您的位置： 专家智库 > >

刘畅

作品数：33 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 19篇硅
  • 14篇衬底
  • 12篇绝缘体上硅
  • 9篇生物传感
  • 9篇生物传感器
  • 9篇沟道
  • 9篇感器
  • 9篇传感
  • 9篇传感器
  • 7篇绝缘
  • 6篇射频
  • 6篇埋氧层
  • 6篇背栅
  • 5篇晶体管
  • 5篇绝缘层
  • 5篇刻蚀
  • 5篇场效应
  • 5篇场效应晶体管
  • 4篇岛上
  • 4篇图形化

机构

  • 33篇中国科学院
  • 1篇深圳大学
  • 1篇上海大学
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇于利希研究中...

作者

  • 33篇刘畅
  • 32篇俞文杰
  • 30篇王曦
  • 21篇文娇
  • 19篇刘强
  • 14篇赵清太
  • 8篇费璐
  • 1篇刘强
  • 1篇任伟
  • 1篇张栋梁

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 13篇2016
  • 5篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2002
共 33 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
基于sSOI MOSFET的生物传感器及其制备方法
本发明提供一种基于sSOI MOSFET的生物传感器及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供一sSOI衬底，所述sSOI衬底的顶层应变硅的厚度为10nm~50nm；2）制作器件区域；3）形成N+源区及N+漏区及应变沟道区...
文娇俞文杰刘畅赵清太王曦
一种隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明提供一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，所述制备方法至少包括步骤：提供一具有顶层硅、埋氧层和底层硅的SOI衬底，在所述顶层硅两侧进行离子注入分别形成源极和漏极；在所述SOI衬底表面自下而上依次形成本征硅层、栅介质层和...
刘畅俞文杰赵清太王曦
文献传递
一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法
本发明提供一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法，该CMOS器件结构包括：绝缘体岛上硅衬底，所述绝缘体岛上硅衬底包括底层硅、绝缘层以及顶层硅，且所述绝缘层对应于制备晶体管栅极的位置具有贯穿所述顶层硅及底层硅...
俞文杰刘强刘畅文娇王翼泽王曦
文献传递
一种垂直结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明提供一种垂直结构的隧穿场效应晶体管及其制备方法，所述制备方法至少包括步骤：提供一SGOI衬底，包括埋氧层和P型重掺杂SiGe；在所述P型重掺杂SiGe依次沉积形成硅层和N型重掺杂SiGe；利用光刻和刻蚀技术刻蚀所述...
赵清太俞文杰刘畅王曦
文献传递
基于超薄绝缘层SOI上的MOSFET背栅生物传感器及其制备方法
本发明提供一种基于超薄绝缘层SOI上的MOSFET背栅生物传感器及其制备方法，所述制备方法包括：1）提供一SOI衬底，所述SOI衬底绝缘层的厚度为20nm~40nm；2）制作器件区域；3）形成源区及漏区及沟道区；4）于所...
刘畅俞文杰文娇赵清太王曦
文献传递
基于绝缘体上硅衬底的射频共面波导元件及其制备方法
本发明提供一种基于绝缘体上硅衬底的射频共面波导元件及其制备方法，所述制备方法包括：1）制备绝缘体上硅衬底，包括依次层叠的底层硅、绝缘层及顶层硅，所述绝缘层的下部于对应于制备射频共面波导元件的位置具有至少直至所述底层硅的凹...
俞文杰费璐刘强刘畅文娇王翼泽王曦
文献传递
一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法
本发明提供一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，所述方法包括步骤：步骤一、制备具有硅纳米线沟道的隧穿场效应晶体管作为转换器；步骤二、采用表面修饰剂对所述硅纳米线沟道表面进行活化修饰。所述步骤一中制备硅...
俞文杰刘畅赵清太王曦
文献传递
用于射频与CMOS电路共集成的绝缘体上硅衬底及制备方法
本发明提供一种用于射频与CMOS电路共集成的绝缘体上硅衬底及制备方法，所述绝缘体上硅衬底，包括：底层硅；绝缘层，结合于所述底层硅表面，所述绝缘层的下部于对应于制备射频器件的位置具有直至所述底层硅的凹槽，且所述凹槽内的底层...
俞文杰费璐刘强刘畅文娇王翼泽王曦
文献传递
一种基于垂直结构隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法
本发明提供一种基于垂直结构隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，所述制备方法至少包括以下步骤：步骤一、制备垂直结构的隧穿场效应晶体管作为转换器，所述隧穿场效应晶体管中的沟道悬空，所述沟道与源极、漏极形成垂直结构；步骤...
赵清太俞文杰刘畅王曦
文献传递
一种基于图形化绝缘体上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法
本发明提供一种基于图形化绝缘体上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法，包括：图形化绝缘体上硅衬底，所述图形化绝缘体上硅衬底包括底层硅、绝缘层以及顶层硅，且所述绝缘层对应于制备晶体管沟道的位置形成有凹槽，所述凹槽与底层硅之间...
俞文杰刘强刘畅文娇王翼泽王曦
文献传递
全选 清除 导出
共4页<1234>
聚类工具0