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贾彩虹

作品数:28 被引量:8H指数:2
供职机构:河南大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金河南省高校科技创新团队支持计划河南省高等学校创新人才培养工程更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 17篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 8篇一般工业技术
  • 6篇理学
  • 3篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇医药卫生

主题

  • 6篇电子束
  • 6篇铁电
  • 5篇铁电薄膜
  • 4篇单晶
  • 4篇电极
  • 4篇掩膜
  • 4篇掺杂
  • 4篇衬底
  • 3篇双极性
  • 3篇退火
  • 3篇钛酸
  • 3篇化学溶液沉积...
  • 3篇SRTIO
  • 3篇SRTIO3
  • 2篇单晶材料
  • 2篇单向性
  • 2篇导电
  • 2篇低密度
  • 2篇电势
  • 2篇电输运

机构

  • 28篇河南大学
  • 1篇郑州幼儿师范...

作者

  • 28篇贾彩虹
  • 20篇张伟风
  • 8篇杨光红
  • 5篇田建军
  • 4篇田军锋
  • 4篇孙健
  • 4篇高惠平
  • 4篇范素娟
  • 4篇秦勉
  • 3篇黄晓伟
  • 2篇张婷
  • 2篇郑海务
  • 2篇丁玲红
  • 2篇李国强
  • 2篇魏凌
  • 1篇刘广生
  • 1篇王云飞
  • 1篇田宝丽
  • 1篇程纲
  • 1篇马文海

传媒

  • 3篇压电与声光
  • 2篇化工新型材料
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇第14届全国...

年份

  • 4篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2007
  • 2篇2006
28 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
激光分子束外延法制备AlN/Si异质结的电学性质被引量:3
2015年
采用激光分子束外延法在Si(111)衬底上制备出沿c轴取向的AlN薄膜,在此基础上制备了Au/AlN/Si金属-绝缘体-半导体(MIS)结构。研究了结构的电流传输机制、AlN/Si界面处的界面态密度值及分布情况。结果表明:AlN/Si异质结具有很好的整流特性,电流传输符合空间电荷限制传输机制,理想因子为2.88;结构的界面态密度约为1.1×10^(12) eV^(-1)·cm^(-2),主要分布在距离Si衬底价带顶0.26eV附近,由生长过程中引入的O杂质、N空位/N替代和Si原子代替N原子形成的Al-Si键组成。
方应龙贾彩虹陈秀文张伟风
关键词:异质结激光分子束外延电导法界面态密度
不同择优取向Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜的铁电性质被引量:1
2007年
采用化学溶液沉积法在p-Si(100)衬底上制备了LaNiO3(LNO)下电极和Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)铁电薄膜,分别用X-射线衍射、原子力显微镜、扫描电镜和铁电测试仪对样品的微结构和铁电性质进行了系统分析。结果表明,低热解温度下制备的LNO薄膜具有(110)择优取向、小的颗粒尺寸和大的电阻率;而高热解温度下制备的LNO薄膜具有(100)择优取向、大的颗粒尺寸和小的电阻率。与以往报道不同,c轴择优取向度大的BLT薄膜显现出更大的剩余极化强度和更小的漏电流,具有更优越的铁电性质。
贾彩虹田建军丁玲红张伟风
关键词:铁电薄膜LANIO3化学溶液沉积法
一种制备薄膜电极的辅助装置
本发明公开了一种制备薄膜电极的辅助装置,包括底盘,底盘具有用于支撑上下叠加设置的掩膜板和衬底的支撑端面,底盘上还设置有用于对掩膜板施加朝向衬底压紧的压紧力的压紧机构,所述压紧机构包括用于压装在掩膜板上的压片夹以及向下穿过...
孙健张伟风张婷魏凌贾彩虹
一种基于冲量差颗粒脱附的微纳结构与器件的直写方法
本发明涉及一种基于冲量差颗粒脱附的微纳结构与器件直写方法,包括:在衬底上固定材料源;将所述衬底和材料源放入电子束设备;对所述电子束设备进行抽真空处理;控制电子束斜入射到所述材料源表面;控制所述电子束以光栅式振荡扫描场做空...
杨光红贾彩虹黄晓伟刘新胜杨锋贾瑜
(111)SrTiO_3衬底处理调制ZnO薄膜的面内外延关系研究
2016年
采用脉冲激光法在未处理和水浸泡的(111)SrTiO_3(STO)衬底上都生长得到了c轴取向的纤锌矿结构ZnO薄膜。ZnO薄膜与STO衬底之间的外延关系使用X射线进行研究。发现在未处理和水浸泡的(111)SrTiO_3衬底的面内排列分别是[1120]_(ZnO)//[110]_(STO)和[1100]_(ZnO)//[110]_(STO),它们之间相互旋转30o。ZnO薄膜相对于STO衬底的面内取向强烈依赖于衬底处理。可能是未处理和水浸泡STO衬底终止面的差别导致了外延关系的改变。相比来说,[1100]_(ZnO)//[110]_(STO)比[1120]_(ZnO)//[110]_(STO)能量更低,这是由于SrO_3比Ti终止STO衬底具有更高的成键密度和较低的界面能。
张国玺贾彩虹
关键词:氧化锌钛酸锶脉冲激光沉积
一种黄铁矿结构铁基三元硫族单晶材料及其制备方法
本发明涉及一种黄铁矿结构铁基三元硫族单晶材料及其制备方法,其分子式为FePd<Sub>2</Sub>Se<Sub>6</Sub>,晶格常数为a=b=c=6.045(3)埃,电输运表现为金属性,磁性表现为在1.8K具有明显...
田建军高惠平田军锋范素娟秦勉贾彩虹施度美亚·彼得罗维奇张伟风
文献传递
SrTiO3:Nb/ZnO异质结中双极性阻变和负微分电阻现象的起源
采用脉冲激光沉积技术在SrTiO3:Nb(NSTO)衬底上外延生长了ZnO 薄膜.NSTO/ZnO 异质结在小电压作用下显示为典型的整流特性,而在较大电压作用下出现双极性阻变和负微分电阻现象.NSTO/ZnO 异质结在未...
贾彩虹孙献文李国强陈涌海张伟风
一种双极性多级平面阻变存储器及其导电衬底与制备方法
本发明涉及一种双极性多级平面阻变存储器及其导电衬底与制备方法,包括掺杂Nb的SrTiO<Sub>3</Sub>单晶导电衬底,在导电衬底的一侧表面上制备有用于与导电衬底的接触界面形成阻变层的肖特基电极,该侧表面上还制备有与...
孙健张伟风贾彩虹
文献传递
高掺杂BaTiO<Sub>3</Sub>:Fe多铁薄膜材料及其制备方法
本发明涉及一种高Fe含量掺杂BaTiO<Sub>3</Sub>多铁薄膜材料及其制备方法,其分子式为BaTi<Sub>1-x</Sub>Fe<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>,x为掺杂成分的原子比,x=0....
田建军高惠平田军锋范素娟秦勉贾彩虹郑海务张伟风
文献传递
纳米TiO<,2>的微结构物理及其在锂离子电池中的应用研究
张伟风徐金威王云飞贾彩虹张华荣刘广生
该项目对纳米TiO<,2>从材料制备到结构表征,从简单合成到机理探索,从对材料的深入认识到对其在新能源领域的应用,经过了持续不懈的系统研究。从纳米TiO<,2>的制备和结构研究切入,对TiO<,2>纳米管的生长机理进行了...
关键词:
关键词:锂离子电池纳米材料负极材料
共3页<123>
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