于淑珍
- 作品数：6 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院研究生院更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质被引量：2
- 2010年
- 采用金属有机化学气相沉积技术,利用自催化法,在Si(100)、(111)衬底上成功生长了InP纳米线。利用扫描电镜观察样品表面,在Si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌相似,纳米线面密度不同。利用X射线衍射和透射电镜研究纳米线的生长取向和晶体结构,结果显示纳米线具有闪锌矿结构,生长方向〈111〉,并且具有层状孪晶结构。与InP体材料相比,纳米线的光致发光峰位蓝移,半峰全宽增大,拉曼散射TO和LO峰向低波数频移,频移随激发光功率减弱而减小。
- 于淑珍缪国庆金亿鑫张立功宋航蒋红黎大兵李志明孙晓娟
- 关键词：INP纳米线金属有机化学气相沉积
- 晶格失配对InAsxP1-x/InP发光特性的影响被引量：1
- 2009年
- 采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在掺Fe的半绝缘InP衬底上制备了InAs0.157P0.843外延层。利用变温光致发光研究了InAs0.157P0.843外延层在13～300K温度范围内的发光特性,通过理论分析与计算,证实了在应力作用下InAs0.157P0.843外延层价带顶的轻重空穴带发生了劈裂,并研究了导带底与价带顶轻空穴带之间形成的复合发光峰在应力作用下随温度的变化规律。
- 阎大伟宋航缪国庆于淑珍蒋红李志明刘霞曹连振郭万国孙晓娟
- 关键词：应力
- 无催化剂法MOCVD技术生长InP纳米线
- 采用金属有机化学气相沉积技术,在Si(001)衬底上利用In纳米点作为成核点生长InP纳米线。扫描电子显微镜观察样品表面表明,InP纳米线根部弯曲、杂乱、与衬底所成的角度无规律,纳米线上端变直;纳米线直径为40-80nm...
- 于淑珍缪国庆金亿鑫张铁民李志明宋航蒋红曹连振
- 关键词：MOCVD单晶结构
- 文献传递
- 生长温度对In0.82Ga0.18As表面形貌和结晶质量的影响
- 2007年
- 采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在InP衬底上外延生长In0.82Ga0.18As.研究生长温度对In0.82Ga0.18As表面形貌、结晶质量和Ⅲ族源铟镓比的影响.扫描电子显微镜观察样品的表面形貌.X射线衍射用于表征材料的组分和结晶质量.结果表明,生长温度强烈地影响In0.82Ga0.18As材料的表面形貌和结晶质量.样品的表面形貌随生长温度的增加由典型的2D生长模式过渡到3D生长模式.X射线衍射曲线半峰全宽为1224、1454、2221、2527 S,分别对应于生长温度为410、430、450、470℃四个样品.此外,Ⅲ族源铟镓比值也随生长温度的增加从0.42增大到4.62.
- 张铁民缪国庆金亿鑫于淑珍蒋红李志明宋航
- 关键词：铟镓砷金属有机化学气相沉积生长温度
- 生长温度对In0．82Ga0．18As表面形貌和结晶质量的影响
- 采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在 InP 衬底上外延生长 InGaAs。研究生长温度对Ino 82Gao.18As表面形貌、结晶质量和ⅡI族源铟镓比的影响。扫描电子显微镜观察样品的表面形貌。x射线...
- 张铁民缪国庆金亿鑫于淑珍蒋红李志明宋航
- 关键词：铟镓砷金属有机化学气相沉积生长温度
- 文献传递
- 自催化InP纳米线的MOCVD生长与表征研究
- 量子尺寸效应使一维纳米材料表现出能级分立、电导量子化、弹道输运和库仑阻塞等特性,因此半导体纳米线具有优良的电、光、磁等性质。InP是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,直接带隙,其体材料常温禁带宽度1.35eV,电子迁移率高、禁带宽度...
- 于淑珍
- 关键词：磷化铟纳米线金属有机化学气相沉积
- 文献传递
