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唐恒敬: 作品数：117 被引量：183H指数：9; 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>

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一种台面型铟镓砷探测器制备方法: 本发明公开了一种台面型铟镓砷探测器制备方法，包括将蒸镀P-InP接触电极以及高温快速退火过程置于氮化硅钝化之前，其优点在于：避免了在高温快速退火过程中，由于材料表面污染或者残留颗粒而导致的氮化硅钝化膜损坏，提高了探测器制...; 朱耀明李雪龚海梅唐恒敬李淘魏鹏王云姬邓洪海刘诗嘉张在实汤亦聃乔辉

ZnS／聚酰亚胺双层钝化InGaAs台面线列探测器的研究: InGaAs探测器由于在短波红外波段可以室温工作,并且探测率高于HgCdTe,在国外已经用于卫星遥感。InGaAs线列和面阵焦平面多采用背照射Zn扩散平面结探测器,但是存在扩散工艺复杂和光敏面扩大等问题。InGaAs台面...; 吕衍秋韩冰唐恒敬吴小利孔令才李雪龚海梅; 文献传递

ICP刻蚀InGaAs的微观损伤机制研究被引量：3: 2013年; 为获得低损伤、稳定性好的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InGaAs探测器台面成型工艺,采用Raman光谱技术和X射线衍射(XRD)技术,初步研究了Cl2/N2气氛刻蚀InGaAs的主要损伤机制,确定以晶格缺陷损伤为主;并采用微波反射光电导衰退(μ-PCD)法对不同处理工艺下表面的缺陷损伤进行了表征和分析,结果表明刻蚀表面湿法腐蚀和硫化的方法可在一定程度上减小表面的缺陷损伤和断键,但是存在一些深层次的缺陷。; 程吉凤朱耀明唐恒敬李雪邵秀梅李淘; 关键词：感应耦合等离子体铟镓砷 RAMAN光谱刻蚀损伤

一种热电制冷的超长线列InGaAs探测器封装结构: 本发明公开了一种热电制冷的超长线列InGaAs探测器封装结构。封装结构包括管壳、绝热块、导冷板、导热膜、电极板、管帽、光阑、芯片电路模块、窗口、热电制冷器和微型螺栓。其中，热电制冷器、导冷板、绝热块、导热膜通过微型螺栓与...; 徐勤飞刘大福莫德锋杨力怡唐恒敬李雪; 文献传递

p^+-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析: 2007年; 采用微波反射光电导衰减法测量了p+-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结材料的非平衡载流子寿命分布,通过对非平衡载流子浓度在p+n结中衰减过程的分析,建立了在此结构材料中微波反射光电导衰退法测试少子寿命与器件参数之间的联系,并且解释了寿命测试值随温度降低而减小的反常行为.; 吴小利王妮丽张可峰唐恒敬黄翌敏韩冰李雪龚海梅; 关键词：铟镓砷双异质结

高性能短波红外InGaAs焦平面探测器研究进展被引量：24: 2016年; 中科院上海技物所近十年来开展了高性能短波红外InGaAs焦平面探测器的研究。0.9~1.7mm近红外In Ga As焦平面探测器已实现了256×1、512×1、1024×1等多种线列规格,以及320×256、640×512、4000×128等面阵,室温暗电流密度<5 n A/cm^2,室温峰值探测率优于5×10^(12)cm×Hz^(1/2)/W。同时,开展了向可见波段拓展的320×256焦平面探测器研究,光谱范围0.5~1.7mm,在0.8mm的量子效率约20%,在1.0mm的量子效率约45%。针对高光谱应用需求,上海技物所开展了1.0~2.5mm短波红外InGaAs探测器研究,暗电流密度小于10 n A/cm^2@200 K,形成了512×256、1024×128等多规格探测器,峰值量子效率高于75%,峰值探测率优于5×10^(11)cm×Hz^(1/2)/W。; 邵秀梅龚海梅李雪方家熊唐恒敬李淘黄松垒黄张成; 关键词：INGAAS 焦平面短波红外暗电流探测率

一种铟镓砷短波红外探测器: 本发明公开了一种铟镓砷短波红外探测器。器件结构从上至下依次包括钝化层，窗口层，吸收层，缓冲层，读出电路，金属电极和互连通孔。其中，金属电极制备在缓冲层上。互连通孔制备在光敏元上，形成一个锥形通孔。互连通孔只与窗口层和读出...; 李平李淘李雪邵秀梅唐恒敬龚海梅; 文献传递

一种平面结构铟镓砷阵列红外探测器: 本发明公开了一种新型平面结构InGaAs阵列红外探测器。红外探测器结构设计为：在NIN型外延片上通过刻蚀在阵列光敏面周围形成浅隔离槽。通过闭管扩散形成光敏面的PN结区，同时形成与浅隔离槽一体的保护环。通过加厚Cr/Au形...; 李永富龚海梅李雪唐恒敬张可锋李淘宁锦华张燕朱耀明姜佩璐; 文献传递

LBIC技术研究平面结与台面结InGaAs探测器: 室温铟镓砷(InGaAs)焦平面技术在军事与航天工业上的应用越来越广泛,铟镓砷(InGaAs) 焦平面列阵中探测器的尺寸正不断减小,这使得常规工艺形成的光伏探测器的有效光敏元面积扩大的问题越来越突出。本文利用激光诱导电流...; 张可锋吴小利唐恒敬吕衍秋乔辉贾嘉李雪龚海梅; 关键词：INGAAS 探测器; 文献传递

InGaAs探测器制备的ICP刻蚀方法研究: 2009年; 采用Cl2/BCl3/Ar感应耦合等离子体对InP/In0.55Ga0.45As/InP进行了刻蚀。讨论了不同的气体组分、ICP功率、直流自偏压下对刻蚀速率、表面粗糙度的影响。初步得到了一种稳定、刻蚀表面清洁光滑、图形轮廓良好、均匀性好和刻蚀速率较高的工艺。利用此工艺制作的8元InP/In0.55Ga0.45As/InP(PIN)探测器,峰值探测率为1.04×1012cmHz1/2W-1。; 宁锦华唐恒敬张可锋李淘李永富李雪龚海梅; 关键词：感应耦合等离子体 INGAAS PIN 探测器