郑国珍
- 作品数：49 被引量：79H指数：5
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 碲镉汞半导体电子输运及相关性质研究
- 郑国珍褚君浩郭少令汤定
- 该项成果系统地从实验和理论上研究了ＨｇＣｄＴｅ电子输运的基本物理量，建立了利用材料霍年系数、电阻率测量以及磁阻振荡包括ＳｄＨ效应和磁声子共振等量子输运方法，评价ＨｇＣｄＴｅ材料性能的规范，进而研究了ＨｇＣｄＴｅ中的施主冻...
- 关键词：
- 关键词：电子输运红外探测器碲合金半导体材料
- 掺氮类金刚石薄膜的微观结构和红外光学性能研究被引量：10
- 2001年
- 采用俄歇电子能谱、原子力显微镜、拉曼散射分析、傅里叶红外光谱和红外椭圆偏振光谱等设备 ,对射频等离子增强化学气相沉积法制备的掺氮类金刚石薄膜的微观结构和红外光学性能进行了研究 .结果表明 ,薄膜中氮含量随工艺中氮气 /甲烷流量比的增加而增加并趋于饱和 .光谱中 CH键吸收峰 (2 85 9～ 310 0 cm- 1 )逐渐消失 ,而且 CNH键(16 0 0 cm- 1 )、C≡ N键 (2 2 0 0 cm- 1 )和 NH键 (32 5 0 cm- 1 )对应的红外吸收峰强度随氮含量的增加而增加 .拉曼散射中G峰向小波数方向位移和峰值展宽的现象说明薄膜中形成了非晶的氮化碳结构 ,与原子力显微镜显示的薄膜中富氮的非晶纳米颗粒相对应 .偏振光谱分析认为 ,富氮纳米颗粒的存在导致了薄膜在红外波段折射率由 1.8降低到 1.
- 居建华夏义本张伟丽王林军史为民黄志明李志锋郑国珍汤定元
- 关键词：掺氮类金刚石薄膜微观结构化学沉积
- 低补偿度n－Hg_（1－x）Cd_xTe的弱局域效应被引量：1
- 1995年
- 本文在多次实验中选择的低补偿度ｎ－Ｈｇ１—ｘＣｄｘＴｅ样品上测量了０—１０ｍＴ弱磁场范围的横向磁阻和纵向磁阻，观测到了三维电子系统中弱局域导致的负磁阻修正效应．初步讨论了样品尺寸、磁场与电流的相对取向以及温度对弱局域效应的影响．
- 韦亚一郑国珍沈金熙沈杰郭少令汤定元
- 关键词：电学性质
- 碲镉汞小晶片中缺陷的X射线形貌相检测被引量：3
- 1993年
- 用X射线劳厄透射形貌术拍摄了用于制备多元线列探测器的碲镉汞小晶片的形貌相,观察到在碲镉汞小晶片中存在的各种晶体缺陷,如晶格扭曲、亚晶块、滑移线和其它缺陷。结合晶片扭曲和滑移的模型,分析了小晶片的受力状况。实验表明,在普通的X射线光源上,用劳厄透射形貌术能以20μm的分辨率无损检测用于制备多元线列探测器的碲镉汞小晶片中的晶体缺陷;在不良的器件工艺中,小晶片的晶格会受到明显的损伤,严重地影响了小晶片的电学参数和多元线列探测器的性能。
- 蔡毅郑国珍汤定元
- 关键词：晶体缺陷
- ZnSe多量子阱横向磁阻的无接触测量被引量：1
- 1999年
- 用微波无接触法测量了ＺｎＳｅ 外延层和两种ＺｎＳｅ 多量子阱样品的横向磁阻，在低磁场时，这三种样品都表现为负磁阻，并且也可以用Ｋｈｏｓｌａ 和Ｆｉｓｃｈｅｒ 的半经验表示式进行拟合，实验还发现了在两层ＺｎＳｅ 超晶格之间的Ｚｎ＋ Ｇａ
- 王宗欣褚幼令胡古今郑国珍
- 关键词：多量子阱硒化锌
- n-HgCdTe表面积累层中子带电子迁移率的研究被引量：2
- 1998年
- 利用定量迁移率谱技术，通过研究霍尔系数和电阻率与磁场强度的关系，获得了ｎＨｇＣｄＴｅ器件表面积累层中子带电子的浓度和迁移率随温度的变化趋势．由定量迁移率谱得到的结果与ＳｈｕｂｎｉｋｏｖｄｅＨａｓ测量结果以及理论计算的结果非常符合．
- 桂永胜褚君浩蔡毅蔡毅郑国珍
- 关键词：电子迁移率
- 高温区Hg_（1－x）Cd_xTe光导器件的温度－电阻关系被引量：2
- 1996年
- 在２００～３００Ｋ范围内测量了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ的电学参数，并推导了载流子浓度、迁移率、电阻和组分的关系表达式，所得结果与红外光谱测量数据符合．利用ＨｇＣｄＴｅ光导器件的电阻－温度特性确定组分，不需要电阻的精确值。
- 桂永胜蔡毅郑国珍褚君浩郭少令汤定元
- 关键词：HGCDTE光导探测器红外探测
- 简单的IEEE—488只听设备接口卡
- 1993年
- 介绍一种比较简单的IEEE—488只听设备接口卡以提供双8位数字输出。用此接口卡可取代7081数字电表的MINATE接口,亦可为只听仪表提供IEEE—488通用设备接口。
- 沈金熙郑国珍郭少令
- 关键词：通用接口母线接口设备
- Siδ掺杂GaAs多量子阱的磁量子输运
- 1994年
- 使用ＭＢＥ技术低温生长了含有３个Ｓｉδ掺杂层的ＧａＡｓ外延片，形成三量子阶结构．在４．２～３００Ｋ温区０．１Ｔ的电磁铁上测量了样品载流子浓度和迁移率随温度的变化．在０．３～４．２Ｋ（３Ｈｅ温区）和０～７Ｔ强磁场下测量了样品的横向磁阻、纵向磁阻和霍尔电阻．观察到了横向磁阻的ＳｄＨ振荡和纵向磁阻的抗磁ＳｄＨ振荡．根据实验结果着重讨论了纵向磁阻振荡的起源以及霍尔振荡的含义，简单分析了δ掺杂二维电子气中磁致金属一绝缘体转变的实验条件．
- 韦亚一郑国珍郭少令汤定元彭正夫张允强
- 关键词：多量子阱砷化镓
- Hg_(1-x)Cd_xTe的输运行为研究
- 1999年
- 简要介绍本实验室关于Ｈｇ(１－ｘ)ＣｄxＴｅ的经典输运和量子输运行为的研究。
- 郑国珍
- 关键词：碲镉汞量子输运
