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吕振东

作品数：11 被引量：21H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家攀登计划中国科学院重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 6篇理学

主题

  • 7篇砷化镓
  • 7篇自组织生长
  • 6篇量子
  • 5篇砷化铟
  • 5篇量子点
  • 5篇INAS/G...
  • 4篇发光
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 2篇自组织
  • 2篇温度特性
  • 2篇光致发光研究
  • 2篇发光研究
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇INAS
  • 2篇INAS/G...
  • 2篇GAAS
  • 1篇动力学
  • 1篇动力学研究

机构

  • 11篇中国科学院
  • 2篇香港科技大学
  • 1篇国家光电子工...

作者

  • 11篇吕振东
  • 10篇徐仲英
  • 5篇郑厚植
  • 5篇陈宗圭
  • 5篇封松林
  • 4篇王志明
  • 3篇杨小平
  • 3篇许继宗
  • 3篇郑宝真
  • 3篇段晓峰
  • 2篇王凤莲
  • 2篇赵谦
  • 2篇袁之良
  • 2篇吉秀江
  • 2篇葛惟锟
  • 2篇李树英
  • 1篇胡雄伟
  • 1篇韩培德
  • 1篇周均铭
  • 1篇陈弘

传媒

  • 4篇Journa...
  • 3篇物理学报
  • 2篇红外与毫米波...
  • 1篇发光学报

年份

  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 6篇1997
  • 1篇1996
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究被引量：1
1999年
研究了低温下分子束外延生长ＧａＡｓ（ＬＴＧ－ＧａＡｓ）样品的稳态和瞬态发光．从２００℃生长的样品中可测到很弱但清晰可辨的稳态发光峰，峰的能量位置相对于体ＧａＡｓ激子峰有一定蓝移．此外，发现在体ＧａＡｓ上生长ＬＴＧ－ＧａＡｓ薄膜可大大减小体ＧａＡｓ衬底材料中本征发光的衰减时间，但对（ｅ，Ａ°）发光影响不大．用上转换方法对退火和未退火ＬＴＧ－ＧａＡｓ样品瞬态发光进行了测量，获得了关于ＬＴＧ－ＧａＡｓ中复合中心和陷阱中心的信息．
江德生吕振东崔丽秋周向前孙宝权徐仲英
关键词：光致发光砷化镓分子束外延
自组织InAs/GaAs岛状结构生长停顿研究被引量：3
1997年
报道了自组织生长ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ岛状结构生长停顿的研究结果．在完成ＩｎＡｓ岛生长以后，引入不同时间的停顿，然后再淀积ＧａＡｓ盖层，将导致ＩｎＡｓ岛光致发光峰蓝移，发光谱线变宽，同时发光强度减弱．透射电子显微镜分析表明在这种结构中出现了失配位错，在其附近应变得到部分弛豫，成为ＩｎＡｓ材料的俘获陷阱．随着停顿时间加长，ＩｎＡｓ岛密度降低，尺寸变小，光致发光谱发生相应变化．
王志明吕振东封松林杨小平陈宗圭徐仲英郑厚植王凤莲韩培德段晓峰
关键词：量子点自组织
自组织生长多层垂直耦合InAs量子点的研究被引量：5
1997年
本文报道了关于InAs／GaAs自组织生长多层垂直耦合量子点的研究结果．透射电子显微镜测量显示多层量子点在生长方向上成串排列，有些量子串会发生融和．还有些量子串生长不完全，也就是说包含的量子点个数少于InAs层数，并由此导致多层耦含量子点的光致发光谱具有高能带尾．
王志明邓元明封松林吕振东陈宗圭王凤莲徐仲英郑厚植高旻韩培德段晓峰
关键词：量子点自组织生长砷化铟
自组织生长InAs量子点发光的温度特性被引量：1
1996年
本文报道ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ自组织生长量子点结构中发光的温度特性．在１２～１５０Ｋ温度范围内，实验测得的ＩｎＡｓ激子发光能量随温度增加明显红移，其红移速率远大于ＩｎＡｓ带隙的温度关系，而光谱宽度则明显减小．这些结果表明ＩｎＡｓ量子点结构是一种强耦合系统，局域在ＩｎＡｓ量子点中的载流子波函数会相互交途、相互贯穿，从而增强了载流子的弛豫过程．
吕振东杨小平袁之良徐仲英郑宝真许继宗陈弘黄绮周均铭王建农王玉琦葛惟昆
关键词：自组织生长砷化铟温度特性
自组织生长InAs/GaAs量子点的退火效应
1997年
通过研究ＧａＡｓ衬底上不同厚度ＩｎＡｓ层光致发光的退火效应，发现它和应变量子阱结构退火效应相类似，ＩｎＡｓ量子点中的应变使退火引起的互扩散加强，量子点发光峰蓝移．量子点中或其附近一旦形成位错，其中的应变得到释放，互扩散现象就不明显了，退火倾向于产生更多的位错，量子点的发光峰位置不变，但强度减弱．
王志明吕振东封松林赵谦李树英吉秀江陈宗圭徐仲英郑厚植
关键词：量子点退火砷化铟自组织生长砷化镓
自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究被引量：3
1998年
利用自组织生长ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点的垂直相关排列机制，生长了上下两层用６５ｎｍＧａＡｓ间隔的ＩｎＡｓ结构．下层ＩｎＡｓ已经成岛，由于应力传递效应，上层ＩｎＡｓ由二维生长向三维成岛生长的转变提前发生，临界厚度从１７ＭＬ变成小于１５ＭＬ．透射电子显微镜截面象显示形成上下两层高度差别很大的ＩｎＡｓ量子点，但是由于两层量子点之间存在强烈的电子耦合，光致发光谱中只有与包含大量子点的ＩｎＡｓ层相对应的一个发光峰．
王志明封松林吕振东杨小平陈宗圭宋春英徐仲英郑厚植王凤莲韩培德段晓峰
关键词：自组织砷化镓
InGaAs/GaAs应变脊形量子线分子束外延非平面生长研究被引量：1
1997年
提出了新型ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变脊形量子线结构．这种应变脊形量子线结合了非平面应变外延层中沿不同晶向能带带隙的变化、非平面生长应变层Ｉｎ组分的变化，以及非平面外延层厚度的变化等三方面共同形成的横向量子限制效应的综合作用．在非平面ＧａＡｓ衬底上用分子束外延生长了侧面取向为（１１３）的脊形ＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＡｓ应变量子线．用１０Ｋ光致荧光谱测试了其发光性质．用ＫｒｏｎｉｇＰｅｎｎｅｙ模型近似计算了这种应变脊形结构所具有的横向量子限制效应，发现其光致荧光谱峰位的测试结果，与计算结果相比，有１０ｍｅＶ的“蓝移”．认为这一跃迁能量的“蓝移”
牛智川周增圻林耀望李新峰张益胡雄伟吕振东袁之良徐仲英
关键词：量子线分子束外延INGAAS砷化镓
InAs/GaAs自组织生长量子点结构中浸润层光致发光研究被引量：1
1997年
当激发光能量小于GaAs势垒带边能量时，在InAs量子点结构中，清楚地观察到与InAs浸润层有关的发光峰．研究表明，此发光峰主要来源于浸润层中局域态激子发光，局域化能量为12meV，发光具有二维特性．在相同的生长条件下，此发光峰位置与InAs层的厚度基本无关．这些结果有助于进一步深入研究浸润层的形貌和光学性质．
吕振东徐仲英郑宝真许继宗王玉琦王建农葛惟锟
关键词：砷化铟砷化镓光致发光
不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响被引量：5
1997年
本文利用光致发光测量了不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响．退火使量子点发光峰蓝移，发光强度减弱．深埋的量子点承受更大的应变，应变使退火引起的互扩散加强．GaAs盖层越厚，量干点的互扩散越明显，发光峰蓝移越显著，并由此导致了发光峰半高宽的不同变化．
王志明吕振东封松林赵谦李树英吉秀江陈宗圭徐仲英郑厚植
关键词：砷化镓自组织生长厚度
自组织生长InsA/GaAs量子点光学性质
由于量子点结构以其独特的光电特性,在光电子器件的研究中具有广阔的应用前景,因此对半导体量子点结构的研究引起了们们广泛的关注.自组织InAs/GaAs量子点结构不仅在材料的制备了简便易行、而且在器件应用中也很有潜力.对In...
吕振东
关键词：自组织量子点光致发光温度特性
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