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金银锁

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：长春理工大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇晶体
  • 3篇激光
  • 3篇激光晶体
  • 3篇激光器
  • 3篇光电
  • 3篇光电子
  • 3篇光电子材料
  • 2篇生长温度
  • 2篇离子
  • 2篇离子半径
  • 2篇晶系
  • 2篇固体激光
  • 2篇固体激光器
  • 1篇双掺
  • 1篇激光器件
  • 1篇光器件
  • 1篇铥
  • 1篇镓

机构

  • 3篇长春理工大学

作者

  • 3篇曾繁明
  • 3篇张莹
  • 3篇李春
  • 3篇林海
  • 3篇秦杰明
  • 3篇刘景和
  • 3篇金银锁
  • 3篇张学建
  • 2篇董仲伟
  • 2篇董国飞

年份

  • 1篇2012
  • 2篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法
掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法，属于光电子材料技术领域。现有掺铒氟化钇锂晶体因离子半径匹配方面的原因，掺杂浓度低；在生长这种晶体的过程中，由于氟化钇锂熔点高，原料挥发严重，难以生长出大尺寸的晶体。本发明之掺铒氟化钆锂晶体属...
刘景和李春曾繁明张学建张莹林海金银锁秦杰明董仲伟董国飞
文献传递
钬铥双掺镓酸钆激光晶体
钬铥双掺镓酸钆激光晶体属于光电子材料领域。现有技术中掺有稀土激活离子的的复合钨酸盐、稀土钒酸盐、铝酸盐或者氟化物受其组成、结构等方面因素所限，或此或彼地存在晶体生长周期长、生长温度高、生长困难、成晶率、晶体尺寸小等问题。...
刘景和张莹曾繁明张学建李春林海金银锁秦杰明
文献传递
掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法
掺铒氟化钆锂晶体及其生长方法，属于光电子材料技术领域。现有掺铒氟化钇锂晶体因离子半径匹配方面的原因，掺杂浓度低；在生长这种晶体的过程中，由于氟化钇锂熔点高，原料挥发严重，难以生长出大尺寸的晶体。本发明之掺铒氟化钆锂晶体属...
刘景和李春曾繁明张学建张莹林海金银锁秦杰明董仲伟董国飞
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