丁富荣
- 作品数：16 被引量：18H指数：3
- 供职机构：北京大学物理学院核物理与核技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家基础科学人才培养基金国家教育部“211”工程更多>>
- 相关领域：理学核科学技术电子电信更多>>
- 高能（MeV级）氧离子注入本征型GaAs的电性能及注入损伤退火行为的研究
- 1994年
- 在本征型ＧａＡｓ中注入２．０ＭｅＶ（剂量１．０×１０１５／ｃｍ２）＋２．９ＭｅＶ（剂量１．１×１０１５／ｃｍ２）的１６Ｏ，使氧在约１．５—２．５μｍ之间形成均匀分布。注入样品分别经４００—８００℃、１５ｍｉｎ热退火后的电阻率测量表明，经５００℃和６００℃退火后的样品具有高的电阻率（～１０８Ω·ｃｍ）；而当退火温度进一步升高时，其电阻率逐渐下降，并具有ｐ型导电行为。沟道ＲＢＳ分析表明，当退火温度高于７００℃时，因注入形成的样品晶格损伤得到基本恢复。
- 韦伦存丁富荣
- 关键词：砷化镓离子注入高能
- 北京大学1.7MV串列加速器的维护与改进被引量：3
- 1996年
- 本文介绍了一台进口的大型仪器设备近十年来在运行、维护的基础上，不断进行性能改进和功能扩展，使其达到了较佳的状态，在科研、教学中发挥了重要作用，并突破了引进时仅作为离子束分析的基本功能，而发展到目前有可能开展大量基础研究、高能注入以及MeV团簇离子与物质相互作用的研究。
- 沈定予王雪梅丁富荣夏宗璜刘洪涛李硕中赵强谢淑娴卢希庭江栋兴
- 关键词：静电加速器
- 背散射模拟谱与实验谱的显示软件的应用
- 1989年
- 材料科学的研究在国防事业、工农业生产和国计民生的各个方面有着重要的意义。加速器离子束分析如背散射分析(RBS),沟道分析(Channeling)、核反应分析(NRA)及质子荧光分析(PIXE)等以其不破坏样品,分析灵敏度高,迅速可靠等特点在材料科学研究领域占有独特的优势。它适于研究半导体、超导和各种金属材料。特别是背散射分析非常适于分析材料表面几百纳米薄层内的原子组分、深度分布及不同材料之间的界面反应等,这些分析为研究各种材料的特性,提高它们的品质,研制各种新型特殊材料提供了可靠的理论与实验的依据,为了提高背散射分析的精度,更迅速地处理实验数据。
- 张如菊丁富荣
- 关键词：背散射
- MeV离子轰击碳样品引起的碳氢团簇产额
- 2014年
- 利用北京大学2×1.7MV静电串列加速器产生的1.5MeV Au2+和Si+束流轰击碳纳米管样品,用二次离子飞行时间质谱方法分析了二次离子成分,通过质量已知的样品的定标,确认了轰击产生的二次离子质量。分析束流轰击后的二次离子产额,发现在此能量下二次离子产额与离子在物质中射程的横向歧离表现出正相关。
- 刘坤郑涛郭猜杨江燕田继挺聂锐马宏骥丁富荣
- 关键词：二次离子质谱飞行时间
- MeV能量Si^+引起二次离子发射的研究被引量：2
- 2012年
- 利用北京大学2×1.7 MV串列加速器终端的飞行时间(TOF)谱仪,分别用1.5、2.0和3.0MeV三种能量的初级束Si+轰击样品来研究其二次离子发射现象,使用的样品包括石墨、碳纳米管等。结果表明,采用合理的降噪方法后得到了高信噪比和高时间分辨率的二次离子质谱,实现了全质量范围无遗漏记谱。利用H-C12峰刻度之后,计算得出二次离子各成分的最可能构成及产额,碳纳米管样品表面氢质量含量为8.15%。同时,发现MeV能区二次离子产额与Si+阻止本领之间的关系并非简单的正相关。
- 祝兆文郑涛侯杰聂锐马宏骥刘坤郭猜丁富荣
- 关键词：二次离子质谱飞行时间降噪碳纳米管
- 二次离子质谱进展被引量：4
- 2011年
- 指出了二次离子质谱技术在材料表面分析方面有着广泛的应用,随着探测方法的改进,此技术也得到了迅速发展.在北京大学2×1.7MV串列静电加速器实验室,利用加速器飞行时间二次离子质谱装置对碳基材料进行了分析,通过实验观察到碳纳米管材料对氢具有很强的吸附能力,证实了理论上对此材料储氢能力的预言.
- 祝兆文侯杰郑涛马宏骥聂锐丁富荣
- 关键词：加速器飞行时间二次离子质谱
- 使用背散射与二次离子质谱方法分析类金刚石厚样品中的杂质被引量：1
- 2014年
- 卢瑟福背散射分析是测定薄膜或镀层成分和厚度的成熟手段,但在分析含多种微量元素成分的厚样品时,精确测定样品中多种元素的分布是比较困难的。二次离子质谱对样品表面成分有较高的质量分辨能力,可以作为对卢瑟福背散射分析的补充。在北京大学2×1.7 MV串列静电加速器终端上,结合使用这两种分析方法,分析了类金刚石厚样品中的金属元素杂质。
- 郭猜郑涛刘坤杨江燕田继挺聂锐马宏骥丁富荣
- 关键词：卢瑟福背散射二次离子质谱类金刚石薄膜
- 4He离子在N元素上的非卢瑟福散射
- 一些含 N 化合物如 TiN 等,具有良好的导电性能,在微电子器件上有广泛的应用,其导电性能的好坏与 TiN 的成分比有很大关系：不锈钢材料中注入 N,其浓度与分布直接影响着材料的硬度,成为离子注入中的热门课题。因此,对...
- 杜社奎丁富荣董卫中
- 文献传递
- 注入条件对SIMOX材料的影响被引量：1
- 1995年
- 利用ＲＢＳ和ＴＥＭ技术分析研究了不同注入剂量、注入方式（单重注入，多重注入）对ＳＩＭＯＸ材料各层结构的影响，特别着重研究了Ｓｉ／ＳｉＯ＿２界面过渡区受注入条件的影响．结果表明，在注入剂量相同的情况下，多重注入不仅能改善顶层单晶、ＳｉＯ＿２绝缘层的质量，而且能显著减小Ｓｉ／ＳｉＯ＿２界面过渡区宽度。
- 李映雪游曲波甘学温武国英王阳元丁富荣韦伦存
- 关键词：氧注入SOI
- Zn离子注入在GaN中的辐照损伤
- 能量为140keV的Zn离子在室温条件下分别沿GaN的<0001>方向(沟道方向)和随机方向(偏离<0001>方向10°)进行注入,注入剂量范围从1×1013原子/cm2到4×1016原子/cm2。利用沟道背散射方法和高...
- 丁富荣史平王尧A.Vantomme
- 关键词：GAN背散射高分辨透射电镜
- 文献传递
