高攀
- 作品数：10 被引量：6H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金北京市教委科技发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SiGe HBT高频噪声特性研究被引量：2
- 2007年
- 对SiGe HBT的高频噪声进行了模拟。频率f、载流子正向延迟时间τF、集电极电流等因素都对高频噪声有影响。当频率高于高频转角频率时,最小噪声系数NFmin随着频率的增大而线性增大,而不是与f2成正比关系,且NFmin随着集电极电流的增大先减小后增大。结果表明,噪声最小时的最佳偏置电流所对应的特征频率fT并不是最大特征频率,约为最大特征频率的50%。
- 高攀张万荣谢红云邱建军沙永萍金冬月张静张正元刘道广王健安徐学良陈光炳
- 关键词：硅锗异质结双极型晶体管
- 多指功率GeSi HBTs的非等值发射极镇流电阻优化设计
- 微波功率GeSi HBTs(Heterojunction Bipolar Transistors,异质结双极晶体管)经常采用多指结构,通常每指上采用等值的发射极镇流电阻来提高器件的热稳定性。自热和指间的热耦合效应,使热分...
- 邱建军张万荣高攀杨经伟金冬月
- 关键词：微波功率异质结双极晶体管镇流电阻
- 文献传递
- SiGe/Si HBT低频噪声特性研究被引量：2
- 2006年
- 对Si/Si1-xGexHBT的低频噪声进行了模拟。频率、基极电流、集电极电流、发射极几何尺寸(面积、条长)、Ge组份x、温度等诸多因素都对低频噪声有影响。模拟结果表明,Si/SiGeHBT具有优异的低频噪声特性。
- 张万荣高攀金冬月张静张正元刘道广王健安徐学良陈光炳
- 关键词：SIGE/SI异质结晶体管低频噪声
- 基于热电模型的多发射极功率HBTs非均匀发射极镇流电阻设计
- 本文在考虑发射结电压随温度的变化和发射极加入镇流电阻的情况下,给出简化的三维热电模型,用以计算功率HBT芯片表面温度分布.我们发现对于采用均匀发射极镇流电阻的功率HBT,芯片中心发射极条温度很高,进而限制了器件的功率处理...
- 金冬月张万荣邱建军高攀萧莹
- 关键词：异质结双极晶体管
- 文献传递
- 横向尺寸的变化对SiGe HBT高频噪声的影响(英文)被引量：1
- 2007年
- 从发射极条宽、发射极条长、基极条数、发射极与基极间距四个方面分析了横向尺寸变化对SiGe HBT高频噪声的影响。结果表明增加发射极条长、基极条数和减小发射极与基极间距可以较为有效地减小晶体管噪声,而减小发射极与基极间距对噪声的改善效果比较显著。发射极与基极间距从1μm减小到0.5μm,2GHz工作频率下最小噪声系数可减小9dB,在0.5GHz工作频率下最小噪声系数可降至1.5dB,2GHz工作频率下最小噪声系数为3dB。
- 高攀张万荣邱建军杨经纬金冬月谢红云张静张正元刘道广王健安徐学良
- 关键词：HBTSIGE
- 电子束诱导沉积制备碳纳米管的方法
- 电子束诱导沉积制备碳纳米管的方法涉及纳米微复合材料领域。本发明抽出单根半导体纳米线，并通过电子束诱导沉积技术使其表面包裹一层非晶碳层，形成纳米线和非晶碳层的“核壳结构”，再对其加载偏压，电流产生的焦耳热使纳米线熔化并将其...
- 郑坤王疆靖高攀韩晓东
- 文献传递
- 应变加载下Si及其它半导体纳米线电学性能变化的原位研究
- 当材料的尺度减小到纳米级时，会出现一些体材料难以企及的奇异性能。纳米材料作为各类纳米元器件的基础构建材料，其性能的优劣直接影响纳米元器件的表现。而作为半导体工业最重要的基础材料，Si在纳米尺度的性能吸引了广泛的关注。因此...
- 高攀
- 关键词：电学性能
- 电子束诱导沉积制备碳纳米管的方法
- 电子束诱导沉积制备碳纳米管的方法涉及纳米微复合材料领域。本发明抽出单根半导体纳米线，并通过电子束诱导沉积技术使其表面包裹一层非晶碳层，形成纳米线和非晶碳层的“核壳结构”，再对其加载偏压，电流产生的焦耳热使纳米线熔化并将其...
- 郑坤王疆靖高攀韩晓东
- 文献传递
- 基于集成电路工艺的SiGe HBTs及其高频噪声特性
- SiGe HBT是基于Si能带工程的一种异质结晶体管，它一出现就引起了世界普遍关注。由于基于Si工艺，与Ⅲ-Ⅴ化合物器件比，SiGe HBT在性能/价格比、功耗、噪声、集成度等方面有明显优势。在文献中关于器件的直流、频率...
- 高攀
- 关键词：异质结晶体管结构参数频率特性集成电路工艺
- 文献传递
- 微波功率SiGe HBT的温度特性
- 2006年
- 通过研究SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的温度特性,发现SiGe HBT的发射结正向电压随温度的变化率小于同质结Si双极型晶体管(BJT).在提高器件或电路热稳定性时,SiGe HBT可以使用比Si BJT更小的镇流电阻.同时SiGe HBT共发射级输出特性曲线在高电压大电流下具有负阻特性,而负阻效应的存在可以有效地抑制器件的热不稳定性效应,从而在温度特性方面证明了SiGe HBT更适合于微波功率器件.
- 杨经伟张万荣金冬月邱建军高攀
- 关键词：SIGEHBT温度特性微波功率晶体管
