您的位置: 专家智库 > >

马艳

作品数:3 被引量:7H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇光纤
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体激光
  • 3篇半导体激光器
  • 2篇增透
  • 2篇增透膜
  • 2篇光纤放大
  • 2篇光纤放大器
  • 2篇光纤光栅
  • 2篇光栅
  • 2篇放大器
  • 2篇边模抑制比
  • 2篇掺铒
  • 2篇掺铒光纤
  • 2篇掺铒光纤放大...
  • 1篇单模
  • 1篇单模光纤
  • 1篇单模光纤耦合

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇马艳
  • 2篇谢福增
  • 1篇何军

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇光学学报

年份

  • 3篇2004
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
980nm单模运转未镀增透膜光纤光栅激光器被引量:3
2004年
提出了一种工艺简单的 980nm未镀增透膜的光纤光栅外腔半导体激光器。首先从理论上分析了边模抑制比 (SMSR)与激光二极管前表面反射率R2 、外腔长Lext和激光二极管光纤耦合效率之间的关系 ,得出边模抑制比随R2 和Lext的增大而减小 ,而随着激光二极管光纤的耦合效率的提高而增大。从计算结果中还可以看出 ,即使半导体激光器不镀增透膜 (R2 =0 .3时 ) ,在其它参量合适的情况下 ,边模抑制比仍可大于 4 0dB。然后 ,对其进行实验验证 ,在半导体激光器未镀模的情况下 ,选择光纤光栅发射率为 0 .5 ,外腔长为 12 .5cm ,输入电流为 2 8.8mA(约为阈值电流的 2 .4倍 )时 ,通过仔细调节恒温、恒流电路 ,实现了边模抑制比高于 4 0dB的稳定的单纵模输出 ,外腔激光器的线宽优于 1.6MHz。
马艳何军谢福增
关键词:掺铒光纤放大器增透膜边模抑制比半导体激光器
用于半导体激光器到单模光纤耦合的圆锥端微透镜设计(英文)被引量:4
2004年
介绍了一种用于半导体激光器 -单模光纤耦合的圆锥端半球透镜的耦合效率的理论计算 .失配不存在时 ,耦合效率随着锥长的增加而减小 .
马艳谢福增
关键词:光纤耦合
980nm光纤光栅外腔半导体激光器的频谱特性研究
该文对光纤光栅反馈的高功率半导体激光器的光谱特性进行了理论和实验研究.在3.1节中首先分析了光纤光栅外腔的选模能力,得出选模能力随着光纤光栅反射率或外腔长的增大而减小.在3.2节中分析了边模抑制比(SMSR)与外腔激光器...
马艳
关键词:掺铒光纤放大器边模抑制比线宽
共1页<1>
聚类工具0