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凌勇

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：北京大学物理学院技术物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇氮化镓
  • 2篇近场
  • 2篇蓝光
  • 2篇光谱
  • 2篇光谱研究
  • 2篇二极管
  • 1篇蓝光二极管
  • 1篇SNOM

机构

  • 2篇北京大学

作者

  • 2篇周赫田
  • 2篇张国义
  • 2篇凌勇
  • 2篇朱星

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇电子显微学报

年份

  • 2篇1999
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
GaN蓝光二极管杂质发光的近场光谱研究
1999年
运用近场光谱方法研究了在蓝宝石衬底上用低压ＭＯＣＶＤ方法外延生长的ＧａＮ蓝光二极管的杂质发光光谱．研究结果表明近场光谱能够给出样品表面微区空间分辨的局域光谱信息，为研究样品表面微观发光机理提供了一个有力的手段．对近场光谱中各发光峰的强度随注入电流（电压）变化曲线的研究结果揭示出ＧａＮ蓝光二极管的能带中的施主能级，在ＧａＮ蓝绿光二极管的发光中和受主深能级同样都起着重要的作用．
凌勇周赫田朱星黄贵松党小忠张国义
关键词：氮化镓蓝光二极管
利用近场光谱研究GaN蓝光二极管的杂质发光被引量：1
1999年
运用近场光谱方法研究了在蓝宝石衬底上用低压ＭＯＣＶＤ方法外延生长的ＧａＮ蓝光二极管的杂质发光光谱。研究结果表明近场光谱为研究样品表面微观发光机理中提供了一个有力的手段，它能够给出样品表面微区空间分辨的局域光谱信息。本文给出了研究中所观察到的一些实验现象。
凌勇周赫田朱星黄贵松党小忠张国义
关键词：SNOM氮化镓蓝光二极管
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