高战军
- 作品数：5 被引量：8H指数：1
- 供职机构：中国工程院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学医药卫生更多>>
- Si/SiC异质结制备工艺优化及其特性分析
- 为了实现SiC材料在非紫外光控领域的应用,拓展SiC大功率电力电子器件的非紫外光触发。本课题提出了采用脉冲供源的方法在6H.SiC衬底上使用LPCVD系统淀积Si薄膜。并利用轮廓仪、SEM、XRD、Raman Spect...
- 高战军
- 关键词：低压化学气相淀积硅薄膜碳化硅衬底异质结轮廓仪
- 文献传递
- 中国工程院三局副局长高战军在纪念于维汉院士百年诞辰学术论坛上的讲话
- 2022年
- 尊敬的各位专家、各位领导:今天,我们隆重召开纪念于维汉院士百年诞辰学术论坛,就是为了进一步弘扬和传承于先生勇于开拓、敢于奉献的可贵精神。在半个多世纪的工作中,于先生为我们克山病的预防和治疗工作,做出了杰出的贡献。他提出了克山病的营养性生物地球化学病因学说,并以此学说为基础开展了卓有成效的克山病防治工作,使我国克山病病因得到了消除。
- 高战军
- 关键词：病因学说学术论坛克山病生物地球化学副局长
- 建立适应中国市场经济的高等工程教育——西安建筑科技大学的实践与探索被引量：8
- 2007年
- 为适应计划经济向市场经济转变的需求，中国高等工程教育正发生着巨大的改革和变化。人文素质教育受到空前的重视，被提到了与专业教育同等重要的地位。厚基础、宽口径、强能力成为工程教育的努力目标。以阶段、平台加模块的工程类人才培养体系已经建立。创新精神和实践能力的培养越来越受到关注，但教学内容、课程体系和教学方法改革的任务还很严峻。本文介绍了西安建筑科技大学的改革探索。
- 徐德龙刘克成邵必林高战军肖飚
- 关键词：工程教育人文素质教育创新教育
- 6H-SiC衬底上多晶Si薄膜热壁CVD间隔生长与结构表征
- 2014年
- 在热壁LPCVD系统中利用间隔生长法在6H-SiC衬底上淀积Si薄膜,采用XRD、SEM、激光共聚焦显微镜和拉曼光谱对Si薄膜的表面形貌和结构进行表征。结果表明:相比于连续生长法,用间隔法制备Si薄膜的速率有所降低,但表面粗糙度有所减小,同时晶粒尺寸也增大。XRD测试结果表明:间隔法可以控制薄膜生长的择优取向。Raman光谱测试结果表明:采用间隔法且断源时间控制在30 s时,生长温度900℃,H2∶SiH4=400∶20 sccm时生长Si薄膜的Raman半峰宽最小。
- 高战军陈治明李连碧赵萌黄磊
- 关键词：热壁LPCVD表面粗糙度
- 两种新型B_2CN晶体的合成(英文)
- 2005年
- 将乱层石墨结构B2CN前驱物与铜或Ca3B2N4触媒的混合物在压力为5.5GPa、温度1600℃条件下处理15min,得到了六方和正交结构的两种B2CN晶体,两种晶体的形貌不同。光致发光测量表明正交结构的B2CN 晶体的发光特性与重要的发蓝光的GaN晶体相似。
- 高战军郭俐聪何巨龙
- 关键词：晶体结构高温高压光致发光
