高连
- 作品数：4 被引量：9H指数：3
- 供职机构：南京航空航天大学机电学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省科技支撑计划项目江苏省博士后科研资助计划项目更多>>
- 相关领域：金属学及工艺航空宇航科学技术一般工业技术更多>>
- 单晶硅电火花线切割表面损伤层研究
- 单晶硅作为微电子元件系统中普遍使用的一种结构材料，其加工方法一直是人们研究的焦点。由于传统机械加工方式的局限性，如不能切割超薄硅片和异型硅材料零件，硅材料切割技术的革新已成为相关产业瞩目的焦点。近年来，本课题组通过改进进...
- 高连
- 关键词：单晶硅电火花线切割损伤层
- 文献传递
- 电火花线切割单晶硅的损伤层被引量：3
- 2011年
- 采用截面显微观察法和择优蚀刻法对电火花线切割单晶硅产生的亚表面损伤层进行检测。用光学显微镜观测和分析电火花线切割硅表面沿纵向分层择优腐蚀后的形貌;用能谱仪对腐蚀后的硅表层杂质元素进行分析;用扫描电子显微镜观察和测量腐蚀后硅样品的亚表面裂纹。结果表明:电火花线切割单晶硅损伤层主要由杂质元素重污染层、重熔层和含有高密度位错的弹性畸变层组成;损伤层厚度会随着加工电压和脉冲宽度的增大而迅速增加,受占空比影响较小;在较大的加工参数下,裂纹会成为影响损伤层厚度的主要因素。
- 高连刘志东邱明波田宗军汪炜
- 关键词：电火花线切割单晶硅损伤层
- 电火花线切割单晶硅变质层与裂纹分析被引量：3
- 2011年
- 以电火花线切割的单晶硅为研究对象,建立了传热学数学模型,利用ANSYS仿真软件进行模拟计算,得到了放电区域的瞬态温度场和应力场分布。对电火花线切割后的硅片表面沿纵向进行了分层择优腐蚀试验,观察腐蚀表面形貌沿纵向的变化情况,确定了变质层厚度,总结出了放电参数对硅片表面变质层厚度的影响规律,并与模拟计算结果进行了对比,证明了所建模型的正确性。研究结果表明:放电电压和脉冲宽度是影响变质层厚度的主要因素;出现在变质层中的裂纹会随着放电能量的增加而急剧扩展,能量增大到一定程度后可扩展至晶体区,可以认为此时裂纹的深度即是变质层厚度。
- 高连刘志东邱明波田宗军汪炜
- 关键词：电火花线切割单晶硅数值模拟变质层
- 单晶硅电火花线切割表面损伤层形成机理被引量：3
- 2012年
- 为了研究单晶硅电火花线切割(WEDM)表面损伤层的损伤形式和形成机理,以电火花线切割加工后的单晶硅表面为研究对象,采用表面形貌观察分析及择优腐蚀方法研究了单晶硅经过电火花线切割后的加工表面。研究结果表明单晶硅经电火花放电加工后表面损伤形式分为4种:热损伤、应力损伤、热与应力综合作用损伤及电解/电化学腐蚀损伤。热损伤使得硅表面形成多晶或非晶硅;应力损伤使硅表面产生裂纹;热与应力综合作用会产生小孔效应,且随着放电功率密度的增加,小孔会明显增多;电解/电化学作用会加快损伤区域及杂质元素富集区域的腐蚀。
- 刘志东高连邱明波田宗军汪炜
- 关键词：电火花线切割单晶硅损伤层
