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黄亚平: 作品数：17 被引量：6H指数：2; 供职机构：西安交通大学更多>>; 发文基金：国家高技术研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

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应变超晶格隧道结紫外LED外延结构及其制备方法: 本发明提供了一种应变超晶格隧道结紫外LED外延结构及其制备方法，外延结构自上而下为：外延生长衬底，AlN缓冲层、n型AlGaN层、多层量子阱、电子阻挡层、应变超晶格、n型简并掺杂AlGaN层、n型Si掺杂AlGaN层；应...; 云峰王越黄亚平田振寰王宏; 文献传递

晶圆键合和激光剥离工艺对GaN基垂直结构发光二极管芯片残余应力的影响被引量：1: 2015年; Ga N基发光二极管(LED)中的残余应力状态对器件的性能和稳定性有很大影响.通过使用三种不同的键合衬底(Al2O3衬底,Cu W衬底和Si衬底)以及改变键合温度(290°C,320°C,350°C和380°C),并且使用不同的激光能量密度(875,945和1015 m J·cm-2)进行激光剥离,制备了不同应力状态的Ga N基LED器件.对不同条件下Ga N LED进行弯曲度、Raman散射谱测试.实验结果表明,垂直结构LED中的残余应力的状态是键合衬底和键合金属共同作用的结果,而键合温度影响着垂直结构LED中的残余应力的大小.激光剥离过程中,一定能量密度下激光剥离工艺一般不会对芯片中的残余应力造成影响,但是如果该工艺对Ga N层造成了微裂缝,则会在一定程度上起到释放残余应力的作用.使用Si衬底键合后,外延蓝宝石衬底翘曲变大,对应制备的Ga N基垂直结构LED中的残余应力为张应力,并且随着键合温度的上升而变大;而Al2O3和Cu W衬底制备的LED中的残余应力为压应力,但使用Al2O3衬底键合制备的LED中压应力随键合温度上升而一定程度变大,Cu W衬底制备的LED中压应力随键合温度上升而下降.; 王宏云峰刘硕黄亚平王越张维涵魏政鸿丁文李虞锋张烨郭茂峰; 关键词：残余应力激光剥离

In组分对InGaN发光二极管发光性能的影响: 本文主要是通过APSYS模拟分析软件,研究了三种不同In含量的InGaN发光二极管的发光特性及其物理机制.研究中所用器件为1m×1m垂直结构,包含2μm n-GaN(掺杂浓度为5×1018cm-3),5个InxGa1-x...; 张敏妍侯洵云峰李虞锋丁文黄亚平王越魏政鸿张维涵苏喜林

一种制备高Al组分的AlGaN材料的p型欧姆接触层的方法及应用: 本发明公开了一种制备高Al组分的AlGaN材料的p型欧姆接触层的方法及应用，属于半导体光器件制造技术领域，包括：1）在生长衬底上制备基础芯片结构；2）在金属基片上制备单层石墨烯；3）将步骤2）制得的石墨烯转移到转移介质上...; 云峰田振寰王宏王越黄亚平; 文献传递

一种单芯片颜色可调的GaN基LED结构的制备方法: 本发明公开了一种单芯片颜色可调的GaN基LED结构的制备方法，包括下步骤：1)取GaN基LED，再在GaN基LED中的P‑GaN层上开设若干通孔，然后再在GaN基LED中的电子阻挡层上开设若干凹槽，使GaN基LED中的电...; 云峰黄亚平熊瀚; 文献传递

一种共振峰位可调的金属纳米结构的制备方法: 一种共振峰位可调的金属纳米结构的制备方法，先使PS纳米球溶液分散均匀后在水面预组装形成PS纳米球单层膜，然后将PS纳米球单层膜转移至经亲水性处理的样品表面，再在样品表面沉积金属，最后去除样品表面的PS纳米球，即得到共振峰...; 云峰赵宇坤黄亚平李虞锋; 文献传递

局域表面等离子体增强型垂直结构LED结构及制造方法: 本发明提供局域表面等离子体增强型垂直结构LED结构及制造方法。所述LED结构包括垂直结构的LED器件以及局域表面等离子体，所述局域表面等离子体设置在LED器件的P型GaN层内，并以N型GaN层为出光面。本发明在垂直结构L...; 云峰黄亚平王越田振寰王宏; 文献传递

一种具有共振腔的线偏振出光激光二极管: 本发明公开了一种具有共振腔的线偏振出光激光二极管，包括GaN基的LED芯片以及分别设于GaN基的LED芯片上部及下部的反射镜及若干条形光栅，各条形光栅从左到右依次分布，且各条形光栅之间平行设置。本发明具有优异的发光效率及...; 云峰熊瀚黄亚平

一种单芯片颜色可调的GaN基LED结构的制备方法: 本发明公开了一种单芯片颜色可调的GaN基LED结构的制备方法，包括下步骤：1)取GaN基LED，再在GaN基LED中的P-GaN层上开设若干通孔，然后再在GaN基LED中的电子阻挡层上开设若干凹槽，使GaN基LED中的电...; 云峰黄亚平熊瀚

Ni/Ag/Ti/Au与p-GaN的欧姆接触性能及光反射率被引量：2: 2014年; 研究了不同Ni厚度的Ni/Ag/Ti/Au电极在不同退火温度和退火气氛下与p-GaN之间的欧姆接触性能以及电极的光反射率的变化.采用矩形传输线模型对各电极的比接触电阻率进行测算,利用分光光度计对电极在不同波长下的反射率进行测量.结果表明,Ni金属层的厚度越小,电极的光反射率越高,而Ni层厚度对比接触电阻率的影响较小;当退火温度高于400℃后,电极的光反射率降低,在氧气氛围中退火后光反射率比在氮气中退火后下降更加明显.但在氧气氛围中退火有利于减小比接触电阻率.综合考虑接触电阻和光反射率,电极Ni(1 nm)/Ag/Ti/Au在400℃氧气中快速退火后得到了较好的结果,其比接触电阻率为5.5×10-3Ω·cm2,在450 nm处反射率为85%.利用此电极制作了垂直结构发光二极管(LED)器件,LED在350 mA注入电流下,工作电压为3.2 V,发光功率为270 mW,电光转换效率达到24%.; 黄亚平云峰丁文王越王宏赵宇坤张烨郭茂峰侯洵刘硕; 关键词：P-GAN 欧姆接触反射率快速退火