叶志成
- 作品数：4 被引量：7H指数：1
- 供职机构：南开大学泰达应用物理学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 固态源分子束外延法生长InGaP/GaAs异质结构的热力学分析(英文)被引量：1
- 2010年
- 本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱附。所得到的模型与现有实验结果匹配较好。该模型的实验结果表明在InGaP的生长过程中,生长温度,In/Ga束流比及合金组分之间的相互关系,同时也与实验数据相吻合。该模型对于其他气相沉积生长方式也具有一定的适用性。
- 曹雪舒永春叶志成皮彪姚江宏邢晓东许京军
- 关键词：INGAPGAAS
- Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半导体材料分子束外延的生长热力学(英文)
- 2011年
- 建立Ⅲ-Ⅴ族三元化合物半导体材料的分子束外延生长热力学模型。该模型与实验材料InGaP/GaAs,InGaAs/InP及已发表的GaAsP/GaAs,InAsP/InP的数据吻合得很好。将晶格应变能△G及脱附对温度敏感这两个因素同时纳入热力学模型中,束流和生长温度直接影响合金组分,晶格应变能是合金组分的函数。热力学模型计算结果反映了束流和生长温度是生长过程中最主要的影响因素。讨论和分析了四元半导体材料InGaAsP/GaAs的热力学生长模型。
- 叶志成舒永春曹雪龚亮皮彪姚江宏邢晓东许京军
- 关键词：半导体材料热力学
- In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响被引量：6
- 2011年
- 利用变温光致发光(PL)研究了In0.182Ga0.818As/GaAs应变及应变补偿量子阱在77～300 K温度范围内的发光特性。随着温度T的升高,PL峰位向低能方向移动。在应力作用下In0.182Ga0.818As/GaAs量子阱的价带顶轻空穴带和重空穴带发生了劈裂。通过理论计算推导应变随温度变化对InxGa1-xAs/GaAs量子阱带隙能量的影响。在Varshni公式基础上,引入由应力导致的带隙能量变化项ΔEg。带隙能量计算结果与实验数据吻合较好。通过不同温度下光致发光半峰全宽的变化验证了应力随温度变化对量子阱发光峰的影响。
- 叶志成舒永春曹雪龚亮姚江宏皮彪邢晓东许京军
- 关键词：分子束外延INGAAS/GAAS应变量子阱
- 光泵浦半导体垂直外腔表面发射激光器芯片研制与性能研究
- 本论文“光泵浦半导体垂直外腔表面发射激光器(OPS-VECSSEL)芯片研制与性能研究”从多个方面对OPS-VECSEL外延增益片的生长与性质进行了研究和讨论，主要内容有：半导体量子阱(QW)的能带理论、Ⅲ-V族半导体化...
- 叶志成
- 关键词：分子束外延热力学性质
- 文献传递
