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赵梅瑜
作品数:
72
被引量:307
H指数:10
供职机构:
中国科学院上海硅酸盐研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
化学工程
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合作作者
王依琳
中国科学院上海硅酸盐研究所
吴文骏
中国科学院上海硅酸盐研究所
李承恩
中国科学院上海硅酸盐研究所
殷之文
中国科学院上海硅酸盐研究所
姚尧
中国科学院上海硅酸盐研究所
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1997
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1996
2篇
1995
2篇
1994
1篇
1993
4篇
1992
3篇
1991
2篇
1990
共
72
条 记 录,以下是 1-10
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排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
致密Bi-Sr-Ca-Cu-O超导体材料的研制
被引量:1
1990年
自发现Y—Ba—Cu—O超导体以来,又发现了零电阻温度为110K的Bi—Sr—Ca—Cu—O系(简称BSCCO,以下同)超导体材料和零电阻温度为120K的Tl—Ba—Ca—Cu—O系超导材料,其中BSCCO系超导材料因不含有毒元素及稀土元素而更受人注意。但是这类材料有几个致命的弱点,其中之一是高温相极不稳定,这种高温相既难形成,又很容易转变为低温相,因此较难获得具有单一高温相组成的BSCCO体材料;
赵梅瑜
李承恩
黄野明
金行运
吴文骏
瞿耀明
关键词:
超导电性
致密化
超导体
提高Li-Nb-Ti基微波介质陶瓷绝缘电阻率的方法
本发明涉及一种提高Li-Nb-Ti基微波介质陶瓷绝缘电阻率的方法。属于低温共烧陶瓷(LTCC)领域。本发明采用B<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>(0.01~0.1wt%),Nb<Sub>2</Sub>O...
王依琳
吴文骏
赵梅瑜
李永祥
蔡聪麟
沢崎章
文献传递
提高与铜共烧的含钛微波介质陶瓷绝缘电阻率的方法
本发明涉及一种提高与铜共烧的含钛微波介质陶瓷绝缘电阻率的方法,其特征在于(1)含钛微波介质陶瓷组成分子式为Ba<Sub>2</Sub>Ti<Sub>9</Sub>O<Sub>20</Sub>;(2) Ba<Sub>2</...
王依琳
吴文骏
赵梅瑜
李蔚
文献传递
PMNT陶瓷材料的压电介电性能研究
被引量:15
2000年
本文研究了准同型相界处铌镁酸铅-钛酸铅(PMNT)陶瓷材料的介电压电性能,合适的组份和烧结,可使PMNT陶瓷材料具有较好的压电性能,d33达540pC/N,kt达0.50以上.观察了不同烧结工艺下陶瓷材料的微观结构,烧结时间过长不仅使晶粒尺寸变大,亦可造成晶粒快速生长.对化学组成和微观结构与压电性能之间的关系进行了讨论.
孙大志
赵梅瑜
罗豪甦
瞿翠凤
金绮华
姚春华
林盛卫
殷之文
关键词:
压电
介电
微观形貌
铁电体
改性偏铌酸铅高温压电陶瓷材料及其制备方法
本发明涉及一种改性偏铌酸铅高温压电陶瓷,属于陶瓷制备领域。其特点是在配方Pb<Sub>1-X</Sub>Mc<Sub>X</Sub>Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>6</Sub>+y wt%中,x、y的量较小,而...
李承恩
卢永康
周家光
王志超
朱为民
赵梅瑜
倪焕尧
文献传递
TiO_2对Y掺杂PTCR陶瓷材料性能的影响
被引量:5
1997年
本文对TiO_2原料的品型、颗粒状况和纯度对γ3+掺杂BaTiO_3基PTCR材料的显微结构、电性能的影响作了探讨.结果表明,TiO_2原料的晶型、颗粒大小和团聚状况都将影响到PTCR陶瓷的显微结构.TiO_2原料的晶型对PTCR陶瓷半导化过程有影响.原料存在杂质和团聚,将使PTCR陶瓷的电阻—温度特性变差.
王依琳
姚尧
赵梅瑜
祝炳和
关键词:
氧化钛
钇
掺杂
陶瓷半导体
提高与铜共烧的含钛微波介质陶瓷绝缘电阻率的方法
本发明涉及一种提高与铜共烧的含钛微波介质陶瓷绝缘电阻率的方法,其特征在于(1)含钛微波介质陶瓷组成分子式为Ba<Sub>2</Sub>Ti<Sub>9</Sub>O<Sub>20</Sub>;(2)Ba<Sub>2</S...
王依琳
吴文骏
赵梅瑜
李蔚
文献传递
当前功能陶瓷发展动向
被引量:3
1996年
简要介绍了功能陶瓷包括电容介质、陶瓷封装、压电瓷、透明铁电陶瓷、铁电薄膜、变阻器、热敏电阻、超导瓷及传感器瓷的最近进展,讨论了陶瓷学和固体物理以及工艺之间的相互作用和渗透。
祝炳和
赵梅瑜
关键词:
功能陶瓷
特种陶瓷
陶瓷
X波段高Tc超导谐振腔研究的初步结果
1991年
本文介绍了用YBCO块材做的X波段高Tc超导谐振腔的设计和制作,叙述了腔的实验装置和腔体谐振频率及Q值测试系统,并给出了一些实验结果。在77K温度上,测得该谐振腔的谐振频率为9.18GHz,而空载Q值为5.8×10^4左右。
苏锦源
寇文蔚
罗加增
忻萱娇
蒋盛达
赵梅瑜
李承恩
金行运
关键词:
谐振频率
添加V_2O_5对Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3烧结及微波介电性能的影响
被引量:3
1998年
本工作就添加V2O5对Ba(Mg1/3Ta2/3)O3烧结性及微波介电性能的影响进行了研究和讨论.实验结果发现,添加少量V2O5能明显改善BMT陶瓷的烧结性,当V2O5的添加量为0.1mol%时,烧结体密度可达理论密度的98%同时较纯BMT陶瓷烧结温度降低150℃左右.此时样品仍具有较高的微波介电性能:Q·f=62450GHz;εγ=25.
卞建江
赵梅瑜
殷之文
关键词:
介电性
氧化钒
BMT
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