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黄柳英

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇栅介质
  • 3篇介质
  • 3篇介质薄膜
  • 2篇电子领域
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇栅介质薄膜
  • 2篇微电子领域
  • 2篇金属氧化物薄...
  • 2篇SUB
  • 2篇衬底
  • 2篇X
  • 1篇氧化二氮
  • 1篇原子层沉积
  • 1篇栅介质材料
  • 1篇气相沉积
  • 1篇硝酸盐
  • 1篇氯化物
  • 1篇介电
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积

机构

  • 4篇南京大学

作者

  • 4篇黄柳英
  • 3篇吴迪
  • 3篇李爱东
  • 2篇付盈盈
  • 2篇刘晓杰
  • 1篇章闻奇
  • 1篇邵起越

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2012
  • 1篇2010
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种采用MOCVD制备外延Gd<Sub>2-x</Sub>La<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>栅介质薄膜的方法
本发明公开了一种采用MOCVD制备外延Gd<Sub>2-x</Sub>La<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>栅介质薄膜的方法，首先对（100）Si衬底进行清洗；将清洗好的衬底移入MOCVD反应室，Gd源和...
李爱东黄柳英刘晓杰付盈盈吴迪
一种无水铪锆复合硝酸盐的合成方法及其在ALD沉积高介电复合氧化物薄膜中的应用
本发明公开了一种无水铪锆复合硝酸盐的合成方法及其在ALD方法沉积高介电复合氧化物薄膜中的应用，该合成方法首先是将发烟硝酸和五氧化二磷反应，产生的氮氧化物气体在低温下成为固态五氧化二氮；使固态五氧化二氮逐渐液化，伴随四氧化...
李爱东章闻奇黄柳英邵起越吴迪
文献传递
一种采用MOCVD制备外延Gd<Sub>2-x</Sub>La<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>栅介质薄膜的方法
本发明公开了一种采用MOCVD制备外延Gd<Sub>2-x</Sub>La<Sub>x</Sub>O<Sub>3</Sub>栅介质薄膜的方法，首先对（100）Si衬底进行清洗；将清洗好的衬底移入MOCVD反应室，Gd源和...
李爱东黄柳英刘晓杰付盈盈吴迪
文献传递
几种高介电栅介质材料的制备和表征
半导体行业迅猛发展，金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFETs)技术中一直是采用SiO2作为栅介质材料。随着集成度的提高，器件特征尺寸不断减小，栅氧化物层的厚度越来越薄，由此带来的隧穿电流和器件失效问题使得使用高介电常...
黄柳英
关键词：介质薄膜化学气相沉积原子层沉积场效应管
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