黄伯标
- 作品数：7 被引量：42H指数：3
- 供职机构：山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信环境科学与工程理学更多>>
- 激光二极管抽运的Nd∶YVO_4 GaAs被动调Q激光器研究被引量：14
- 2002年
- 报道了激光二极管端面抽运Nd∶YVO4 半导体材料GaAs被动调Q激光器运转。测量了不同透过率输出镜条件下 ,输出调Q脉冲的宽度、能量及脉冲重复率。在抽运功率为 4W时 ,得到了脉宽为 30ns、能量为 8μJ、重复率为6 0kHz的稳定的调Q脉冲。
- 李平王青圃张行愚赵圣之王玉荣王继扬黄伯标张少军刘训民何京良吕兴强
- 关键词：激光二极管抽运ND:YVO4激光器GAAS被动调Q
- 应变无Al有源层InGaAsp/InGaP/In_(0.5)(GaAl)_(0.5)P/GaAs大功率激光二极管(英文)
- 2002年
- 生长了 In Ga Asp/In Ga P/In(Al Ga) P材料分别限制应变量子阱半导体激光器 ,发光波长 780 nm。利用电化学 C- V表征材料掺杂 ,掺杂浓度达 10 1 8cm- 1 。利用荧光 PL及 EL表征其光学性质。 PL峰为765 nm。制得 10 0 μm、宽 1m m长条形。测得阈值电流为 3 15 m A,斜率效率超过 1W/A,功率转换可达 40 %左右。注入电流 1.5 A,光功率单管输出达到 1.2 W。
- 尉吉勇黄伯标于永芹周海龙潘教青张晓阳秦晓燕陈文兰齐云
- 关键词：MOCVD
- 纳米晶体光催化剂降解染料废水的最新研究进展被引量：22
- 2004年
- 本文综述了近期光催化降解染料废水的研究进展,从光催化剂、反应条件、光降解反应产物及光催化降解染料废水的应用性四个方面介绍了其研究现状,指出今后的研究方向将集中在新型光催化剂的开发及光催化剂表面改性、光催化体系、光催化降解染料的反应机理及光催化剂与其它水处理技术的结合。
- 周静涛王弘黄伯标许效红姚伟峰张寅杨雪娜
- 关键词：废水降解染料废水表面改性
- 用椭圆偏振光谱法研究Ga_xIn_(1-x)P的光学性质(Ⅰ)被引量：4
- 1998年
- 用变入射角椭圆偏振技术测量了用金属有机气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ以及掺Ｓｉ和掺Ｚｎ样品在可见光区室温下的光学常数．对其结果进行了讨论，给出了带隙Ｅｇ和跃迁Ｅｇ＋Δ０的能量值，Δ０的实验值与计算值符合的很好．
- 张淑芝张燕锋黄伯标黄根生秦晓燕
- 关键词：带隙椭圆偏振光谱化合物半导体光学性质
- Al_xGa_(0.51-x)In_(0.49)P中Al的组分研究被引量：1
- 1999年
- 本文利用椭圆偏振光谱法测量了用ＭＯＣＶＤ方法在ＧａＡｓ衬底上生长的ＡｌＧａＩｎＰ及ＡｌＧａＩｎＰ掺Ｓｉ两个样品，在可见光区室温下的光学常数，求得吸收系数、介电函数随光子能量的变化关系。用有效介质近似理论（ＥＭＡ）和线性内插法计算了样品中Ａｌ的组分，并与Ｘ射线微区分析法（能谱法）的测量结果加以比较。
- 张淑芝连洁魏爱俭黄伯标崔德良秦晓燕王海涛
- 关键词：椭偏光谱
- Al_xGa_(0.51-x)In_(0.49)P光学性质的研究被引量：2
- 2000年
- 用MOCVD方法在GaAs衬底上生长了AlGaInP的本征及掺Si或掺Mg三个样品。用椭偏光谱法测量了样品在室温下可见光区的光学常数 ,并求其介电函数的三级微商谱。用三点比例内插法分析介电函数的三级微商谱 ,精确地得到样品的带隙Eg、Eg+Δ0 以及Eg 以上成对结构跃迁的能量位置 ,并对其结果加以分析。同时与沟道分析等方法相结合对材料的性能进行了鉴定。
- 连洁张淑芝卢菲魏爱俭黄伯标崔德良秦晓燕王海涛
- 关键词：ALGAINP光学性质砷化镓光学性质MOCVD
- GaAs双光子诱导光吸收对调Q激光器脉冲的影响
- 2000年
- 研究了利用 ＧａＡｓ的双光子诱导吸收实现调Ｑ激光脉冲展宽的原理，分析了 ＧａＡｓ的光吸收特性，建立了激光器速率方程并给出了数值解．在实验上，将 ＧａＡｓ薄片放入一电光调ＱＮｄ：ＹＡＧ激光器谐振腔中，同理论预测一样，激光输出脉冲的能量、峰值功率都低于常规调Ｑ激光脉冲，同时脉冲宽度得到了展宽．
- 李平王青圃张其第马宝民李颖黄伯标刘续民
- 关键词：调Q激光器脉冲砷化镓
