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邵贝羚

作品数:84 被引量:98H指数:5
供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家科技部专项基金更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

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作者

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传媒

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  • 5篇1998
  • 5篇1997
  • 6篇1996
  • 1篇1995
  • 5篇1994
  • 3篇1993
  • 2篇1992
  • 1篇1991
84 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
超高压电子显微镜改造
屠海令刘安生孙继光邵贝羚张希顺等
被改造的高压电子显微镜(1000千伏)是20世纪70年代产品,其性能指标、应用范围较目前最新产品都有较大的差距。该项目仅用不到新型高压电镜价格十分之一的经费,对这台电镜进行了升级改造。其主要内容为:1)扩展了电镜的原位动...
关键词:
siCp/Al复合材料的组织与断口分析被引量:6
1992年
对国内外以铸造法制备的碳化硅颗粒增强铝(SiCp/Al)复合材料的组织与断口进行了观测和对比分析。低倍观测结果表明,在两种复合材料中碳化硅颗粒的分布都较均匀,无严重团聚现象。在高倍下发现碳化硅颗粒优先分布在晶界附近,形成“晶界花边”。SiCp/Al复合材料断口上肉眼可见的亮点可能是铸造孔洞的反映。
曹利王传英邵贝羚石力开
关键词:碳化硅金属复合材料
喷涂硬质合金界面的研究被引量:6
1997年
利用电子显微镜观察和研究了超音速喷涂WCCo/弹簧钢界面的微结构特征。发现超音速喷涂使WCCo涂层具有纳米微晶γ粘结相包埋WC粒子的微观结构,在基体一侧有约2μm厚的钨原子扩散层,说明超音速喷涂的涂层与基体间不只是一种机械结合,还有相互间的原子运动。
邵贝羚刘安生王晓华李永洪邹林瑛张建国施昌勇周贻茹
关键词:超音速火焰喷涂硬质合金喷涂
红外探测器微结构的HREM观察被引量:1
1999年
采用定位横断面制样的高分辨电子显微技术(HREM)观察了P+ -Si0.65Ge0.35/P-Si异质结内光发射红外探测器的微结构.该器件光敏区是由3 层P+ -Si0.65Ge0.35和2 层UD-Si(未掺杂硅)组成,Si0.65Ge0.35/UD-Si层间界面不明锐,有一个由于Ge 原子不均匀扩散造成的过渡带.这个过渡带缓和了界面的失配应力,因而未观察到界面晶体缺陷和严重的晶格畸变.在光敏区边缘有呈倒三角形的缺陷区,缺陷的主要类型为层错和微孪晶.层错在(1 11)面上,而微孪晶的厚度约为2~4晶面间距,其孪晶面为(1 11).非晶SiO2 台阶上的Si0.65Ge0.35和UD-Si层由随机形核生长的多晶组成。
刘峥邵贝羚刘安生王敬王瑞忠钱佩信
关键词:红外探测器微结构HREM
SiCp/Al复合材料界面的研究
王传英曹利邵贝羚
关键词:金刚砂铝合金金属复合材料微粒增强复合材料
红外探测器中的异质界面和缺陷的研究
2000年
刘安生邵贝羚安生刘峥王敬
关键词:红外探测器
超音速喷涂WC—Co/45^#钢的剪切强度及断口分析被引量:1
1996年
测定了超音速喷涂WC-Co/45#(或弹黄钢)的界面剪切强度。断口分析表明剪切断裂发生在45#钢基体和涂层的界面上。WC-Co涂层主要由细小的WC相、块状含铁相和分布均匀的钴相组成。在WC-Co/45#钢界面层中,块状含铁相是α-Fe和马氏体。
刘安生王晓华邵贝羚邹林瑛常世安李永洪张建国施昌勇周贻茹
关键词:超音速喷涂剪切强度弹簧钢
凹面磨坑机样品台的改造
1993年
在利用电子显微镜进行陶瓷,半导体等材料(包括横断面)的研究工作中,使用凹面磨坑机配合离子减薄仪,制备电镜样品,可以大大缩短制样时间,而且能得到高质量的电镜样品。一般电镜试样制备时,首先将块状样品用金刚石锯或机械方法切成厚度为200~300μm的薄片,然后,将薄片用胶或腊粘在玻璃片或金属托盘上,用氧化铝或金刚石磨料在平玻璃板上磨到100μm左右,将这样的试样用超声波钻切成Φ3mm的圆形薄片,放入离子减薄仪中减薄,上述的样品一般需减薄20~25小时以上。如果将上述磨好的试样,在放入离子减薄仪之前,用凹面磨坑机,在100μm厚的试样上,磨出凹坑,其坑的底部剩余厚度为20~30μ,如图1所示,对于硬试样。
王锋邵贝羚
关键词:电子显微镜
高压制备汞系高温超导体中的非超导相
邵贝羚宿延京
关键词:超导体晶体取向相结构
定域再结晶SOI的透射电镜研究
1995年
高频感应石墨条加热快速区熔再结晶工艺制备的无籽晶热沉积结构(Heat-SinkStruc-ture)SOI(SilicononInsulator)硅薄膜具有[100]取向,其缺陷被限制在厚SiO2层上的硅膜中,使薄的SiO2层上的硅膜成为无缺陷单晶区,宽度可达50μm以上,在缺陷聚集区观察到的缺陷主要是小角度晶界,绝大多数晶界的取向差都在3°之内.其类型多为混合型晶界,也观察到少量的扭转型和倾斜型晶界.缺陷聚集区中的位错或位错网络的走向是各种各样的,但其位错的柏氏矢量.
刘安生邵贝羚李永洪刘峥张鹏飞钱佩信
关键词:SOI再结晶透射电镜硅薄膜
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