蔡莉莉
- 作品数：20 被引量：88H指数：5
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- 热处理气氛对电子辐照直拉硅中氧沉淀的影响
- 2014年
- 对经过电子辐照的n型[111]晶向直拉硅样品在不同气氛下进行了热处理,对比研究了热处理气氛对电子辐照直拉硅中的缺陷形貌、间隙氧含量的变化以及清洁区的影响。实验结果表明,热处理气氛对辐照样品中的缺陷形貌影响较大:氩气氛下退火样品体内的缺陷以位错环为主而氮气氛下则主要是层错,并对此现象的机理进行了讨论;经历不同气氛快速预处理再进行高温一步退火后,辐照样品表面会产生一定宽度的清洁区,而氮气氛下清洁区宽度较窄;通过傅里叶变换红外光谱仪检测间隙氧含量的变化发现氮气氛下退火的样品间隙氧含量下降较多,说明氮气氛热处理更有利于氧沉淀的生成。
- 蔡莉莉冯翠菊陈贵锋
- 关键词：电子辐照氧沉淀
- 电子辐照直拉硅退火后辐照施主行为的研究
- 2009年
- 利用多种实验手段对电子辐照直拉硅退火过程中辐照缺陷的施主效应进行了研究,同时探讨了不同辐照剂量、初始氧含量以及预处理对辐照施主形成的影响.实验结果表明,电子辐照直拉硅后其电阻率迅速增加,低温退火即可恢复真实值;辐照施主是氧施主-缺陷的复合体,其激活温度在750℃左右,低温预处理有助于辐照施主的异质形核.
- 蔡莉莉冯翠菊张金锋
- 关键词：电子辐照辐照缺陷电阻率
- 电子辐照直拉硅中VO_2的红外光谱表征
- 2014年
- 用能量为1.5MeV,剂量为1.8×101 8e/cm2的电子束辐照直拉硅单晶样品,通过傅里叶变换红外光谱技术(FTIS)研究了辐照后样品中VO2缺陷随退火温度的变化及其热稳定性。实验结果表明,辐照在样品中引入了VO2的亚稳态缺陷,其特征吸收峰在低温红外光谱中向高频方向移动,300℃热处理时该亚稳态缺陷转化为VO缺陷;400℃热处理样品中出现了VO2的稳态缺陷,450℃热处理该稳态缺陷的峰值强度达到最大,当退火温度达到550℃时,该稳态缺陷完全消失并转化为其它复杂的缺陷。这种稳态的VO2缺陷经历450℃长时间热处理表现出良好的热稳定性,而在500℃短时热处理后转化为其它缺陷。
- 蔡莉莉冯翠菊陈贵锋
- 关键词：电子辐照
- 多晶硅锭定向凝固过程的温度场模拟被引量：5
- 2015年
- 采用数值模拟方法研究了不同的工艺条件对多晶硅锭定向凝固过程中固液界面形状和温度梯度的影响,为优化多晶硅凝固过程的参数和有效控制定向凝固过程提供了参考依据。模拟结果表明,降埚速率越大,晶体生长速率越快,硅锭内温度梯度也随之增加,当降埚速率小于60mm/h时,固液界面始终保持凹界面;保持一定的降埚速率和冷源温度不变,改变多晶硅锭的冷却速率,坩埚内固液界面的形状基本保持不变,但冷却速率对晶锭内温度梯度的影响较明显,冷却速率越大晶锭内温度梯度越大。
- 蔡莉莉冯翠菊王会彬
- 关键词：数值模拟温度梯度固-液界面
- 电子辐照直拉硅V-O相关缺陷的红外研究被引量：2
- 2009年
- 应用FTIR技术研究了1.5 MeV不同剂量电子辐照直拉硅(CZ-Si)的V-O缺陷在不同温度热处理时的行为。发现随着辐照剂量的增加,间隙氧的吸收峰不断下降,而VO(830 cm-1)强度迅速增加,并且其退火温度随辐照剂量的增加而升高,伴随830 cm-1峰的出现,在860 cm-1处出现一弱的吸收峰,两者有着相似的退火行为。VO0(830 cm-1)与样品中的初始间隙氧含量无关。400℃热处理,出现了889cm-1对应的复合体VO2,其形成主要在退火初期,该峰强度不随退火时间发生变化,但与初始氧含量有关。
- 蔡莉莉李海军
- 关键词：电子辐照辐照缺陷VOFTIR
- 荷电(±1)对二十面体X_(13)(X=Cr,Mn,Fe,Co)团簇的稳定性与磁性的影响被引量：2
- 2015年
- 采用基于密度泛函理论的计算方法,对正二十面体金属X13(X=Cr,Mn,Fe,Co)中性和荷电团簇进行了全面的结构优化计算,研究了荷电对团簇的稳定性和磁性的影响.结果表明:荷负电能够使团簇的稳定性增强;荷电对不同团簇的原子间距离的影响不同;同时荷电对不同团簇磁性的影响也是不一样的,尤其是荷负电能够使Fe13和Co13团簇的磁性大大增强;荷电对不同团簇磁性的影响不是通过原子间距离的变化来实现的,而是受到原子内部电荷的转移和杂化程度的影响.
- 冯翠菊蔡莉莉
- 关键词：密度泛函金属团簇磁性
- 电子辐照对直拉硅中氧沉淀的影响
- 2008年
- 主要研究了1.5MeV、剂量为3.5×10^(17)e/cm^2的电子辐照后的直拉硅经后续高温热处理,其体内氧沉淀的变化情况以及清洁区的形成。结果表明,电子辐照促进了直拉硅中氧沉淀的生成,而且经过快速热处理再加上高温一步退火,电子辐照后的直拉硅内形成一定宽度的清洁区,而且清洁区的宽度随快速热处理温度的升高而变窄。
- 蔡莉莉李晶
- 关键词：电子辐照氧沉淀
- 拉伸法测金属丝杨氏模量实验装置的改进被引量：18
- 2015年
- 对原有的杨氏模量实验仪存在的主要问题进行了分析,针对这些问题分别提出了相应的改进措施,克服了原有仪器存在的不足,在一定程度上可以提高实验精度。
- 蔡莉莉王会彬
- 关键词：杨氏模量望远镜光杠杆
- Matlab在麦克斯韦速率分布律中的应用被引量：4
- 2013年
- 用Matlab软件对麦克斯韦速度及速率分布函数进行了编程,绘制了相应的分布曲线,讨论了不同温度和不同分子质量时麦克斯韦速率分布曲线的变化,并用Matlab的符号计算功能计算了分布在三个典型速率区间的分子数占总分子数的百分比,所有变化规律均符合热学理论中的分子运动规律,为教学提供了参考。
- 蔡莉莉张琳
- 关键词：MATLAB麦克斯韦速率分布律
- 电子辐照对直拉硅单晶电学参数的影响被引量：3
- 2013年
- 对N型[111]晶向直拉硅样品进行电子辐照,然后在不同温度下进行常规热处理,对比研究了不同辐照剂量的样品少子寿命和电阻率随退火温度的变化。结果表明:直拉硅单晶样品经电子辐照后电阻率增加,少子寿命下降,辐照剂量越高电阻率增加的越多,少子寿命下降越明显。对辐照样品进行不同温度热处理发现热处理温度低于600℃,少子寿命基本处于稳定值,当退火温度达到650℃时,辐照样品的电阻率与少子寿命均恢复至辐照前的初始值,表明在该温度下辐照引入的缺陷基本消除,因此晶体的导电能力逐渐恢复。而经750℃热处理后,辐照样品的少子寿命和电阻率分别出现一个低谷,辐照剂量越高电阻率和少子寿命值在该温度下下降幅度越大,而且随着热处理时间的延长,辐照样品电阻率不断下降,通过间隙氧含量的测量也初步证明电阻率的下降与间隙氧原子的偏聚有关,该温度下电阻率的下降与辐照相关联。
- 蔡莉莉冯翠菊陈贵锋
- 关键词：电子辐照少子寿命辐照缺陷电阻率
