陈永远
- 作品数：3 被引量：9H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料的ICP刻蚀被引量：5
- 2013年
- 分别采用Cl2/Ar和SiCl4/Ar作为刻蚀气体对InAs/GaSb二类超晶格红外探测材料进行ICP(Inductively Couple Plasma)刻蚀。结果表明,两种刻蚀气体的刻蚀深度与刻蚀时间都呈线性关系;在2 mTorr气压下,RF功率为50 W,SiCl4流量为3 sccm,Ar为9 sccm时,刻蚀速率为100 nm/min,且与材料的掺杂浓度无关。实验还表明,SiCl4/Ar作为刻蚀气体时,Ar流量在很大范围内对刻蚀速率没用明显影响,但Ar的流量越大,刻蚀的均匀性越好;用Cl2/Ar作为刻蚀气体时,刻蚀速率也是100 nm/min,但Ar流量对刻蚀速率有影响:当Ar流量小于3 sccm时,刻蚀速率随Ar流量的减小而明显降低。
- 陈永远邓军史衍丽苗霈杨利鹏
- 关键词：ICP刻蚀GASBARCL2AR
- 垂直腔面发射激光器DBR的优化设计被引量：4
- 2013年
- 模拟分析了垂直腔面发射激光器分布布拉格反射镜铝组分不同分布对价带的影响,并对两种不同结构的器件进行了测试,测试结果表明抛物线渐变结构可以有效降低价带的势垒,进而可以改善垂直腔面发射激光器的电流热效应,为实现室温连续工作打下基础。
- 李鹏飞邓军陈永远杨立鹏吴波徐晨
- InAs/GaSbⅡ超晶格中波红外探测器
- InAs/GaSbⅡ超晶格红外探测器是一种极具潜力的新型红外探测器，到目前为止，InAs/GaSbⅡ超晶格红外探测器是唯一的理论上探测率超过了碲镉汞材料的红外探测器件。与传统的碲镉汞材料和量子阱结构的红外探测器相比，In...
- 陈永远
- 关键词：光电特性光谱响应
