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陈南庭
作品数:
25
被引量:4
H指数:1
供职机构:
电子科技大学
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发文基金:
广东省战略性新兴产业专项
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
电气工程
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合作作者
杜江锋
电子科技大学
于奇
电子科技大学
潘沛霖
电子科技大学
刘东
电子科技大学
王向展
电子科技大学微电子与固体电子学...
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机构
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专用集成电路...
作者
25篇
陈南庭
20篇
于奇
20篇
杜江锋
18篇
潘沛霖
12篇
刘东
3篇
王向展
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欧文
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黄建国
2篇
尹成功
2篇
黄思霓
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严慧
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刘斌
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赵迪
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罗杰
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黄建国
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王康
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赵迪
传媒
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2014`全...
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2018
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2017
4篇
2015
10篇
2014
1篇
2013
共
25
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大功率LED模组
本发明涉及LED模组技术。本发明解决了现有大功率LED模组中,由于功率集中和温度场的叠加效应而引起基板中心温度过高问题,提供了一种大功率LED模组,其技术方案可概括为:大功率LED模组,包括散热基板及多个发光芯片,每个发...
王向展
邹淅
黄建国
赵迪
陈南庭
欧文
张衡明
文献传递
一种具有负离子注入钝化层的场效应晶体管
本发明公开了一种具有负离子注入钝化层的场效应晶体管,从下至上依次主要由衬底,氮化镓缓冲层,氮化镓沟道层,铝镓氮势垒层以及钝化层组成,在势垒层上形成与势垒层成欧姆接触的源极、漏极以及与势垒层成肖特基接触的栅极。本发明在栅极...
杜江锋
潘沛霖
陈南庭
王康
于奇
文献传递
一种具有复合钝化层结构的场效应晶体管
本发明公开了一种具有复合钝化层的场效应晶体管,从下至上依次主要由衬底,氮化镓缓冲层,氮化镓沟道层,铝镓氮势垒层以及在势垒层上形成有源极、漏极,源极及漏极与势垒层形成欧姆接触,在器件表面覆盖有一层钝化层。在栅极与漏极之间的...
杜江锋
陈南庭
潘沛霖
白智元
刘东
于奇
文献传递
一种具有P型GaN岛的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明公开了一种具有P型GaN岛的垂直氮化镓基异质结场效应晶体管,包括AlGaN势垒层,所述AlGaN势垒层上部设有源极和栅极,下部依次为GaN沟道层、p-GaN电流阻挡层、n-GaN缓冲层、n<Sup>+</Sup>-...
杜江锋
刘东
陈南庭
潘沛霖
于奇
具有埋栅结构的氮化镓基增强耗尽型异质结场效应晶体管
本发明公开了具有埋栅结构的氮化镓基增强耗尽型异质结场效应晶体管,从下至上依次主要由衬底,铝铟镓氮缓冲层,埋栅,埋栅介质层,氮化镓沟道层,铝铟镓氮势垒层,栅介质层,铝铟镓氮势垒层上的源极和漏极,栅介质层上的栅极组成,所述源...
杜江锋
潘沛霖
陈南庭
于奇
文献传递
一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管
本发明涉及一种具有复合金属栅的氮化镓基高电子迁移率晶体管,包括衬底、氮化镓缓冲层、氮化铝插入层、铝铟镓氮势垒层、以及铝铟镓氮势垒层上的源极、漏极和栅极;其中源极和漏极与铝铟镓氮势垒层形成欧姆接触,栅极与铝铟镓氮势垒层形成...
杜江锋
严慧
刘斌
尹成功
黄思霓
罗杰
白智元
陈南庭
于奇
一种具有复合势垒层的氮化镓基异质结场效应管
本发明公开了一种具有复合势垒层的氮化镓基异质结场效应晶体管。本发明的器件中复合势垒层由高低不同极化强度铝铟镓氮材料组成,当低极化强度铝铟镓氮势垒层位于栅极漏端,使这部分势垒层下方沟道的二维电子气(2DEG)密度小于沟道漏...
杜江锋
潘沛霖
陈南庭
刘东
于奇
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具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有氮化镓基异质结场效应晶体管耐压不高的问题,提供了一种具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管,其技术方案可概括为:与现有的普通GaN HFET(氮化镓基异质结场效应晶体管)相比,...
杜江锋
陈南庭
潘沛霖
刘东
于奇
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具有复合沟道层的氮化镓基增强型异质结场效应晶体管
本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有氮化镓基异质结场效应晶体管为耗尽型器件,而没有一种相对可靠的增强型器件的问题,提供了一种具有复合沟道层的氮化镓基增强型异质结场效应晶体管,其技术方案可概括为:与现有的GaN MIS-...
杜江锋
潘沛霖
陈南庭
刘东
于奇
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一种具有电偶极层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
本发明公开了一种具有电偶极层结构的氮化镓基异质结场效应晶体管,其结构从下至上依次主要由衬底,氮化镓缓冲层,氮化镓沟道层,势垒层以及在势垒层上形成有源极、漏极,在器件表面有淀积一层钝化层,并且在钝化层中引入电偶极层以调制沟...
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陈南庭
潘沛霖
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