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吴文彪

作品数:8 被引量:42H指数:4
供职机构:上海大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程化学工程理学更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 2篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇压电
  • 2篇压电复合
  • 2篇压电复合材料
  • 2篇压电性
  • 2篇溶胶
  • 2篇介电
  • 2篇介电性
  • 2篇复合材料
  • 2篇复合材
  • 1篇多层结构
  • 1篇压电陶瓷
  • 1篇溶胶-凝胶法
  • 1篇溶胶-凝胶法...
  • 1篇溶胶凝胶
  • 1篇溶胶凝胶法
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅晶须
  • 1篇凝胶法制备
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸锶

机构

  • 8篇上海大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 8篇吴文彪
  • 4篇孟中岩
  • 3篇金灯仁
  • 2篇张建成
  • 2篇沈悦
  • 2篇严继康
  • 2篇程晋荣
  • 1篇俞圣雯
  • 1篇朱岩岩
  • 1篇梁晓峰
  • 1篇谭寿洪
  • 1篇朱伟诚
  • 1篇潘璋敏
  • 1篇魏光普
  • 1篇周栋义
  • 1篇江东亮
  • 1篇凌律巍
  • 1篇黄政仁
  • 1篇陈建国
  • 1篇秦伟

传媒

  • 4篇上海大学学报...
  • 2篇无机材料学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇压电与声光

年份

  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2003
  • 1篇2001
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1997
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
溶胶-凝胶法制备(Ba,Sr,Ca)TiO_3薄膜及其介电调谐性能分析
2007年
本文采用溶胶-凝胶法在Pt(111)/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了(Ba0.6Sr0.4)1-xCaxTiO3(BSCT)(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4)薄膜。XRD及SEM结果表明表明,薄膜结晶良好,形成单一的钙钛矿结构,没有明显的裂缝。薄膜厚度大约为500nm。从介电常数和直流偏压电场的关系曲线上并没有滞后现象,这说明BSCT薄膜处于顺电相。随着x的增加,薄膜的介电常数、介电损耗和调谐率都有所下降,而优值有所提高。J-V特性表明Ca的加入显著降低了薄膜的漏电流。
秦伟吴文彪朱伟诚程晋荣孟中岩
关键词:溶胶-凝胶法漏电流
锰酸镧结晶行为的研究被引量:1
1997年
本文采用淀粉类衍生物作有机多功能酸络合剂的溶液合成法制备纳米钙钛矿La0.8Sr0.2MnO3+x.通过透射电镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)等分析手段,研究了在100℃下蒸发、炭化及经400~1300℃不同温度下煅烧3h后的显微结构和相结构变化.结果表明:钙钛矿结构La0.8Sr0.2MnO3+x相的形成温度为500℃,其形成温度低的原因可能是炭化后金属离子与其它离子或基团结合力较弱因而活性高.700℃是比较理想的煅烧温度,由此制得粉体结晶完整,且晶粒细小.晶粒尺寸20nm左右,颗粒尺寸为15~60nm.
金灯仁魏光普吴文彪谢诒芬潘璋敏
关键词:钙钛矿
串联2-2复合材料的介电性和压电性被引量:6
1998年
以PZT为陶瓷相,以聚偏二氟乙烯(PVDF)为聚合物相,采用热压法制备了串联2-2型样品。测试了串联2-2型压电复合材料的介电、压电性能。实验结果表明,串联2-2型复合材料的压电应变系数d33及介电常数ε均较小;在低频,由于界面极化引起的夹层损耗,其介电损耗tgδ则较大。
严继康张建成陈洁吴晓岚沈悦吴文彪
关键词:压电复合材料介电性压电性压电陶瓷
工艺对0-3复合材料介电和压电性能的影响被引量:14
1999年
作者以PZT和PVDF为原料,采用热压和轧膜两种方法制备了0-3压电复合材料.研究了复合材料的极化工艺和制备工艺.实验结果表明:与轧膜法相比,热压法制备的复合材料样品有较高的介电常数ε和压电常数d33;在人工极化时,与热压法相比,轧膜法制备的样品的最佳极化电场E,极化温度T和极化时间t均有较高的值.
严继康张建成吴文彪沈悦
关键词:压电复合材料介电性压电性复合材料
脉冲激光镀膜工艺制备BiFeO_3-CoFe_2O_4多铁性复合薄膜被引量:1
2008年
采用脉冲激光镀膜(PLD)工艺,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上制备了柱状结构0.7BiFeO3-0.3CoFe2O4(BFO-CFO)多铁性复合薄膜.在薄膜的沉积过程中,通过自组装生长实现钙钛矿结构BiFeO3和尖晶石结构CoFe2O4相的形成以及两相分离.探索了BFO-CFO复合薄膜的生长条件和机制,研究了薄膜厚度对BFO-CFO复合薄膜结构和性能的影响.
程晋荣朱岩岩陈建国俞圣雯吴文彪金灯仁孟中岩
关键词:厚度
多层结构钛酸锶铅薄膜及介电调谐与温度稳定性
2008年
在研究组分、溶胶浓度对钛酸锶铅(10ST)薄膜结构、介电、调谐性能等影响的基础上,设计一种以低损耗-高调谐-低损耗组分交替沉积的方法,研制了三明治多层结构的PST薄膜(PST20-40-20).研究结果表明,这种三明治多层结构的薄膜表面致密,晶粒均匀,同时具有调谐率高、损耗低等特点,综合性能比单组分要好,其调谐率、优值分别为52和45.在20~100℃范围内调谐率变化幅度小于8%,提高了温度稳定性.
吴文彪周栋义金灯仁孟中岩
关键词:溶胶凝胶法多层结构温度稳定性
顺电态下掺铝钛酸锶钡陶瓷微结构和介电调谐性能被引量:14
2003年
用传统的电子陶瓷工艺合成Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BST),研究Al_2O_3掺杂对钛酸锶钡陶瓷微结构、介电及调谐性能的影响.通过XRD及SEM的研究表明,Al^(3+)能够完全的进入到Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3晶格内部形成固溶体,同时陶瓷的结晶程度变好,颗粒大而均匀.陶瓷的介电损耗明显减小,介电常数有所降低,调谐率明显上升,其中,掺杂量为0.8wt%Al_2O_3时,陶瓷样品具有最佳的介电调谐性能.
梁晓峰吴文彪孟中岩
关键词:BST微结构
SiC晶须在Mullite浆料中的分散特性及流变学表征被引量:7
2001年
研究了SiC 晶须在Mullite浆料中的分散行为.通过沉降实验和流变学测试讨论了pH值,分散剂对SiC 晶须分散性质的影响.结果发现,晶须的加入影响了浆料的流变性能.当PH=11,分散剂含量为5wt%时,可获得分散性较好的浆料.本分散工艺促进了晶须在Mullite浆料中的分散,提高了浆料的结构均匀性.
凌律巍吴文彪江东亮谭寿洪黄政仁
关键词:莫来石SIC晶须分散特性MULLITE流变学碳化硅晶须
共1页<1>
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