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饶咏初

作品数:8 被引量:15H指数:3
供职机构:表面物理与化学重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国工程物理研究院基金国家磁约束核聚变能发展研究专项更多>>
相关领域:理学一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇核科学技术

主题

  • 2篇脱附
  • 2篇热解吸
  • 2篇热脱附
  • 2篇
  • 2篇
  • 2篇AL
  • 2篇V
  • 1篇渗透率
  • 1篇升温速率
  • 1篇碳掺杂
  • 1篇同位素
  • 1篇涂层
  • 1篇氢同位素
  • 1篇热脱附谱
  • 1篇热氧化
  • 1篇离子
  • 1篇离子液
  • 1篇离子液体
  • 1篇活化
  • 1篇合金

机构

  • 8篇表面物理与化...
  • 2篇中国工程物理...
  • 1篇北京科技大学
  • 1篇清华大学

作者

  • 8篇饶咏初
  • 3篇陈长安
  • 2篇向鑫
  • 2篇刘柯钊
  • 2篇彭丽霞
  • 1篇凌云汉
  • 1篇何业东
  • 1篇唐涛
  • 1篇罗德礼
  • 1篇叶小球
  • 1篇张桂凯
  • 1篇曹江利
  • 1篇杨勇彬
  • 1篇汪小琳
  • 1篇杨飞龙
  • 1篇黄国强
  • 1篇窦天军
  • 1篇钱晓静
  • 1篇曾诚
  • 1篇熊义富

传媒

  • 2篇原子能科学技...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇中国腐蚀与防...

年份

  • 3篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2006
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
氦热脱附谱研究碳掺杂对铝中氦行为的影响被引量:5
2009年
通过离子注入技术在铝中引入C,He两元素,并采用氦热脱附谱(THDS)研究了C掺杂对铝中氦行为的影响。注He纯铝的THDS中存在四个氦释放区间,分别归于小间隙环的解离、位错环的合并、位错环的皱缩及氦泡向样品表面的迁移。C掺杂后,铝中形成了高热稳定性的HenVmCx型复合物,造成样品中气体释放延迟。然而,随着C掺杂剂量的增加,THDS谱发生显著改变,低温区出现明显的释放峰,且C掺杂量越高,低温区的释放峰个数越多。
向鑫陈长安刘柯钊彭丽霞饶咏初
关键词:碳掺杂
Ti_(1.0)Cr_(1.5)V_(1.7)合金的氢同位素效应
2016年
采用电弧熔炼的方法,制备了Ti_(1.0)Cr_(1.5)V_(1.7)合金。通过SEM、EDS和XRD对合金的形貌、组成及其氢化物的结构进行表征。结果表明,合金组成不均匀,存在网状的析出相。吸氢过程中的相转变只与吸氢量有关,而与氢同位素种类无关。分离因子(aH–D)测试表明,压力对aH–D的影响不大,但氘丰度的增加会导致aH–D的降低。温度对aH–D的影响较复杂。aH–D在213 K时有极大值2.29。当温度高于213 K时,aH–D的实验值与谐振模型的计算值符合得很好,且lnaH–D与1/T之间存在线性关系;当温度低于213 K时,实验值与计算值之间存在较大差异。Ti_(1.0)Cr_(1.5)V_(1.7)合金氢化物的DSC分析结果表明,aH–D在低温时的突变与相转变之间并无直接的联系。
杨勇彬罗德礼饶咏初郭文胜
V-5Cr-5Ti在AlCl_3-EMIC离子液体中的阳极活化及表面铝沉积被引量:2
2016年
钒合金表面获得性能优良的Al涂层是在其表面制备V-Al/Al2O_3阻氚涂层的重要基础。针对聚变堆候选结构材料V-5Cr-5Ti,本文采用电化学方法研究了其在AlCl_3-EMIC(摩尔比为2∶1)离子液体中的阳极行为,比较分析了恒电位极化模式下不同电位、极化时间对表面阳极活化的影响。在此基础上,采用恒电流沉积(16mA/cm^2)模式研究了阳极活化电位、沉积时间和温度对镀层的影响。结果表明:阳极氧化电流在1.25V(参比Al的电位)电位时出现峰值,在该电位下极化15min,V-5Cr-5Ti基体可获得腐蚀均匀的可再生表面。16mA/cm^2下铝沉积,活化表面为(111)和(200)方向择优生长的纯铝涂层,与基体结合良好,室温下沉积75min,可获得20μm厚性能良好的铝涂层。
彭雪星张桂凯杨飞龙饶咏初汪小琳
关键词:离子液体
氦注入铝的热解吸谱
2010年
用氦热解吸谱(THDS)研究了10keV,4.0×1017cm-2剂量He+辐照(200)择优取向Al的氦热解吸行为及其与升温速率的关系。结果显示,He解吸开始于270℃附近,THDS中无干扰峰存在。He解吸行为与升温速率密切相关,其解吸峰个数及峰位随升温速率的变化而改变,且不遵循通常的一级化学反应模型,而可能是多级或一级与多级化学反应的混合模型。
向鑫陈长安刘柯钊饶咏初彭丽霞
关键词:AL升温速率
Al_2O_3/Au/Al_2O_3层状阻氚薄膜
2012年
采用磁控溅射法在316L不锈钢基体上分别沉积单层Al2O3膜、单层Au膜以及Al2O3/Au/Al2O3层状薄膜。采用气相渗透法在500℃,氘分压为0.06 MPa条件下测试了薄膜的阻氘性能。结果表明,3种薄膜氘渗透后,薄膜的形貌良好,无开裂、无剥落的现象,氘渗透率减低因子均比316L不锈钢基材增大一个数量级以上,阻氘效能按单层Al2O3膜、单层Au膜以及Al2O3/Au/Al2O3层状薄膜依次递升。Al2O3/Au/Al2O3层状薄膜的优异阻氘效能可归因于,延性的Au夹层使层状薄膜的力学性能得到显著提高;Al2O3层能阻止Au与基体间互扩散,使Au能充分发挥阻氘效能。本研究表明,由贵金属与陶瓷阻氚材料构成的层状薄膜是发展阻氚涂层的新途径。
汤波楷何业东曹江利唐涛饶咏初
关键词:
中国RAFM钢中驻留氘的热脱附行为研究被引量:3
2016年
分别研究了中国自主研发的2种低活化铁素体/马氏体钢(CLAM钢和CLF-1钢)中氘的驻留情况,利用金相显微镜对材料的金相组织进行分析。结果表明,CLAM钢为等轴的回火马氏体相,而CLF-1钢金相组织为保持了板条马氏体形态的细小回火马氏体。通过氘的扩散常数计算2种钢中氘浓度分布,结果显示,CLAM钢和CLF-1钢在500℃、500kPa条件下,氘充饱和情况下氘浓度分别为7.43μg/g和5.7μg/g。在室温下放置0.5h后,CLAM钢和CLF-1钢中的氘分别损失了23%和51%。TDS实验结果表明,CLAM钢中的氘只有1个解吸峰,激活能为21kJ/mol,对应的氢陷阱为晶界和位错。CLF-1钢中的氘有2个解吸峰,解吸峰激活能为31kJ/mol,高温段解吸峰激活能为94kJ/mol。2种钢中低温段解吸峰对应的氢陷阱为晶界和位错,CLF-1钢低温段解吸峰的激活能略高是因为其晶粒尺寸小,氘原子的扩散路径更多。CLF-1钢样品高温段解吸峰对应的氢陷阱是由晶界和位错等缺陷与MC碳化物复合形成的新的氢陷阱。
刘凌博窦天军王博饶咏初叶小球陈长安
钯在氢同位素分离和纯化工艺中的应用被引量:5
2006年
在迄今所知的金属-氢体系中,钯氢体系的同位素效应最强,因此,钯被广泛用于氢同位素处理工艺中。文章简述了钯氢体系的同位素效应,综述了钯及其合金在氢同位素分离和纯化工艺中的主要应用及其发展。
钱晓静熊义富黄国强饶咏初
关键词:氢同位素纯化
AL2O3薄膜的热氧化形成及缺陷控制
  对比研究了纯铝在600℃含和不含水蒸气的空气中的氧化情况,通过水蒸气氧化引入缺陷实现氧化加速,再利用退火消除缺陷.RAMAN散射光谱的结果表明,在有无水蒸气的空气中600℃形成的氧化膜主要物相均为γ-A12O3;利用...
曾诚凌云汉李山桐饶咏初
关键词:A12O3热氧化
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