颜声辉
- 作品数：20 被引量：21H指数：3
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程电子电信更多>>
- 掺铬镁橄榄石（Cr：Mg_2SiO_4）可调谐激光晶体的生长与性能被引量：3
- 1994年
- 用射频感应加热引上法生长了直径为１８～２０ｍｍ，长６０～１００ｍｍ的掺铬镁橄榄石（Ｃｒ：Ｍｇ＿２ＳｉＯ＿４）单晶。本文介绍生长Ｃｒ：Ｍｇ＿２ＳｉＯ＿４单晶的工艺概况，给出光谱、激光和晶体缺陷分析的数据。用独特的生长工艺和原料处理方式，可使晶体中Ｃｒ￣（４＋）的浓度大大提高，从而改善其激光性能，在国内首次获得了掺铬镁橄榄石的可调谐激光输出。当输入能量为７０ｍＪ时，输出为１１．５ｍＪ，调谐范围为１１６７～１３３２ｎｍ．用ＢＢＯ晶体倍频也获得了５８４～６６６ｍｍ的可调谐输出。
- 颜声辉王四亭钟鹤裕朱洪滨朱烨陈杏达
- 关键词：铬镁橄榄石可调谐激光晶体
- 感应加热温场上移法—一种新的梯度法晶体生长技术
- 1991年
- 介绍了一种新的温度梯度法晶体生长技术,称为“感应加热温场上移法”(induction heatingand thermal field up-shift method,ITUM),该法是用钼坩埚在氢气气氛下直接感应加热,使其中的原料熔化。保持坩埚不动,通过线圈的上移,实现熔体的凝固结晶。已用这种方法成功地长出光学质量良好的掺钛氧化铝可调谐激光晶体。本文介绍这种方法的工艺装置和生长过程,给出初步的激光实验和晶体质量的检测数据:对于从熔体中生长高温晶体具有重要的意义。
- 柴耀颜声辉潘佩聪邓佩珍
- 关键词：激光晶体晶体生长
- 引上法生长Mg_2SiO_4:Cr单晶中铬的分凝系数被引量：1
- 1991年
- 用X射线荧光光谱法测定了提拉法生长的Mg_2Si_4O:Cr单晶体中铬的分凝系数为0.15。分析了实际计算值和理论值之间存在偏差的原因。提出了生长高质量的Mg_2SiO_4:Cr晶体的方法。
- 朱洪滨潘佩聪颜声辉侯印春王四亭柴耀卢志英吉昂
- 关键词：铬提拉法
- 短波长可调谐激光晶体Ce∶YAlO_3~①
- 1992年
- 用引上法生长了光学质量良好的Ce:YAlO_3晶体.本文介绍了其生长工艺和其吸收光谱,激发光谱及发光光谱的测试结果,认为该晶体很有希望实现短波长可调谐激光输出.
- 袁国强颜声辉钟永成
- 关键词：激光晶体晶体
- 金绿宝石族装饰宝石的生长方法及其装置
- 一种金绿宝石族装饰宝石的生长方法及其装置。金绿宝石族包括金绿猫眼石、金绿宝石和亚力山大紫翠变石。这三种宝石主要用于装饰用品。本发明的生长方法是旋转温梯法,生长装置是旋转温梯炉。其特点是晶体生长的过程是从熔体底部向上,坩埚...
- 吴光照朱妆德颜声辉
- 文献传递
- 掺铬镁橄榄石激光器的激光特性研究
- 1994年
- 掺铬镁橄榄石激光器的激光特性研究徐冰，林礼煌，杨晓东，李传东，欧阳斌，颜声辉，王润文，徐至展（中国科学院上海光学精密机械研究所，上海２０１８００）掺铬镁橄榄石晶体是继掺钛蓝宝石、掺铬紫翠宝石晶体之后的又一种令人感兴趣的可调谐激光介质。其增益措在１１６...
- 徐冰林礼煌杨晓东李传东欧阳斌颜声辉王润文徐至展
- 关键词：激光器激光特性
- Mg_2SiO_4:Cr^(3+)晶体生长被引量：1
- 1990年
- 本文报导了用提拉法生长Mg_2SiO_4:Cr^(3+)晶体的实验过程和结果,试验证实了所得样品为Mg_2SiO_4:Cr^(3+)单晶体,指出了生长高质量的Mg_2SiO_4:Cr^(3+)单晶的有效途径。
- 朱洪滨潘佩聪颜声辉侯印春夏海平邓佩珍李海华秦永忠
- 关键词：硅酸镁晶体晶体生长铬提拉法
- 静态温梯法中纵向温度分布对固液界面形状的影响被引量：1
- 1992年
- 本文证明了静态温梯法中坩埚侧壁处的纵向温度分布 T_(?)(z)的函数形式,对坩埚中固液等温面的凸度有着重要影响作用。指出通过温度场“调零”过程后,利用(?)~2T_(?)(z)/(?)z^2的符号和大小来判断坩埚中固液面凸度分布情况。并且认为在实际工作中T_(?)(z)可以用热电偶在坩埚外壁处测量而得到。
- 潘佩聪卢志英颜声辉邓佩珍干福熹
- 关键词：温梯法等温线固液界面凸度
- 引上法生长Cr:Mg_2SiO_4晶体中铬的分布和价态被引量：1
- 1994年
- Cr:Mg_2SiO_4晶体作为一种新的激光基质,以其独特的性能,引起了广泛的关注.在该晶体中,铬离子的分凝系数很小,因此在用提拉法生长的Cr:Mg_2SiO_4晶体中,铬离子存在轴向浓度梯度;在凸界面生长的晶体中,晶体的生长界面上出现小面,由于小面和非小面区域的反常分凝等原因,造成晶体中铬离子浓度的经向分布不均,在小面与非小面的交界处存在着较大的浓度梯度,造成晶体中宏观缺陷的出现.Cr:Mg_2SiO_4晶体中,铬离子主要表现为两种形式:Cr^(3+)和Cr^(4+).不同的生长气氛决定着晶体中两种离子的比例.在晶体中,Cr^(3+)离子取代Mg^(2+)离子,Cr^(4+)离子取代Si^(4+)离子.在氧化性气氛下退火不能使晶体中的Cr^(3+)离子氧化成Cr^(4+)离子.
- 朱洪滨王四亭颜声辉柴耀侯印春潘佩聪
- 关键词：铬离子分凝系数敏化作用提拉法
- 金绿宝石族装饰宝石的生长方法及其装置
- 吴光照朱汝德颜声辉
- 一种金绿宝石族装饰宝石的生长方法及其装置。金绿宝石族包括金绿猫眼石，金绿宝石和亚历山大紫翠变石。这三种宝石主要用于装饰用品。本发明的生长方法石旋转温梯法，生长装置石旋转温梯炉。其特点石晶体生长的过程石从熔体底部向上，坩埚...
- 关键词：
