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黄艺

作品数：6 被引量：3H指数：1
供职机构：东南大学电子科学与工程学院毫米波国家重点实验室更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 3篇场效应
  • 2篇速度过冲
  • 2篇统计模型
  • 2篇微波
  • 2篇微波集成
  • 2篇物理模型
  • 2篇场效应管
  • 1篇电流-电压特...
  • 1篇电路
  • 1篇电压特性
  • 1篇优化算法
  • 1篇有源
  • 1篇有源器件
  • 1篇微波场效应管
  • 1篇微波集成电路
  • 1篇微波频率
  • 1篇模拟器
  • 1篇解析模型
  • 1篇晶体管
  • 1篇集成电路

机构

  • 6篇东南大学

作者

  • 6篇沈楚玉
  • 6篇黄艺

传媒

  • 2篇微波学报
  • 1篇东南大学学报...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇电子科学学刊
  • 1篇1997年全...

年份

  • 3篇1997
  • 2篇1996
  • 1篇1994
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
用因子分析法建立微波场效应管S参数的统计模型
1997年
本文提出用因子分析法建立微波场效应管S参数的统计模型,给出了建模的算法步骤和模拟结果,并与主成分分析法建立的统计模型进行了比较。从结果可以看出,用因子分析法建立的统计模型具有比较高的精度。
黄艺沈楚玉
关键词：统计模型场效应管S参数
一种新的HEMT器件I－V特性解析模型
1996年
提出一种考虑速度过冲效应的ＨＥＭＴ器件Ｉ－Ｖ特性解析模型．在非线性电荷控制模型的基础上，对栅极下面沟道中靠近源端附近的电场采用弱强阶梯场近似，提出了一个半经验的速度过冲模型．经实际计算结果表明。
黄艺沈楚玉
关键词：电流-电压特性场效应晶体管速度过冲
根据概率分布建立有源器件的统计模型
1996年
给出一种新的统计模型的建立方法。在有源器件物理模型的基础上，通过优化物理模型参数的均值和均方根，使所建立统计模型的Ｓ参数在各个频率上的概率分布逼近测量数据的概率分布。从建立微波ＭＥＳＦＥＴ统计模型的算例结果看出，本方法不仅能比较好地拟合样本Ｓ参数的概率分布，而且提高了计算效率。
黄艺沈楚玉
关键词：统计模型物理模型概率分布微波集成电路
微波集成电路成品率优化算法
本文将当前电路参数中心到可行域边界的归一化最短距离,作为电路成品率优化的目标函数,利用梯度优化算法,使归一化最短距离达到最大,从而使被设计的电路具有最大成品率.这种算法的最大优点是其计算量仅随设计变量数目的增加呈线性增加...
黄艺沈楚玉
文献传递
考虑速度过冲效应的HEMT物理模型被引量：1
1997年
本文提出一种考虑速度过冲效应的HEMT器件静态和小信号解析物理模型。通过对栅极下面沟道中靠近源端附近的电场采用弱强阶梯场近似，提出了一个半经验的速度过冲模型，在非线性电荷控制模型的基础上，导出了基于物理参数的HEMT器件电流一电压特性和小信号等效电路参数的解析表达式。实际计算结果与测得数据比较表明，本模型具有比较高的精度。
黄艺沈楚玉
关键词：速度过冲微波半导体器件
一种改进的微波MESFET模拟器被引量：2
1994年
本文介绍一种改进的基于器件物理参数的微波MESFET模拟器,它不仅可以模拟器件物理参数变化对MESFET特性(如等效电路元件、S参数、电流-电压特性)的影响,而且亦可以模拟MESFET特性随温度变化的情况.
黄艺沈楚玉
关键词：场效应管模拟器MESFET微波频率
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