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陆晟: 作品数：33 被引量：45H指数：5; 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目更多>>; 相关领域：理学化学工程核科学技术更多>>

合作作者

氟离子掺杂氯化镧铈闪烁材料: 本发明涉及氟离子掺杂氯化镧铈闪烁材料及其应用，属于闪烁材料领域。本发明组成为CexLaCl3(1－x)F3x或MxCey<...; 任国浩裴钰陈晓峰沈勇李中波陆晟; 文献传递

Lu2SiO5:Ce晶体生长中存在的主要问题: LSO晶体是90年代发现的一种新型闪烁材料,该晶体因密度大,光输出高和衰减时间短而成为闪烁晶体中的佼佼者。本实验采用质量比为m(LuO):m(SiO)=1:1的配料,以CeO中的Ce离子为激活剂,掺杂浓度为0.2%～0....; 任国浩李焕英陆晟秦来顺; 文献传递

LuxY1-xAlO3：Ce晶体中伴生(Lu，Y)3Al5O12：Ce相成因研究被引量：1: 2008年; 采用提拉法制备了Lu_xY_(1-x)AlO_3:Ce晶体样品,通过XRD物相分析和成分分析,并结合Lu_2O_3- Al_2O_3二元体系相图以及Lu_xY_(1-x)AlO_3:Ce结构稳定性方面的分析与讨论,结果表明:随着熔体中Lu元素含量的增加,熔体分层加剧,析晶Lu_xY_(1-x)AlO_3:Ce相的熔体组成区间将向富Lu一侧偏移,这使得晶体上部易伴生(Lu,Y)_3Al_5O_(12):Ce相;而随着Lu元素含量的提高,Lu_xY_(1-x)AlO_3:Ce晶体的热稳定性降低,氧空位的存在则使晶体的热稳定性进一步降低,在接种过程中籽晶表面易发生相分解反应生成(Lu,Y)_3Al_5O_(12):Ce和(Lu,Y)_4Al_2O_9:Ce,籽晶表面相分解产物(Lu,Y)_3Al_5O_(12):Ce提供了诱导析晶(Lu,Y)_3Al_5O_(12):Ce相所需的晶核,这使得晶体的外表面处易伴生(Lu,Y)_3Al_5O_(12):Ce相.调整配料组成使n((Lu,Y)_2O_3):n(Al_2O_3)=1.17～1.00,加大熔体内部和固液界面处的温度梯度以改善熔体对流,抑制熔体分层以及籽晶表面处的相分解等有助于高Lu元素含量Lu_xY_(1-x)AlO_3:Ce晶体的获得.; 丁栋舟陆晟潘尚可张卫东王广东任国浩; 关键词：钙钛矿石榴石伴生

中子探测闪烁晶体Ce:Li6Gd(BO3)3的提拉法生长研究: Ce:Li6Gd(BO3)3晶体是一种新型中子探测闪烁晶体,该晶体因同时含有Li、B和Gd等三种元素且探测效率高引起了研究者的广泛兴趣[1,2]。; 潘尚可杨帆丁栋舟陆晟张卫东任国浩; 文献传递

硅酸镥闪烁晶体的生长与缺陷研究被引量：7: 2004年; 本文采用提拉法生长出了硅酸镥闪烁晶体 ,讨论了晶体生长中遇到的问题 ,所生长的硅酸镥晶体有开裂、解理、多晶、回熔现象等宏观生长缺陷和包裹物、位错等微观缺陷。开裂是由热应力和晶体解理两种因素引起的 ,其中热应力是导致开裂的主要因素 ,优化生长工艺条件可完全避免开裂。晶体中存在两种包裹物 ,成份分别为氧化镥和坩埚材料铱 ,氧化镥很可能是未参加反应的原料。; 秦来顺陆晟李焕英史宏声任国浩; 关键词：闪烁晶体包裹物提拉法解理位错硅酸

硅酸镥闪烁晶体的生长与缺陷研究: 90年代初Melcher等首次使用提拉法生长出硅酸镥(LuSiO:Ce)晶体,发现其闪烁性能极其优秀,非常适合用于高性能核医学正电子湮没断层扫描成像技术(PET)探测器材料,引起了闪烁晶体界高度重视,对其闪烁性能和发光机...; 秦来顺任国浩史宏声李焕英陆晟; 文献传递

非真空坩埚下降法生长CsI(Tl)晶体的闪烁性能被引量：1: 2006年; 研究了用非真空铂坩埚下降法生长的CsI(Tl)晶体的在紫外和γ射线激发下的光致发光和光衰减特征,探索了CsI(Tl)晶体的发光强度和发光不均匀性与Tl离子含量和分布之间的关系以及改善晶体发光均匀性的措施。并对CsI(Tl)晶体在γ射线辐照下光输出随积分时间和辐照剂量的变化做了分析和讨论。实验表明,用这种方法所生长的CsI(Tl)晶体的发射波长、衰减时间和辐照硬度与其他方法生长的同类晶体相同。; 任国浩陈晓峰薛炫萍李中波沈勇陆晟; 关键词：CSI(TL)晶体光输出非均匀性

一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法: 本发明是涉及一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法。其特征在于使用高纯含结晶水的LaCl3原料，并在保持流动的惰性气氛中和不低于150℃的温度下保温10-20小时，获得无水氯化镧原料脱水。同时选择...; 任国浩裴钰陈晓峰李中波陆晟沈勇; 文献传递

退火对提拉法生长Lu_2Si_2O_7∶Ce晶体闪烁性能的影响被引量：2: 2009年; Lu2Si2O7:Ce(LPS:Ce)表现出较高的光输出,平均值约26000photons/MeV(简写为ph/MeV),但通过提拉法获得的晶体发光效率很低.实验对LPS:Ce晶体进行了不同气氛下的退火,研究退火条件对LPS:Ce的发光效率等闪烁性能的影响.发现在Ar气氛下退火对LPS:Ce发光效率的提高没有作用,在空气气氛下退火后可显著提高LPS:Ce的发光效率.通过不同退火工艺的比较,确定了提高LPS:Ce发光效率的最佳退火制度:空气气氛下,退火温度1400℃,退火时间根据样品的大小决定,样品越大,需要的退火时间越长.同时讨论了退火过程中,LPS:Ce吸收谱和UV-ray激发发射谱的变化趋势.; 冯鹤丁栋舟李焕英陆晟潘尚可陈晓峰张卫东任国浩; 关键词：退火制度吸收谱发射光谱

新型闪烁晶体Ce掺杂焦硅酸钇(YPS：Ce)的闪烁与热释光性能被引量：4: 2010年; 通过区熔法获得了铈掺杂焦硅酸钇闪烁单晶(Y_2Si_2O_7:Ce^(3+),简写为YPS),并对其闪烁与热释光性能进行了研究.对YPS:Ce闪烁晶体的透过、光输出和光衰减等光学和闪烁性能进行了表征,并对其综合性能进行了评价.其衰减时间为30.16ns,为目前铈掺杂焦硅酸盐闪烁晶体中最快的.并采用热释光测试技术,对YPS:Ce晶体中的缺陷进行了研究,发现在300～500K温度区间内一共有三个热释光峰,分别对应于三个缺陷,通过对二维(温度-光强)的拟合,确定了这三种缺陷的陷阱深度、振动频率等物理参数.并结合三维(温度-波长-光强)热释光谱,提出了YPS:Ce的热释光模型.; 冯鹤丁栋舟李焕英杨帆陆晟潘尚可陈晓峰张卫东任国浩; 关键词：热释光