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刘喆

作品数:66 被引量:10H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 47篇专利
  • 9篇会议论文
  • 7篇期刊文章
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 29篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 17篇发光
  • 15篇衬底
  • 14篇纳米
  • 13篇二极管
  • 12篇刻蚀
  • 10篇激光
  • 10篇发光二极管
  • 9篇氮化
  • 9篇氮化镓
  • 9篇GAN
  • 8篇多量子阱
  • 8篇化物
  • 8篇半导体
  • 7篇氮化物
  • 7篇电子阻挡层
  • 7篇阻挡层
  • 6篇氧化硅
  • 6篇晶体
  • 6篇缓冲层
  • 6篇光源

机构

  • 66篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 66篇刘喆
  • 53篇王军喜
  • 49篇李晋闽
  • 24篇魏同波
  • 18篇闫建昌
  • 15篇曾一平
  • 13篇张宁
  • 11篇吴奎
  • 11篇张韵
  • 10篇刘乃鑫
  • 9篇马平
  • 8篇张逸韵
  • 7篇段瑞飞
  • 6篇王国宏
  • 6篇王晓亮
  • 6篇李璟
  • 6篇薛斌
  • 6篇魏学成
  • 5篇张连
  • 5篇任鹏

传媒

  • 4篇Journa...
  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇新材料产业
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 2篇2024
  • 4篇2023
  • 1篇2022
  • 3篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 2篇2015
  • 6篇2014
  • 2篇2013
  • 10篇2012
  • 4篇2011
  • 6篇2010
  • 3篇2008
  • 5篇2007
  • 4篇2006
  • 1篇2005
66 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
柔性折叠的LED光动力治疗仪
本实用新型提供一种柔性折叠的LED光动力治疗仪,其包括:一柔性折叠的面罩;一LED光疗仪器,其贴附于柔性折叠的面罩的一面;一电源,其与LED光疗仪器连接;其中该LED光疗仪器包括多个LED芯片,该多个LED芯片间是通过导...
刘喆梁冬冬王军喜李晋闽
文献传递
制备氮化镓基纳米环结构的方法
一种制备氮化镓基纳米环结构的方法,包括:在GaN外延片上旋涂一层聚合物,进行第一次纳米压印;压印结束后移去第一块纳米压印模板,使聚合物呈现与第一块纳米压印模板互补的图形;去除图形凹槽底部的聚合物;将聚合物图形转移到GaN...
刘喆冯梁森张宁王军喜李晋闽
文献传递
采用AlN缓冲层在Si(111)衬底上生长GaN的形貌
2007年
针对Si衬底上生长GaN具有的特有形貌进行了研究,分析采用扫描电镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)等手段,研究了使用AlN作为缓冲层的GaN的生长模式、缺陷形成机理、应力释放机制.并且发现缓冲层厚度和外延层生长温度对裂纹和表面缺陷的形成有很大的影响.
刘喆王晓亮王军喜胡国新李建平曾一平李晋闽
关键词:SI衬底ALN缓冲层GAN形貌
MOCVD生长GaN力学性能研究被引量:2
2007年
采用MOCVD技术在蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN外延膜,利用原子力显微镜AFM、扫描电镜SEM分析了薄膜表面形貌,利用纳米压痕仪和UMT试验机考察了GaN膜的硬度、临界载荷以及摩擦学性能等。结果表明,薄膜以二维模式均匀生长,表面平整,硬度达22.1MPa,弹性模量为299.5GPa,与衬底结合紧密,临界载荷达1.6N,与GCr15钢球对磨时摩擦系数仅为0.13,与Si3N4陶瓷球摩擦时膜很快就磨穿。
魏同波王军喜李晋闽刘喆段瑞飞
关键词:GANMOCVD形貌机械性能
超宽禁带氮化物半导体外延材料与器件
氮化铝(AlN)材料为直接带隙材料,具有禁带宽度宽大、击穿电场强、带隙连续可调、辐射发光效率高、压电性能优异、声学传播损耗低等特点,是目前最具发展前景的一类超宽禁带氮化物半导体材料,可应用于先进高功率光电和声电器件的制备...
张韵艾玉杰张连程哲贾利芳刘喆
关键词:ALNALGAN
Si基外延GaN的结构和力学性能
2007年
采用MOCVD技术在Si村底〈111〉面上生长了GaN外延膜,分析了薄膜表面形貌和Si基GaN的临界载荷,研究了表面发光性能和GaN晶体质量随深度的变化.结果表明,外延层的表面比较平整,多组超品格插入层可以进一步降低位错密度,提高晶体质量.膜的表面有许多颗粒状的发光中心,除了强的带边峰外,还有弱的黄光带和红光带,这可能是O_N与V_(Ga)所产生的深能级跃迁产生的.GaN的晶体质量具有梯度变化,GaN外延层的上层晶体质量比较好,界面附近比较差,但是外延层与衬底的结合强度较高,临界载荷达到2.05N.
魏同波王军喜刘喆李晋闽
关键词:无机非金属材料GANCL临界载荷
一种基于激光器的车灯系统
本发明公开了一种基于激光器的车灯系统,所述车灯系统包括:激光光源,其输出的光通过输出波导分别导入混光模块、脉冲测距模块和通信模块;调制模块,用于控制激光光源中激光器的发射光强;混光模块用于将激光光源发射出的光经过混光和扩...
薛斌任鹏张宁刘喆王军喜李晋闽
文献传递
氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱混合阵列的制作方法
本发明提供了一种氮化镓纳米锥和氮化镓纳米柱混合阵列的制作方法,方法首先在一衬底上依次沉积氮化镓层、掩模层和光刻胶层,然后在光刻胶层上排列一层紧密排列的聚苯乙烯小球,并以聚苯乙烯小球为透镜,对光刻胶层进行曝光并显影,以在光...
任鹏张宁薛斌刘喆王军喜李晋闽
文献传递
一种激光器显示系统
本发明公开了一种激光器显示系统,该激光器显示系统包括:通信模块、驱动模块、激光光源、投射模块和显示面板,其中:所述通信模块用于接收和发送信号,并将接收到的信号传输至驱动模块;所述驱动模块与所述通信模块连接,用于处理接收到...
薛斌任鹏张宁刘喆王军喜李晋闽
文献传递
一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法
本发明公开了一种提高镁在III-V族氮化物中激活效率的方法,该方法是在镁掺杂的p型III-V族氮化物的表面蒸镀一层2nm至10nm的金属钛,然后在N<Sub>2</Sub>气氛下退火,并用酸性液体洗掉蒸镀在p型III-V...
纪攀峰李京波闫建昌刘乃鑫刘喆王军喜李晋闽
文献传递
共7页<1234567>
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