陈裕斌
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术电子电信更多>>
- 基于锗硅异质纳米结构的非挥发浮栅存储器的制备方法
- 基于锗硅异质纳米结构的半导体非挥发性浮栅存储器，包括：半导体衬底；在半导体衬底中设有掺杂形成的源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方设有氧化形成隧穿氧化层；设有控制栅介电层和栅电极；在隧穿氧化层上是渐变锗硅异质纳米结构即晶...
- 施毅闾锦陈裕斌左正濮林张荣韩平顾书林郑有炓
- 文献传递
- 基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性
- 2008年
- 利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容-电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这是由于渐变锗硅异质纳米晶中Ge的价带高于Si的价带形成了复合势垒,空穴有效地存储在复合势垒的Ge的一侧.
- 闾锦陈裕斌左正施毅濮林郑有炓
- 关键词：电容-电压特性自组织生长
- 基于锗硅异质纳米结构的非挥发浮栅存储器及制备方法
- 基于锗硅异质纳米结构的半导体非挥发性浮栅存储器，包括：半导体衬底；在半导体衬底中设有掺杂形成的源极和漏极，在源漏极间的沟道层正上方设有氧化形成隧穿氧化层；设有控制栅介电层和栅电极；在隧穿氧化层上是渐变锗硅异质纳米结构即晶...
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- 文献传递
- 非挥发浮栅存储器用PtAu纳米颗粒单层膜的制备
- 2008年
- 将Langmuir-Blodgett(LB)膜等化学方法应用于非挥发浮栅存储器制备工艺中.采用反相微乳液方法合成的分散良好的PtAu纳米颗粒粒径约为5 nm,并应用LB膜方法在存储器隧穿氧化层上制备了PtAu纳米颗粒的单层膜.采用SEM对LB膜的表面形貌进行观测,研究了表面压对成膜质量的影响,结果表明在表面压为15 mN/m时可获得密度为1011cm-2均匀分布的PtAu纳米颗粒单层二维阵列,可应用于非挥发性金属纳米颗粒浮栅存储器,并成功拓展了LB膜等化学方法的应用范围.
- 闾锦陈裕斌潘力佳濮林施毅郑有炓
- 关键词：反相微乳液LB膜
- 闪存的纳米晶浮栅材料制备和性能研究
- 闪存是目前应用最为广泛的非易失性存储器之一。近年来，在市场需求和技术革新的双重驱动下闪存技术得到迅猛发展。然而闪存技术的发展仍面临着如何实现高速，高集成密度，高可靠性，低功耗以及低工作电压的巨大挑战。本文的主要工作从闪存...
- 陈裕斌
- 关键词：闪存器件自组装法形貌表征电学测试
- 基于锗硅异质纳米晶粒的非易失性浮栅存储器
- ＜正＞目前所研究的纳米器件中,将纳米品粒作为浮栅的存储器件是一种引人注目的纳米结构器件。纳米晶粒浮栅非易失性存储器表现出低功耗、高密度和多阈值等许多优点。可是纳米结构存储器也有一些问题亟待解决,其中之一就是如何在器件低压...
- 闾锦陈裕斌左正濮林施毅郑有炓
- 关键词：锗硅合金
- 文献传递
