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齐晨光
作品数:
5
被引量:1
H指数:1
供职机构:
河北大学
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发文基金:
河北省自然科学基金
国家教育部博士点基金
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
电气工程
电子电信
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合作作者
刘保亭
河北大学物理科学与技术学院
郭建新
河北大学物理科学与技术学院
赵庆勋
河北大学物理科学与技术学院
代秀红
河北大学
张磊
河北大学
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机构
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河北大学
作者
5篇
齐晨光
4篇
赵庆勋
4篇
郭建新
4篇
刘保亭
3篇
王英龙
3篇
周阳
3篇
张磊
3篇
代秀红
2篇
李晓红
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付跃举
1篇
贾冬梅
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人工晶体学报
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2016
4篇
2013
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用于硅基铁电电容器集成的一种阻挡层材料及集成方法
本发明公开了一种用于硅基铁电电容器集成的阻挡层材料及集成方法,以Ni-Nb做导电阻挡层材料,在硅衬底上生长非晶Ni-Nb薄膜,进而在所述非晶Ni-Nb薄膜上原位生长氧化物电极薄膜材料,在此基础上进一步完成铁电电容器的集成...
刘保亭
郭建新
张磊
齐晨光
赵庆勋
代秀红
周阳
王英龙
文献传递
Ni-Nb为导电阻挡层的硅基铁电电容器集成研究
采用磁控溅射法(magnetronsputtering),使用Si(001)基片在室温下制备了可用于铁电存储器集成的导电阻挡层Ni-Nb薄膜及电极La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)薄膜,采用溶胶-凝胶法(Sol-G...
齐晨光
关键词:
磁控溅射法
文献传递
一种用于铜互连的导电阻挡层材料及其制备方法
本发明公开了一种铜互连导电阻挡层材料及其制备方法,其采用磁控溅射法,在硅基片上依次集成非晶Nb-Ni导电阻挡层和Cu互联层。所述非晶Nb-Ni导电阻挡层的厚度为2~8000nm,优选为2~5nm,所述Cu互连层的厚度为5...
刘保亭
张磊
齐晨光
李晓红
代秀红
郭建新
周阳
赵庆勋
王英龙
一种用于铜互连的导电阻挡层材料及其制备方法
本发明公开了一种铜互连导电阻挡层材料及其制备方法,其采用磁控溅射法,在硅基片上依次集成非晶Nb-Ni导电阻挡层和Cu互联层。所述非晶Nb-Ni导电阻挡层的厚度为2~8000nm,优选为2~5nm,所述Cu互连层的厚度为5...
刘保亭
张磊
齐晨光
李晓红
代秀红
郭建新
周阳
赵庆勋
王英龙
文献传递
含Ni-Nb阻挡层的硅基Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3电容器的制备及铁电性能研究
被引量:1
2013年
采用Ni-Nb薄膜作为导电阻挡层,以La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)为底电极,构建了LSCO/Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3(PZT)/LSCO异质结电容器。使用X射线衍射仪和铁电测试仪对其进行结构表征和性能测试。实验发现:Ni-Nb薄膜为非晶结构,PZT薄膜结晶状况良好。LSCO/PZT/LSCO电容器在5 V外加电压测试下,电滞回线具有良好的饱和趋势,剩余极化强度Pr为35.5μC/cm2,矫顽电压Vc为1.42 V,电容器具有良好的抗疲劳特性和保持特性。
赵庆勋
齐晨光
贾冬梅
付跃举
郭建新
刘保亭
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