靳映霞
- 作品数：43 被引量：74H指数：5
- 供职机构：云南大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金云南省自然科学基金教育部科学技术研究重点项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程电子电信更多>>
- Ge在Si(100)-2×1表面化学吸附的第一性原理研究被引量：2
- 2012年
- 应用密度泛函理论,构造了具有非对称二聚体结构的Si(100)-2×1重构表面,在系统研究了其表面结构及特性的基础上,计算了Ge在不同吸附位置的表面吸附能,以及吸附前后的表面投影态密度。计算结果表明:Ge原子在基位(pedestal)吸附最稳定。另外,在吸附Ge原子之后,我们得到了一个具有完整对称性的特殊Si原子二聚体结构。此结构中相邻的两个二聚体链互相平行且分别与Si表面平行,每对二聚体Si原子呈对称分布。
- 陆顺其王茺靳映霞卜琼琼杨宇
- 关键词：化学吸附密度泛函理论
- 以表面修饰石墨烯修饰碳电极的制备方法
- 以表面修饰石墨烯修饰碳电极的制备方法，属于电池和电容器技术领域，本发明提供一种以经过表面修饰的石墨烯为导电添加剂的碳电极的制备方法。原料包括，功能化石墨烯、石墨、导电炭黑、造孔剂、粘结剂和分散剂。具体制备方法为在混合了分...
- 靳映霞王振瀚钟明星穆歌朱忠其张瑾柳清菊
- 文献传递
- 绝缘氧化层上自离子注入Si薄膜W线发光性能的调控
- 2011年
- 对SOI基片上的Si薄膜进行了一系列Si+自注入和热退火的改性实验,并利用低温光致发光(PL)光谱对这些Si薄膜样品的发光性能进行了测试.在这些SOI样品的PL光谱中观察到了丰富的光学结构,包括D1,D2,D3,X以及异常尖锐的W线.通过对比在同等光谱测试条件下的W线归一化强度,获得了针对SOI基片发射W线较为理想的自注入和热退火参数.同时,还对D系列发光峰以及W线的缺陷起源和光学性质进行了很好的讨论.
- 王茺杨宇杨瑞东李亮韦冬靳映霞Bao Ji-Ming
- 关键词：SOI结构
- 影响TiO_2晶型和晶粒大小的因素被引量：2
- 2003年
- TiO_2是一种重要的功能材料,具有广阔的应用前景。它有3种晶型,不周的晶型具有不同的特性,其晶粒的大小也直接影响其性能。在溶胶-凝胶法合成过程中,导致TiO_2晶型转变及影响晶粒大小的因素有很多。综述了近年来在这方面的研究结果。
- 王庆辉靳映霞徐杰张瑾柳清菊
- 关键词：TIO2功能材料溶胶-凝胶法晶型转变
- 转印倒置模板法制备有序锗纳米点阵
- 本发明涉及半导体低维结构薄膜的制备方法，特别是利用倒置多孔氧化铝模板，转印有序点阵技术，利用溅射技术制备有序高密度锗纳米点阵的制备方法。本发明采用经典两步阳极氧化法制备多孔氧化铝不通孔模板，然后利用溅射技术，在保持高真空...
- 靳映霞杨宇李亮张鑫鑫
- 文献传递
- 掺银TiO_2薄膜的亲水特性被引量：6
- 2003年
- 采用溶胶-凝胶法及浸渍提拉法在普通的载玻片上制得含不同掺银量的TiO_2薄膜,通过对薄膜及相应粉体的XRD、XPS及薄膜致密度的测量,分析了银的掺杂量对TiO_2薄膜亲水特性的影响。结果表明:TiO_2薄膜中银的掺杂量≤0.635mol％时有利于TiO_2薄膜亲水性能的改善;表面羟基和表面桥氧的含量对TiO_2薄膜的亲水性能均有直接影响。
- 柳清菊李金莉靳映霞王庆辉吴兴惠
- 关键词：TIO2薄膜溶胶-凝胶法浸渍提拉法XRDXPS
- 周期应力调制低温缓冲层硅基锗薄膜制备方法
- 本发明涉及半导体低维结构薄膜的制备方法，特别是使用磁控溅射技术，首先制备Si缓冲层，然后在Si缓冲层上制备Ge纳米点，再在纳米点上覆盖一层低温Ge缓冲层。通过工艺实现在低温制备的Ge缓冲层中埋入Ge纳米点作为薄膜的形核中...
- 靳映霞杨宇李亮关中杰
- 文献传递
- 杂化能级对TiO2导带的调控
- 钙钛矿太阳能电池发展迅速,其结构目前已经发展成为三种不同类型。其中以介孔TiO2层与钙钛矿相结合的结构最为稳定。在该结构中TiO2在为钙钛矿实现立体网络支撑的同时,也将其光生电子传输到阳极。TiO2的存在是为CH3NH3...
- 靳映霞赵宗延刘健梅周兴华柳清菊
- 关键词：离子掺杂
- 文献传递
- 周期应力调制低温缓冲层硅基锗薄膜制备方法
- 本发明涉及半导体低维结构薄膜的制备方法，特别是使用磁控溅射技术，首先制备Si缓冲层，然后在Si缓冲层上制备Ge纳米点，再在纳米点上覆盖一层低温Ge缓冲层。通过工艺实现在低温制备的Ge缓冲层中买入Ge纳米点作为薄膜的形核中...
- 靳映霞杨宇李亮关中杰
- 溅射气压对Ge/Si纳米点表面形貌的影响被引量：1
- 2012年
- 利用磁控溅射技术在Si(100)衬底上直接外延生长一系列不同压强下的Ge纳米点样品,并利用AFM、Raman和XRF对Ge纳米点样品形貌和结构进行了研究。结果表明Ge薄膜表面粗糙度在某一临界压强下发生突变,高能粒子热化的临界值与这种转变密切相联;分析讨论了Ge岛在不同溅射气压下的生长过程,在一定范围随着压强的增大会显示典型生长阶段的特征。
- 叶小松王茺关中杰靳映霞李亮杨宇
- 关键词：磁控溅射表面形貌
