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赵静

作品数：56 被引量：0H指数：0
供职机构：华为技术有限公司更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 56篇中文专利

领域

  • 8篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程

主题

  • 21篇晶体管
  • 19篇沟道
  • 18篇隧穿
  • 15篇源区
  • 15篇场效应
  • 14篇介质层
  • 13篇外延层
  • 11篇场效应晶体管
  • 9篇栅极
  • 9篇隧穿电流
  • 9篇半导体
  • 8篇通信
  • 7篇载流子
  • 6篇刻蚀
  • 5篇电场
  • 5篇漏极
  • 5篇光刻
  • 5篇掺杂
  • 5篇衬底
  • 4篇电子隧穿

机构

  • 56篇华为技术有限...

作者

  • 56篇赵静
  • 29篇杨喜超
  • 8篇吴昊
  • 2篇王强
  • 2篇吕欣岩
  • 2篇曹海兵
  • 2篇姜波
  • 2篇黄颖华
  • 1篇胡涛
  • 1篇李辉
  • 1篇李臻
  • 1篇刘红军

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2023
  • 2篇2022
  • 6篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 9篇2018
  • 10篇2017
  • 3篇2016
  • 9篇2015
  • 5篇2014
  • 3篇2013
共 56 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体鳍条的制作方法、FinFET器件的制作方法
本发明实施例提供一种半导体鳍条的制作方法、FinFET器件的制作方法，所述半导体鳍条的制作方法包括：提供衬底；在所述衬底之上的预定区域选择性外延生长第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜在所述衬底之上选择性外延生长第一外延层...
赵静
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一种隧穿场效应晶体管及其制作方法
一种隧穿场效应晶体管及其制作方法，该隧穿场效应晶体管中源区(30)位于氧化物结构(20)两侧，外延层(40)位于源区(30)背离氧化物结构(20)一侧表面，栅极结构(50)位于外延层(40)背离源区(30)一侧表面，从而...
赵静张臣雄
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隧穿场效应晶体管及其制作方法
本发明公开了一种隧穿场效应晶体管及其制作方法，属于场效应晶体管技术领域。所述隧穿场效应晶体管包括：两端分别设置有第一掺杂区域和第二掺杂区域的衬底；衬底上形成有鱼鳍形凸起的沟道区域，保护层，侧墙形状的沟道刻蚀硬掩膜层结构，...
吴昊张臣雄杨喜超赵静
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传输测量信息的方法、设备及系统
本发明公开了一种传输测量信息的方法、设备及系统，涉及通信领域，用于解决在UE从源小区向目标小区切换的过程中测量信息的传输不及时的问题。本发明提供的方法包括：控制第一小区的第一基站向控制第二小区的第二基站发送测量信息，所述...
赵静吕欣岩
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隧穿晶体管结构及其制造方法
一种隧穿晶体管结构，包括衬底、硅条、漏极区域、源极区域、栅电介质层及栅极，硅条形成于衬底上，漏极区域形成于硅条一侧，源级区域设第一槽，硅条部分收容于第一槽内，栅电介质层形成于源级区域上并部分包覆源级区域，栅极设第二槽，栅...
赵静杨喜超张臣雄
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一种新型结构的遂穿场效应晶体管及其制备方法
本发明实施例提供一种新型结构的遂穿场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，可增大遂穿面积并提高遂穿几率，从而提高晶体管的导通电流，获得陡峭的亚阈值斜率；该遂穿场效应晶体管包括分别位于有源区两侧的源极和漏极、栅介质层...
赵静杨喜超张臣雄
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射频前端电路和电子设备
本申请实施例提供了一种电学领域，尤其涉及一种射频前端电路和电子设备。射频前端电路包括射频前端模块和第一隔离元件。其中，射频前端模块包括PA，LNA和开关，PA串联在射频前端模块的第一集成端口和第二集成端口之间。LNA串联...
黄腾飞姜波陈旭明申云鹏赵静焦凌霄
隧穿场效应晶体管及其制造方法
提供一种隧穿场效应晶体管及其制造方法，该隧穿场效应晶体管(30)包括：衬底层(31)，源区(32)覆盖在衬底层(31)的部分表面，第一绝缘层(33)覆盖在源区(32)远离衬底层(31)的一端面上；漏区(34)覆盖在第一绝...
赵静张臣雄
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一种互补隧穿场效应晶体管及其制作方法
本发明实施例提供一种互补隧穿场效应晶体管及其制作方法，涉及半导体技术领域，该互补隧穿场效应晶体管能够增加载流子的隧穿效率，从而提高互补隧穿场效应晶体管的性能。该晶体管包括：设置于衬底上的第一漏区和第一源区，第一漏区和第一...
杨喜超赵静张臣雄
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隧穿场效应晶体管及其制备方法
一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，包括：衬底层(1)；形成于衬底层上表面的矩形半导体条(2)，矩形半导体条沿第一方向依次设置有第一源区(201)、第一沟道区(204)、漏区(203)、第二沟道区(205)及第二源区(20...
赵静张臣雄
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