乔辉
- 作品数：76 被引量：48H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术航空宇航科学技术更多>>
- 具有组分梯度的HgCdTe探测器在激光测量中的潜在应用
- 2024年
- 该文将组分梯度引入HgCdTe探测器结构设计中,提出了一种可以降低PN结附近热激发载流子浓度的方法。建立暗电流机制模型,分析高温下暗电流成份,分析结果表明,降低热激发载流子浓度对结区的影响是提高器件工作温度的关键。利用组分梯度在PN结附近构建不同的电场,不同电场下样品暗电流和噪声电流随温度的变化曲线表明,构建的电场越强,降低结区附近热激发载流子浓度的效果越明显。通过数据分析,提出构建103 V/cm量级的组分梯度内建电场可抑制热激发载流子向结区的扩散运动,有效地降低结区附近热激发载流子浓度。
- 徐国庆王仍陈心恬乔辉杨晓阳储开慧王大辉杨鹏翎李向阳
- 关键词：暗电流
- 改变背景辐射研究碲镉汞中波光导探测器低频噪声
- 针对工程研发中发现的两种碲镉汞中波光导探测器1KHz下噪声在封装前后变化幅度不同的现象,通过改变背景辐射条件测量得到了两种器件的低频噪声频谱.对两种器件的低频噪声频谱分析表明,噪声大的器件在改变背景辐射条件前后都以1/f...
- 任仁乔辉刘大福孔令才张燕李向阳
- 关键词：低频噪声金属杂质碲镉汞
- 文献传递
- 离子束刻蚀碲镉汞中转型宽度
- 2014年
- 用Ar+离子束在p型HgCdTe(碲镉汞)上刻蚀出不同体积的环孔,利用激光诱导电流方法测试转型后的n区宽度.研究发现,在相同的刻蚀条件下,n区宽度取决于材料的汞空位浓度和被刻蚀HgCdTe体积.当被刻蚀HgCdTe体积相同时,n区宽度随汞空位浓度的增加呈线性减小;当汞空位浓度一定时,n区宽度随被刻蚀HgCdTe体积的增加呈线性增加.
- 徐国庆刘向阳王仍储开慧汤亦聃乔辉贾嘉李向阳
- 子像元结构碲镉汞光伏器件暗电流特性的研究
- 2017年
- 针对碲镉汞光伏器件的暗电流随着物理面积增大而急剧增加,研究了子像元结构在降低大面积短波碲镉汞光伏器件暗电流方面的有效性。发现子像元结构在室温下相比常规结构可以有效降低器件的暗电流,但当温度降到180 K时,常规结构器件反而具有最小的暗电流,经过分析认为是子像元边界处引入的表面漏电所致。如果器件的表面态密度和表面固定电荷过多,会使得子像元边界在低温下引入表面隧穿电流和表面欧姆电流,这些与边界有关的表面漏电会成为低温下暗电流的主要成分,从而使子像元结构失去降低器件暗电流的优势。文章中同时给出了低温下子像元结构可以有效降低器件暗电流的条件,并针对不同的子像元结构,提出了漏电体积这一参量来评价不同结构子像元降低器件暗电流的效果。
- 乔辉李向阳
- 关键词：暗电流光伏器件碲镉汞
- LBIC技术研究平面结与台面结InGaAs探测器
- 室温铟镓砷(InGaAs)焦平面技术在军事与航天工业上的应用越来越广泛,铟镓砷(InGaAs) 焦平面列阵中探测器的尺寸正不断减小,这使得常规工艺形成的光伏探测器的有效光敏元面积扩大的问题越来越突出。本文利用激光诱导电流...
- 张可锋吴小利唐恒敬吕衍秋乔辉贾嘉李雪龚海梅
- 关键词：INGAAS探测器
- 文献传递
- 延伸波长InGaAs红外探测器的实时γ辐照研究被引量：2
- 2010年
- 通过实时测试方法,研究了延伸波长InGaAs红外探测器在55×104rad的γ辐照下的电流-电压特性变化,发现器件的暗电流没有明显变化,零偏电阻稍有变化,但变化的幅度很小。在辐照前后对器件的性能进行了测试,发现在辐照后器件的信号稍有下降,噪声基本不变,说明在受到辐照后器件的探测性能略有下降。对器件在辐照前后的低频噪声进行了测试,发现整个低频区的噪声都没有明显的改变。这些结论表明γ辐照对延伸波长InGaAs器件的影响较小。
- 李淘乔辉李永富唐恒敬李雪龚海梅
- 关键词：红外探测器INGAASΓ辐照
- 紫外焦平面探测器读出电路抗辐照加固设计
- 2018年
- 分析了MOS器件的辐照特性及辐照失效机理。基于Global Foundries 0.35μm CMOS工艺,设计了一款320×256抗辐照加固紫外焦平面读出电路。该电路数字部分MOS管采用环形栅和双环保护进行加固,并在读出电路表面交替生长了SiO2-Si3N4复合钝化层。对加固后的读出电路进行了γ辐照试验,并使用示波器实时监测读出电路的输出状态。对比加固前后的读出电路实时辐照状态表明,加固后的读出电路抗辐照性能得到了明显提高,其抗电离辐照总剂量由35krad(Si)提升至50krad(Si)。
- 马丁乔辉乔辉刘福浩张燕
- 关键词：紫外焦平面读出电路抗辐照电离辐照
- LBIC技术研究InGaAs线列探测器串音及光敏感区被引量：5
- 2007年
- 利用激光诱导电流技术研究了InGaAs台面探测器的相邻探测器间的串音和光敏感区。用分子束外延方法生长掺杂InGaAs的PIN InP/InGaAs/InP外延材料,制备了256×1正照射台面InGaAs线列探测器。测试结果表明,InGaAs线列探测器相邻探测器间没有串音,虽然台面结构周围吸收层已被腐蚀,但因为少数载流子的侧向收集,扩大了有效光敏感区。
- 吕衍秋乔辉韩冰唐恒敬吴小利李雪龚海梅
- 关键词：INGAAS探测器串音
- 大气环境监测卫星宽幅成像仪高性能碲镉汞红外探测芯片
- 2023年
- 宽幅成像仪(WSI)是大气环境监测卫星中的主要载荷之一,可以提供从可见光到长波红外的地球环境成像遥感数据。宽幅成像仪中搭载了从1.3~12.5μm红外波段进行探测的8个波段碲镉汞红外探测器,各波段采用窄带滤光片进行分光,8个波段的碲镉汞探测器封装在短波、中波和长波3个组件中。本文中对8个波段的碲镉汞红外探测器进行了概述,内容涵盖了探测器的设计思想、制备工艺和测试方法,最后给出了目前在轨运行的高性能探测器组件的探测率性能和响应光谱,同时与各波段器件的探测率指标进行了对比。
- 乔辉王妮丽杨晓阳郭强蒯文林徐国庆张冬冬李向阳
- 关键词：碲镉汞光导探测器光伏探测器
- 室温中波红外碲镉汞探测器激光辐照饱和特性的仿真
- 2023年
- 针对室温工作的光伏型碲镉汞中波红外探测器激光辐照饱和特性进行了仿真,结果表明,中红外激光对碲镉汞材料的加热效应以及光照导致零偏压阻抗降低,是影响探测器输出量子效率的重要因素。利用一维数值仿真方法,建立了室温碲镉汞pn结的模型,计算了稳态激光辐照下器件量子效率以及零偏压阻抗。理论计算了激光辐照下的稳态温度分布近似模型,并将温度场分布耦合到仿真计算中,发现衬底厚度会影响芯片的温升,从而显著影响器件饱和阈值的大小。另外,计算表明,随着光照强度的增加,器件的零偏压阻抗降低,并将仿真结果与实测芯片参数进行了比较。计算分析为设计高饱和辐照度阈值的中波红外碲镉汞探测器提供了参考。
- 李向阳桑茂盛徐国庆乔辉储开慧杨晓阳杨鹏翎王大辉
- 关键词：激光辐照温度场数值仿真
