您的位置： 专家智库 > >

齐晨光

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：河北大学更多>>
发文基金：河北省自然科学基金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇电路
  • 3篇集成电路
  • 3篇溅射
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 3篇大规模集成电...
  • 2篇电容
  • 2篇电容器
  • 2篇铁电
  • 2篇铜互连
  • 2篇阻挡层
  • 2篇互连
  • 2篇溅射法
  • 2篇硅基
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体工艺
  • 2篇NB
  • 2篇NI
  • 2篇磁控溅射法
  • 1篇导电

机构

  • 5篇河北大学

作者

  • 5篇齐晨光
  • 4篇赵庆勋
  • 4篇郭建新
  • 4篇刘保亭
  • 3篇王英龙
  • 3篇周阳
  • 3篇张磊
  • 3篇代秀红
  • 2篇李晓红
  • 1篇付跃举
  • 1篇贾冬梅

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2016
  • 4篇2013
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
用于硅基铁电电容器集成的一种阻挡层材料及集成方法
本发明公开了一种用于硅基铁电电容器集成的阻挡层材料及集成方法，以Ni-Nb做导电阻挡层材料，在硅衬底上生长非晶Ni-Nb薄膜，进而在所述非晶Ni-Nb薄膜上原位生长氧化物电极薄膜材料，在此基础上进一步完成铁电电容器的集成...
刘保亭郭建新张磊齐晨光赵庆勋代秀红周阳王英龙
文献传递
Ni-Nb为导电阻挡层的硅基铁电电容器集成研究
采用磁控溅射法（magnetronsputtering），使用Si(001)基片在室温下制备了可用于铁电存储器集成的导电阻挡层Ni-Nb薄膜及电极La0.5Sr0.5CoO3(LSCO）薄膜，采用溶胶－凝胶法(Sol-G...
齐晨光
关键词：磁控溅射法
文献传递
一种用于铜互连的导电阻挡层材料及其制备方法
本发明公开了一种铜互连导电阻挡层材料及其制备方法，其采用磁控溅射法，在硅基片上依次集成非晶Nb-Ni导电阻挡层和Cu互联层。所述非晶Nb-Ni导电阻挡层的厚度为2~8000nm，优选为2~5nm，所述Cu互连层的厚度为5...
刘保亭张磊齐晨光李晓红代秀红郭建新周阳赵庆勋王英龙
一种用于铜互连的导电阻挡层材料及其制备方法
本发明公开了一种铜互连导电阻挡层材料及其制备方法，其采用磁控溅射法，在硅基片上依次集成非晶Nb-Ni导电阻挡层和Cu互联层。所述非晶Nb-Ni导电阻挡层的厚度为2~8000nm，优选为2~5nm，所述Cu互连层的厚度为5...
刘保亭张磊齐晨光李晓红代秀红郭建新周阳赵庆勋王英龙
文献传递
含Ni-Nb阻挡层的硅基Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3电容器的制备及铁电性能研究被引量：1
2013年
采用Ni-Nb薄膜作为导电阻挡层,以La0.5Sr0.5CoO3(LSCO)为底电极,构建了LSCO/Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3(PZT)/LSCO异质结电容器。使用X射线衍射仪和铁电测试仪对其进行结构表征和性能测试。实验发现:Ni-Nb薄膜为非晶结构,PZT薄膜结晶状况良好。LSCO/PZT/LSCO电容器在5 V外加电压测试下,电滞回线具有良好的饱和趋势,剩余极化强度Pr为35.5μC/cm2,矫顽电压Vc为1.42 V,电容器具有良好的抗疲劳特性和保持特性。
赵庆勋齐晨光贾冬梅付跃举郭建新刘保亭
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0