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本征约瑟夫森结跳变电流分布的量子修正被引量：2: 2008年; 在约瑟夫森结跳变电流统计分布的理论拟合过程中,通常考虑的是宏观量子隧穿与热激活这两种过程.对Bi2Sr2CaCu2O8+δ表面本征约瑟夫森结的结果分析表明,在宏观量子隧穿与热激活的交界区域内,若考虑量子修正能使实验曲线与理论曲线符合得更好.这种较为完整的拟合方法,对研究本征约瑟夫森器件中的宏观量子现象及其在超导量子比特中的应用具有积极的意义.; 崔大健林德华于海峰彭智慧朱晓波郑东宁景秀年吕力赵士平; 关键词：约瑟夫森结量子修正

超导铌膜共面波导谐振腔的制备和测量: 在5mm*10mm的氧化硅片(＞3000 /cm)上用磁控溅射制备厚度150nm的铌膜,利用紫外曝光和反应离子刻蚀制作线宽20μm,间隙为10μm的共面波导谐振腔.谐振腔的长度(谐振频率设计值)有6mm (10GHz),...; 黄克强薛光明于海峰田野刘伟洋吴玉林邓辉赵士平郑东宁

超导量子比特的制备和测量: 超导量子电路既是实现量子计算的一种非常有潜力的方案,同时又是少数几个可以直接观测验证基本量子力学规律的宏观系统,这使超导量子电路是一个既有实际运用价值,同时又具有基础物理研究意义的领域.这里我们报道我们在超导量子电路中的...; 吴玉林邓辉陈莺飞于海峰田野李洁赵士平郑东宁

多层交替沉积后退火处理MgB_2超导薄膜上约瑟夫森结的制备: 2012年; 在多层交替(SiC/[Mg/B]5)沉积后退火处理的MgB2薄膜上用紫外光刻和Ar离子刻蚀制作出SQUID环路膜条,然后用聚焦离子束(FIB)刻蚀方法在SQUID的环路上制作了150～300nm之间不同尺寸的纳米微桥结构,并测量了其电阻温度(R-T)曲线和电流电压(I-V)曲线.膜条的R-T曲线与薄膜基本相同,表明薄膜没有受到膜条制备过程中潮湿的影响.对SQUID的R-T关系测量发现电阻有较大升高,并看到由纳米微桥的存在而具有的结构.SQUID的I-V曲线表明,纳米微桥形成了弱连接,超流主要体现为约瑟夫森耦合电流.其中一个150nm宽纳米微桥的SQUID,其回滞消失的温度约为10K,在此温度下,得到临界电流Ic约为4.5mA,IcRN～2.25mV,单个纳米微桥结的临界电流密度约为1.5×107A/cm2.临界电流Ic随温度以幂指数关系变化,也验证了纳米微桥的弱连接特性.我们的实验对基于MgB2薄膜的约瑟夫森器件制备具有参考价值.; 邓辉戴倩于海峰魏彦锋王福仁任建坤崔丽敏吴玉林赵士平陈莺飞李洁郑东宁; 关键词：退火 MGB2 约瑟夫森结

超导量子比特与量子计算: 2013年; 量子计算相比经典计算有着无可比拟的优越性,它将可能在本世纪引发一场新的技术革命。本文简要介绍了量子计算的基本概念,以及物理实现的一个重要方面：超导量子比特与量子计算。; 刘伟洋于海峰薛光明赵士平; 关键词：量子计算超导量子比特

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于海峰