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刘碧录
作品数:
12
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供职机构:
中国科学院金属研究所
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相关领域:
一般工业技术
理学
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合作作者
成会明
中国科学院金属研究所
任文才
中国科学院金属研究所
高力波
中国科学院金属研究所
吴忠帅
中国科学院金属研究所
刘畅
中国科学院金属研究所
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年份
1篇
2013
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2012
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2011
2篇
2010
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短单壁碳纳米管的直接控制生长
<正>单壁碳纳米管的长度是决定其物理性质的重要结构因素,一些实际应用也要求其具有规则的长度(尤其是短长度)。目前,短单壁碳纳米管的制备是采取自上而下的切短长单壁
刘碧录
任文才
刘畅
成会明
关键词:
单壁碳纳米管
非金属催化剂
文献传递
一种具有边界选择性的裁剪石墨烯的方法
本发明涉及石墨烯的裁剪技术,具体为一种具有边界选择性的裁剪石墨烯的方法。该方法采用硅/氧化硅基片在加热时原位产生的或者外加的氧化硅纳米粒子,在较高的温度和含有氢气的气氛下,使纳米粒子沿石墨烯特定的边界取向运动来裁剪石墨烯...
成会明
任文才
高力波
刘碧录
吴忠帅
一种表面刻划法图案化生长单壁纳米碳管的方法
本发明涉及单壁纳米碳管的图案化制备技术,具体为一种通过表面刻划带有氧化硅的硅衬底图案化生长单壁纳米碳管的方法,适于高度定位和图案化生长高质量、无金属杂质残留的单壁纳米碳管。该方法以带有热氧化层的硅片作为衬底,首先使用尖锐...
成会明
任文才
刘碧录
文献传递
一种石墨烯薄膜场发射材料的制备方法
本发明涉及场发射电子材料领域,特别提供了一种石墨烯薄膜场发射材料的制备方法。该方法包括:(1)采用超声方法将石墨烯与可以提供电荷的金属阳离子无机盐均匀分散在极生较低的有机溶剂中,或将石墨烯直接分散在离子型表面活性剂的水溶...
成会明
任文才
吴忠帅
裴嵩峰
汤代明
高力波
刘碧录
李峰
刘畅
文献传递
一种层数可控的高质量石墨烯的制备方法
本发明涉及石墨烯的制备技术,具体为一种层数可控的高质量石墨烯的大量制备方法,适用于宏量制备层数可控的高质量石墨烯。该方法采用尺寸和结晶度不同的石墨为原料,利用Hummer方法氧化石墨,然后采用快速加热方法膨胀、解理氧化石...
成会明
任文才
吴忠帅
高力波
刘碧录
文献传递
一种化学裁剪石墨烯宏量可控制备石墨烯带的方法
本发明涉及石墨烯带的制备技术,具体为一种化学裁剪石墨烯宏量可控制备石墨烯带的方法,适用于宏量制备层数、宽度和边界可控的石墨烯带。该方法首先采用Hummers方法得到氧化石墨,利用石墨氧化过程中含氧官能团在其表面的选择性修...
成会明
任文才
吴忠帅
高力波
刘碧录
赵金平
文献传递
一种无金属催化剂高效生长单壁纳米碳管的方法
本发明涉及单壁纳米碳管的制备技术,具体为一种无金属催化剂高效生长单壁纳米碳管的方法,适于高效制备高质量、无金属杂质残留的单壁纳米碳管。该方法以离子溅射方法制备的二氧化硅薄膜为催化剂前驱体,在600~1100℃条件下通过碳...
成会明
任文才
刘碧录
高力波
李世胜
文献传递
一种具有边界选择性的裁剪石墨烯的方法
本发明涉及石墨烯的裁剪技术,具体为一种具有边界选择性的裁剪石墨烯的方法。该方法采用硅/氧化硅基片在加热时原位产生的或者外加的氧化硅纳米粒子,在较高的温度和含有氢气的气氛下,使纳米粒子沿石墨烯特定的边界取向运动来裁剪石墨烯...
成会明
任文才
高力波
刘碧录
吴忠帅
文献传递
一种无金属催化剂高效生长单壁纳米碳管的方法
本发明涉及单壁纳米碳管的制备技术,具体为一种无金属催化剂高效生长单壁纳米碳管的方法,适于高效制备高质量、无金属杂质残留的单壁纳米碳管。该方法以离子溅射方法制备的二氧化硅薄膜为催化剂前驱体,在600~1100℃条件下通过碳...
成会明
任文才
刘碧录
高力波
李世胜
一种具有优异导电性和热稳定性的石墨烯的大量制备方法
本发明涉及石墨烯的制备技术,具体为一种适用于宏量制备具有优异导电性能和良好热稳定性的高质量石墨烯的方法。该方法首先采用阴、阳极在压力气氛下电弧放电的方式快速加热,进而膨胀、解理氧化石墨制备剥离石墨,阳极为采用Hummer...
成会明
任文才
吴忠帅
高力波
赵金平
陈宗平
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