丁孙安
- 作品数：11 被引量：17H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- ＮｉＩｎ（Ｇｅ）／ｎ－ＧａＡｓ欧姆接触的研究
- 丁孙安许振嘉
- 关键词：欧姆接触电阻砷化镓半导体工艺
- 铬硅化物的形成及其界面反应
- 1990年
- 利用AES,XRD,UPS,XPS等技术研究了(0-1000A)Cr-Si(111),(100)系统在不同真空条件,不同温度热处理和不同Si表面状态下,铬硅化物的形成及其界面反应演化问题。在一定条件下,铬硅化物的形成规律为:Cr/Si→CrSi_2→CrSi,其中CrSi_2是一个亚稳相。Cr-Si界面在室温下的反应演化过程是:金属Cr/富Cr相(2—4A)/Cr-Si互混相(～10A)/富Si相(～2A)/Si。Cr-Si界面只有加热后才能形成确定化学配比的硅化物。形成各种硅化物的条件除与退火温度,真空条件有关外,还与覆盖度θ,硅表面状态和热处理时间有关。对于Cr—Si界面及铬硅化物的电子性质也进行了讨论。
- 丁孙安许振嘉李宝骐周一峰
- 关键词：XPSUPS
- Pt/Si界面反应与肖特基势垒形成的研究被引量：4
- 1993年
- 利用俄歇电子能谱、二次离子质谱、深能级瞬态谱(DLTS)和C-V法等电学测量方法,详细研究了Pt/Si和Pt硅化物/Si界面的反应性质、原子结构及杂质/缺陷的分布,讨论了它们对肖特基势垒的形成、势垒特性和势垒高度的影响。
- 丁孙安许振嘉
- 关键词：肖特基势垒硅化物铂
- 氢等离子体对（Pt及其硅化物）／Si界面的杂质／缺陷态和势垒的影响被引量：1
- 1994年
- 存在于（Ｐｔ及其硅化物）／Ｓｉ界面的深能级缺陷常常会影响器件的性能．本文主要讨论氢等离子体对（Ｐｔ及其硅化物）／Ｓｉ界面深能级杂质缺陷的钝化作用及对其Ｓｃｈｏｔｔｋｙ势垒的影响．
- 丁孙安许振嘉
- 关键词：硅氢等离子体
- A^ⅢB^Ⅴ化合物半导体欧姆接触的研究进展被引量：9
- 1994年
- 本文全面、系统地评述了A~ⅢB~Ⅴ化合物半导体材料上欧姆接触的研究现状和发展方向。首先考虑金属／半导体接触物理，从理论上阐明了欧姆接触的机理，以及对其表征和测试。其次，文章用大量篇幅，总结了利用不同方法（如重掺技术、金属化和能带工程等）实现各种A~ⅢB~Ⅴ半导体材料上欧姆接触的工艺过程、实验研究和重要结论，其中以GaAs最为详细。结合器件的发展和实际工艺的要求，文章还分析了各种制备方法的优缺点，并指出这方面研究工作目前存在的、急需解决的一些问题。
- 许振嘉丁孙安
- 关键词：欧姆接触化合物半导体
- NiIn（Ge）／n－GaAs欧姆接触的研究
- 1995年
- 本文报道了一种用电子束蒸发制备铟基金属与ｎ型ＧａＡｓ单晶欧姆接触ＮｉＩｎ（Ｇｅ）／ｎ－ＧａＡｓ材料．其接触电阻率ρｃ对随后的热退火温度存在着典型的Ｕ型依赖关系．透射电子显微镜（ＴＥＭ）及俄歇电子能谱（ＡＥＳ）的分析结果指出ρｃ值的大小很大程度取决于ＧａＡｓ衬底与金属接触材料间ＩｎＧａＡｓ相的形成及其覆盖度．文中还对金属接触材料与砷化镓相互作用的动力学进行了讨论．
- 范缇文丁孙安张金福许振嘉
- 关键词：砷化镓欧姆接触合金化
- O_2在FeSi(100)表面的初始吸附研究
- 1992年
- 本文利用高分辨电子能量损失谱(HREELS),俄歇电子能谱(AES)和低能电子衍射(LEED)详细研究了O_2在FeSi(100)表面上的初始吸附阶段(0-10L),以及温度(RL-550℃)对吸附的影响.此外,通过对实验结果的分析,给出一种室温下O原子在FeSi(100)表面上吸附的模型.
- 丁孙安许振嘉
- 关键词：氧分子FESI俄歇电子能谱
- 硅化物形成条件对Pt硅化物/硅势垒的影响被引量：1
- 1993年
- 利用俄歇电子能谱、深能级瞬态谱、及I—V和C—V两种电学测量方法对PtSi/N-Si和PtSi/P-Si两种肖特基势垒的形成条件与势垒高度之间的关系进行了详细研究。从理论上分析了在退火过程中引入的影响肖特基势垒特性的各种因素,同时指出了获得理想肖特基势垒的退火条件。
- 丁孙安许振嘉
- 关键词：硅化物肖特基势垒铂退火
- 硅化物表面与硅化物/硅界面研究－FeSi表面氧吸附与（Cr, Pt)硅化物/硅界面研究
- 丁孙安
- 关键词：硅化物
- （Pt及其硅化物）／硅界面的深能级研究被引量：3
- 1994年
- 本文利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ），详细研究了（Ｐｔ及其硅化物）／Ｓｉ界面上存在的各种深能级缺陷中心，并分析了引起这些缺陷的原因及与界面原于结构的关系．
- 丁孙安许振嘉
- 关键词：半导体材料硅化物能级深能级
