并对其表面形貌、拉曼活性进行了表征和测试分析。Klarite芯片由于独特的倒金字塔形设计使得其具有较好的拉曼活性、稳定性和重现性,为生命科学和分析化学研究提供了有力的研究工具。此外,我们对Klarite芯片在外电磁场作用下的表面电场分布进行了模拟,发现一个结构单元中存在多个"热点"区域,并且最大电磁场的增强随着倒置金字塔的高度h改变而变化,当h为600nm时,电磁场增强达到最大,约为25倍。
王俊俏朱双美何金娜程永光范春珍蔡根旺梁二军
关键词:表面增强拉曼散射
共1页<1>
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