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邢卉

作品数：23 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇中文专利

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 13篇光刻
  • 9篇掩模
  • 9篇刻蚀
  • 7篇湿法腐蚀
  • 7篇膜层
  • 5篇线宽
  • 5篇离子束
  • 5篇纳米光刻
  • 5篇干法刻蚀
  • 4篇膜厚
  • 4篇膜料
  • 4篇基片
  • 4篇光刻技术
  • 4篇光刻胶
  • 4篇复合膜
  • 4篇复合膜层
  • 4篇超分辨
  • 3篇氢氟酸
  • 3篇高深宽比
  • 2篇调焦

机构

  • 23篇中国科学院

作者

  • 23篇王长涛
  • 23篇罗先刚
  • 23篇邢卉
  • 22篇刘尧
  • 19篇刘玲
  • 18篇潘丽
  • 16篇刘凯鹏
  • 14篇冯沁
  • 14篇方亮
  • 2篇崔建华
  • 2篇陈旭南
  • 2篇赵泽宇
  • 2篇赖之安
  • 2篇杨欢
  • 2篇甘大春

年份

  • 4篇2012
  • 8篇2011
  • 10篇2010
  • 1篇2009
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种制备多层浮雕结构复合膜层的方法
一种制备多层浮雕结构复合膜层的方法，其特征在于：在掩模上加工出可供沉积粒子通过的狭缝；在膜料沉积过程中移动掩模狭缝，使沉积区域在基片上移动；通过控制基片各个区域的沉积时间来控制各区域沉积的膜厚，从而对膜层的厚度分布进行调...
罗先刚王长涛冯沁刘凯鹏刘玲潘丽刘尧邢卉方亮
一种超分辨i线光刻装置
一种超分辨i线光刻装置，包含分离式曝光系统、自净化空气过滤系统以及气控弹性掩膜变形系统；曝光系统采用i线汞灯光源，且光源与匀光照明系统分离，两部分间光能传输通过光纤实现；气控弹性掩膜变形系统中，通过微气泵来改变气压大小使...
罗先刚王长涛陈旭南甘大春刘尧赵泽宇方亮邢卉崔建华
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一种利用阴影蒸镀和湿法腐蚀来制备半圆柱形沟槽的方法
一种利用阴影蒸镀和湿法腐蚀来制备半圆柱形沟槽的方法，包括：采用常规技术在衬底上沉积掩蔽膜层，在掩蔽膜层上涂布光刻胶；采用光刻技术在光刻胶上制备线条结构；以一定角度进行倾斜蒸镀，在每条光刻胶线条边缘外形成一条一定宽度的没有...
罗先刚刘凯鹏王长涛潘丽刘玲刘尧邢卉
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一种用于200nm以下线宽超衍射光刻的硅掩模及其制作方法
一种用于200nm以下线宽超衍射光刻的硅掩模及其制作方法，该掩模由紫外透明材料基片上的硅膜作为图形层。其制作方法是：首先在基片上加工一定厚度的硅膜，使其对紫外光的透过率在5％以内；然后在硅膜表面加工一层薄的铬膜；利用聚焦...
方亮王长涛罗先刚潘丽刘尧刘玲邢卉刘凯鹏
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一种利用显微镜测量自撑膜的弹性变形量的方法
一种利用显微镜测量自撑膜弹性变形量的方法，属于薄膜性能测量领域。其特征在于以下步骤：(1)选择基片材料，并在其上制作有机膜；(2)在有机膜材料上面制作金属膜层以及光栅做为标记图形；(3)于基片另一面进行湿法腐蚀，仅留下有...
邢卉王长涛罗先刚潘丽方亮刘尧刘玲刘凯鹏
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基于移动编码掩模原理制备多层浮雕结构复合膜层的方法
一种基于移动编码掩模原理制备多层浮雕结构复合膜层的方法，其特征在于：由所制备膜层的厚度分布函数得到对应的掩模开孔函数，确定掩模开孔的形状和几何尺寸；沿掩模移动方向，在掩模上周期性地制备出此开孔；在膜料沉积过程中移动掩模，...
刘凯鹏王长涛罗先刚冯沁刘尧刘玲方亮邢卉潘丽
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一种纳光子直写头精密旋转定位调焦系统
一种纳光子直写头精密旋转定位调焦系统，属于直写光刻设备领域，(1)直写头调节装置可以进行纳米级Z向移动；(2)直写头调节装置可以进行0～90°转动；(3)基片台可以进行高速转动；(4)直写头悬臂具有一定弹性变形量；(5)...
邢卉罗先刚王长涛冯沁刘尧赖之安杨欢
一种利用两次膜层沉积和湿法腐蚀制备半圆柱形微细沟槽的方法
一种利用两次膜层沉积和湿法腐蚀制备半圆柱形微细沟槽的方法步骤为：采用常规技术在石英衬底上沉积膜层，在膜层上涂布光刻胶，进行光刻、显影、坚模；利用光刻胶图形作掩蔽和湿法腐蚀各向同性的特点，使用腐蚀液刻蚀掉光刻胶图形边缘下方...
刘玲王长涛罗先刚冯沁刘尧刘凯鹏邢卉潘丽
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一种用于高深宽比纳米图形加工的反射式表面等离子体成像光刻方法
一种用于高深宽比纳米图形加工的反射式表面等离子体成像光刻方法，是采用光刻胶-银膜一光刻胶的三层膜层结构基片，纳米掩模图形面与基片表层光刻胶接触曝光。银膜功能是通过紫外照明光，将铬膜上的线宽尺度在20nm～500nm的图形...
罗先刚王长涛冯沁邢卉潘丽刘尧方亮刘玲
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一种用于高深宽比纳米图形加工的表面等离子体成像光刻方法
一种用于高深宽比纳米图形加工的表面等离子体成像光刻方法，该方法是利用表面等离子体成像光刻复合掩模和加工有三层光刻胶结构的基片接触曝光，通过显影，实现纳米尺度线宽的图形成像光刻在厚度很薄的表层光刻胶膜层上，进一步通过两步刻...
罗先刚王长涛冯沁潘丽刘尧方亮刘玲邢卉
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