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卢茜

作品数:18 被引量:2H指数:1
供职机构:复旦大学更多>>
发文基金:上海市教育委员会重点学科基金上海市科学技术委员会资助项目国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 12篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 7篇金属
  • 6篇等离子体
  • 5篇电子封装
  • 5篇电子封装技术
  • 5篇引线
  • 5篇引线框
  • 5篇引线框架
  • 5篇引线框架材料
  • 5篇粘附
  • 5篇粘附性能
  • 5篇封装技术
  • 4篇金属表面
  • 4篇防潮性能
  • 4篇存储器
  • 3篇等离子体技术
  • 3篇信号采集
  • 3篇信号采集器
  • 3篇元器件
  • 3篇随机存储器
  • 3篇纳米

机构

  • 18篇复旦大学
  • 1篇上海集成电路...

作者

  • 18篇卢茜
  • 16篇吴晓京
  • 12篇张昕
  • 9篇朱玮
  • 7篇刘立龙
  • 6篇周乾飞
  • 6篇杜晓琴
  • 4篇吴子景
  • 4篇周永宁
  • 3篇王一鹏
  • 1篇陈志辉
  • 1篇周建青
  • 1篇蒋宾
  • 1篇沈臻魁
  • 1篇刘冉
  • 1篇李慧

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 1篇物理
  • 1篇电子显微学报

年份

  • 4篇2012
  • 6篇2011
  • 4篇2010
  • 4篇2008
18 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种具有阻变性质的金属氮化物及其应用
本发明属于非挥发性存储器技术领域,具体涉及一种具有阻变性质的金属氮化物材料及其应用。本发明所述的金属氮化物为M<Sub>x</Sub>N,M为Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al、Si、Ga、In、Sc或Y,或者上述...
吴晓京卢茜张昕朱玮周永宁
文献传递
铜互连结构的力学性质及基于互连结构制备的阻变存储器研究
金属化是现代IC工艺的一个重要组成部分,目前铜已经取代铝而成为主流互连材料。铜互连纳米多层膜体系的力学特性,如硬度与弹性模量会对器件的可靠性产生重大影响。因此,建立一套能够在纳米尺度表征其力学性能的方法是十分必要的。  ...
卢茜
关键词:金属铜互连结构
利用PⅢ技术改变框架与EMC间附着力的研究
2011年
利用等离子体浸没式注入(PⅢ)技术,使用O2,N2,CO和CO2做气体源,对镀镍铜框架表面进行处理。拉力测试实验结果表明,与未经处理的空白框架相比,经过CO和CO2等离子体注入处理的镀镍铜框架与环氧塑封料(EMC)间的附着力分别提高了约35倍和12倍,而在使用O2和N2等离子体注入处理的情况下,附着力基本没有变化。通过扫描电子显微镜(SEM)对处理前后的框架表面观察,发现PⅢ处理并未引起表面粗糙度的显著变化。利用X射线电子能谱(XPS)分析,可以发现在经过CO或CO2等离子体注入处理后的框架表面有羰基出现。基于这些结果,分析了导致附着力提升的机理。
刘立龙张昕卢茜周乾飞吴晓京
关键词:环氧塑封料附着力羰基
用加热一氧化碳处理金属表面的方法
本发明属于电子封装技术领域,具体为一种用加热一氧化碳处理金属表面的方法。该方法通过加热气体对待处理件进行表面处理,其中所述气体为一样化碳,所述待处理件为金属或镀有该金属的制品。本发明还提供用所述方法得到的经表面处理的金属...
吴晓京刘立龙张昕卢茜朱玮周乾飞杜晓琴
一种等离子体浸没注入剂量的检测装置
本发明属于等离子体技术领域,具体为一种等离子体浸没注入剂量检测装置。该装置包括:安装于腔体内靶台的信号采集器,引线以及外围测量仪器;其中,信号采集器为导电金属片和绝缘体基片的双层结构,所述引线为刚性结构,用于连接信号采集...
吴晓京王一鹏张昕卢茜
Cu/Ta/SiO2/Si多层膜纳米压痕与压痕下微观结构的研究被引量:1
2008年
Cu/Ta/SiO2/Si多层膜结构是目前集成电路制造工艺中的常见结构,其硬度与弹性模量通过纳米压入技术测得。为了表征纳米压痕下的形变微观区域,采用聚焦离子束加工出压痕截面,同时进行扫描电子、扫描离子显微观察,发现样品衬底发生开裂,多层膜结构出现分层现象。TEM分析表明分层出现在Ta/SiO2界面,说明这是该结构的一个薄弱环节。
卢茜吴子景吴晓京Weidian Shen蒋宾
用加热甲烷处理金属表面的方法
本发明属于电子封装技术领域,具体为一种用加热甲烷处理金属表面方法。包括下述步骤:利用加热气体法对待处理件进行表面处理,其中所述气体为甲烷,所述的待处理件为金属或镀有该金属的制品。本发明还提供了用所述方法得到的经表面处理的...
张昕刘立龙吴晓京卢茜朱玮周乾飞杜晓琴
文献传递
Cu/Ta/SiO2/Si薄膜在纳米压痕下的分层现象研究被引量:1
2008年
采用磁控溅射技术在热氧化单晶硅衬底上先后淀积了厚度分别为50 nm的Ta膜和400 nm的Cu膜。使用纳米压入仪在样品表面进行压入测试,在薄膜表面制造出残留压痕。使用扫描电镜(SEM)、聚焦离子束(FIB)、透射电镜(TEM)和X射线能谱仪(EDX)对残留压痕形貌、剖面上的分层现象进行观察,确定分层所在的位置。发现在69 mN的最大载荷作用后,在Ta/SiO2界面处发生分层。分层的原因主要归结为在应力作用下,多层膜中各种材料的应变、弹性恢复能力不同。
吴子景吴晓京卢茜Shen Weidian蒋宾
关键词:纳米压痕
用加热一氧化碳处理金属表面的方法
本发明属于电子封装技术领域,具体为一种用加热一氧化碳处理金属表面的方法。该方法通过加热气体对待处理件进行表面处理,其中所述气体为一样化碳,所述待处理件为金属或镀有该金属的制品。本发明还提供用所述方法得到的经表面处理的金属...
吴晓京刘立龙张昕卢茜朱玮周乾飞杜晓琴
文献传递
一种等离子体浸没注入剂量的检测装置
本发明属于等离子体技术领域,具体为一种等离子体浸没注入剂量检测装置。该装置包括:安装于腔体内靶台的信号采集器,引线以及外围测量仪器;其中,信号采集器为导电金属片和绝缘体基片的双层结构,所述引线为刚性结构,用于连接信号采集...
吴晓京王一鹏张昕卢茜
文献传递
共2页<12>
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