于东麒
- 作品数：21 被引量：24H指数：3
- 供职机构：辽宁师范大学物理与电子技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省教育厅高校重点实验室项目国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程环境科学与工程更多>>
- CdS_xSe_(1-x)量子点异常的变温光致发光谱特性研究
- 2010年
- 采用一种简单的旋涂热蒸发方法在InP衬底上制备出CdSxSe1-x量子点.利用变温光致发光谱(温度范围:10～300K)研究CdSxSe1-x量子点的光学特性.在温度为180～200K范围内,光致发光谱的积分强度随温度升高呈现出一种异常现象.当温度由10K升至300K时,带隙能红移61.34meV.根据Vegard定律,由X射线衍射数据和室温光致发光谱峰位能量计算得到CdSxSe1-x量子点中S和Se的成分比为0.9:0.1.此外,通过光致发光谱峰位能量和曲线拟合得到CdS0.9Se0.1量子点材料Varshni关系参数为:α=(3.5±0.1)10-4eV/K,β=(210±10)K.
- 于东麒陈希张贺秋胡礼中乔双双孙开通
- 关键词：量子点
- 振动式发电装置
- 本实用新型公开一种振动式发电装置，其特征在于：所述的发电装置包括基座（1），基座（1）的一侧固定设置有悬臂的弹性振动片（2），弹性振动片（2）的上、下表面均覆盖有压电发电膜（3），在弹性振动片（2）的自由端设置有配重块（...
- 周芸李永文张华刘丽娟杨利容于东麒顾吉林
- 文献传递
- ZnO纳米结构与器件的制备和研究
- 近年来,半导体纳米结构因其在先进器件等方面存在广阔的应用前景,而成为国内外纳米领域人们关注的热点。其中,ZnO纳米阵列结构被认为是最具有应用前景的纳米材料之一。ZnO是一种宽禁带直接带隙Ⅱ-Ⅳ族半导体材料,室温下禁带宽度...
- 于东麒
- 关键词：氧化锌纳米阵列光致发光谱磷掺杂
- 文献传递
- 铜基底上制备CuO纳米线的原位构筑及其在低温等离子体-催化氧化甲苯应用被引量：2
- 2017年
- 应用简单的热氧化方法发展一种简单、绿色、可大规模制备的高效整体式铜基催化剂.通过SEM对催化剂的形貌进行表征并对其结构进行分析;将铜基催化剂与低温等离子体结合,研究其在低温等离子体-催化氧化甲苯的效用,结果表明以铜泡沫为基底的催化剂相对来说降解效果较好,在耗能较低的情况下降解率达到96%.
- 于东麒段连杰郑敏芳刘欢于伟行
- 关键词：低温等离子体铜基催化剂甲苯降解
- 无催化法制备ZnO纳米针的结构及光学特性被引量：5
- 2008年
- 采用无催化脉冲激光沉积(PLD)方法,在InP(100)衬底上生长纳米ZnO针状结构。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)以及光致发光(PL)谱等对ZnO纳米针的形貌、晶体结构和光学特性表征。SEM图像观察到ZnO纳米针状结构具有一定的取向性。XRD测试在2θ=34.50°处观测到强烈的ZnO(002)衍射峰,证实ZnO纳米针具有较好的c轴择优取向。室温PL谱在379nm处观察到了较强的自由激子发射峰(半峰全宽为13.5nm),而微弱的深能级跃迁峰位于484nm,二者峰强比值为11∶1,表明生长的纳米ZnO结构具有较高的光学质量。
- 于东麒李娇胡昊孙景昌张贺秋赵子文付强杜国同胡礼中
- 关键词：脉冲激光沉积光致发光光谱X射线衍射
- TiO_2介孔球的形貌控制及其在染料敏化太阳能电池中的应用研究被引量：4
- 2012年
- 本文通过简单溶胶-凝胶和溶剂热后处理反应,以价格低廉、相对环保正己胺作结构向剂合成尺寸分均匀、孔径为18.9nm、比表面积为89.76m2g-1锐钛矿相TiO2介孔球.通过使用不同烷基碳链长度有胺作为结构向剂合成介孔球研究表明:较长烷碳链,有利于形成质量较高的TiO2介孔球;但是,只有当有胺烷碳链长度适中时,能获形貌最佳TiO2介孔球.改变水与钛源摩尔比可实现TiO2介孔球直径在300-1400nm间有效调节.延长反应时间,球表面越来越光滑,直径逐渐增加,最后可达近1400nm.选用正己胺为结构向剂、添加水、反应18h并经溶剂热后处理TiO2介孔球作为染料敏化太能电池光极料,吸附N719染料后敏化太能电池光电转化效率达5.56%,与相同条件下用P25作光极料效率(5.27%)相比提高5.5%,初步显示了TiO2介孔球在太能利用领域中应用潜力.
- 周静蔡冰高明张文华于东麒由万胜
- 关键词：溶剂热合成
- 自催化脉冲激光沉积方法制备ZnO纳米棒阵列被引量：3
- 2009年
- 采用脉冲激光沉积方法在ZnO作为缓冲层的InP(100)衬底上制备了高密度ZnO纳米棒阵列.扫描电子显微镜图像显示ZnO缓冲层形成较为均匀的岛状结构,ZnO纳米棒具有垂直于衬底的统一生长方向.X射线衍射测试在34.46°出现尖锐的衍射峰,说明ZnO纳米棒具有(002)择优取向.PL谱在380nm出现强的近带边发射峰,在495nm出现弱的深能级发射峰,表明ZnO纳米棒具有较好的光学性质.本实验制备的高质量ZnO纳米棒阵列有望在现在和未来的纳米器件制作中得到应用.
- 于东麒胡礼中李娇胡昊林颂恩张贺秋陈希付强乔双双
- 关键词：氧化锌纳米棒阵列缓冲层自催化脉冲激光沉积
- 中性top介子对轻子味破坏过程和tγ、tZ产生的贡献
- 粒子物理的标准模型(SM)，是描述基本粒子及其强相互作用和电弱相互作用的规范理论.标准模型创建四十年来已被大量的精确实验所验证，但是它不能解释电弱对称性破缺来源，而且其标量场部分存在平庸性、不自然性等问题。因此，标准模型...
- 于东麒
- 关键词：人工色理论TC2模型粒子物理学电弱对称性破缺理论物理学
- 文献传递
- 中性Top介子与轻子味破坏衰变过程
- 2005年
- 在顶色辅助的人工色(TC2)模型框架下,研究了中性top介子π_t^0对轻子味破坏(LFV)过程l_i→l_jγ,l_i→l_Jl_kl_l和t→cl_il_j的贡献。考虑到当前μ→eγ过程的实验上限对TC2模型中自由参数的一些限制,进一步计算了top介子对过程l_i→l_jl_kl_l和t→cl_il_j分支比的量子修正。数值结果表明,在大部分参数空间内分支比的值可提高几个量级。top介子对某些过程的修正效应也许可被将来的实验观测到。
- 岳崇兴于东麒
- 关键词：分支比衰变过程轻子TC2模型
- 垂直排列ReS2(1-x)Se2x合金纳米片的控制合成及带隙调控
- 2018年
- 二维过渡金属硫属化合物具有优异的电学和光学特性,形貌控制及带隙调控对于其在光电子学、光子学、纳米电子学领域中的应用至关重要。研究采用CVD技术在SiO_2/Si衬底上生长了垂直排列ReS_2纳米片材料,硒化处理后得到ReS_(2(1-x))Se_(2x)合金纳米片,并研究了硒化温度(700、850和920℃)及硒化时间(0.5、1和1.5h)对ReS_(2(1-x))Se_(2x)合金纳米片形貌及组分的影响。XPS元素定量分析及紫外–可见–近红外吸收光谱研究表明ReS_(2(1-x))Se_(2x)样品中Se含量可以在x=0(纯ReS_2)到x=0.86之间调变,相应材料的带隙可从1.55eV(800nm)调变到1.28eV(969 nm)。SEM结果显示ReS_(2(1-x))Se_(2x)纳米片的结构受到硒化温度和硒化时间的影响,硒化温度升高和硒化时间延长会破坏纳米片的垂直结构。上述结果表明本研究成功合成了垂直排列ReS_(2(1-x))Se_(2x)合金纳米片,该材料在电化学催化、功能电子器件和光电子器件方面具有潜在应用价值。
- 敖伟栋刘妍马青山刘欢周斌郑霄家于东麒张文华
