陈懂
- 作品数：3 被引量：9H指数：2
- 供职机构：福州大学化学化工学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
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- HgGa2X4晶体材料电子结构和光学性质的理论研究
- 陈懂周和根陈虹章永凡
- 黄铜矿型半导体材料CuAlX_2(X=S,Se,Te)的电子结构和光学性质被引量：6
- 2011年
- 采用基于赝势平面波基组的密度泛函理论方法,研究具有黄铜矿结构的CuAlX2(X=S,Se,Te)晶体的电子结构,并预测了它们的线性和非线性光学性质.结果表明:这些化合物具有相似的能带结构,带隙随X原子从S→Se→Te依次减小.三种晶体的静态介电常数、静态折射率和静态倍频系数d36的变化情况与带隙的变化相反,随着X原子自S→Se→Te改变依次递增,但静态双折射率依次递减.该系列化合物的倍频效应主要来源于价带顶附近的占据能带向以Al和X原子的p电子态为主要成分的空带之间的跃迁.在三种晶体中,CuAlTe2除静态双折射率偏小外,其它光学性能要优于CuAlS2和CuAlSe2.
- 周和根陈虹陈懂李奕丁开宁黄昕章永凡
- 关键词：电子结构光学性质黄铜矿
- 半导体材料AAl^2C4(A=Zn，Cd，Hg；C=S，Se)的电子结构和光学性质被引量：3
- 2012年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法，对具有缺陷型黄铜矿结构的半导体材料A^ⅡA12C^Ⅵ（A=Zn，Cd，Hg；C=S，Se）的构型和电子结构进行研究，并系统考察了各晶体的光学性质．对于线性光学性质，五种晶体在红外区和部分可见光区具有良好的透光性能，其中HgAl2S4和HgAl2Se4晶体具有适中的双折射率．在非线性光学性质方面，该类晶体倍频效应较强，理论预测得到的二阶静态倍频系数均较大（〉20pm／V）．体系的倍频效应主要来源于价带顶附近以S／Se价P轨道为主要成分的能带向含有较多A1／Hg价P成分的空带之间的跃迁．通过与已商业化的AgGaCz晶体光学性质的对比，结果表明HgAl2S4和HgAl2Se4是一类性能优良的红外非线性光学晶体材料．
- 陈懂肖河阳加伟陈虹周和根李奕丁开宁章永凡
- 关键词：密度泛函理论光学性质
