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唐武

作品数:34 被引量:97H指数:6
供职机构:电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金中法先进研究计划项目国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信核科学技术更多>>

文献类型

  • 20篇期刊文章
  • 14篇会议论文

领域

  • 16篇理学
  • 15篇一般工业技术
  • 5篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇核科学技术

主题

  • 11篇溅射
  • 11篇磁控
  • 10篇磁控溅射
  • 8篇电致变色
  • 7篇电路
  • 7篇集成电路
  • 6篇电阻率
  • 6篇金属薄膜
  • 5篇微波集成
  • 5篇微波集成电路
  • 4篇残余应力
  • 3篇柔性衬底
  • 3篇面粗糙度
  • 3篇光学
  • 3篇WO
  • 3篇
  • 3篇AU
  • 3篇表面粗糙度
  • 3篇衬底
  • 3篇粗糙度

机构

  • 27篇电子科技大学
  • 19篇西安交通大学
  • 5篇西安空间无线...
  • 1篇中国核动力研...
  • 1篇专用集成电路...
  • 1篇特鲁瓦技术大...

作者

  • 34篇唐武
  • 16篇邓龙江
  • 13篇徐可为
  • 10篇翁小龙
  • 5篇王平
  • 5篇李弦
  • 4篇李海霞
  • 4篇范芸
  • 2篇刘贵发
  • 2篇宋忠孝
  • 2篇殷学松
  • 2篇刘结
  • 1篇夏素静
  • 1篇贾春阳
  • 1篇张兰
  • 1篇洪晓峰
  • 1篇孔占兴
  • 1篇马大衍
  • 1篇房永思
  • 1篇王雅琴

传媒

  • 7篇稀有金属材料...
  • 4篇金属学报
  • 3篇功能材料
  • 2篇二〇〇八全国...
  • 1篇核动力工程
  • 1篇化学进展
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇科技创新与应...
  • 1篇2009全国...
  • 1篇第六届中国国...
  • 1篇第十届全国青...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇2011’全...
  • 1篇2008全国...

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 4篇2009
  • 7篇2008
  • 6篇2007
  • 2篇2006
  • 4篇2005
  • 2篇2003
  • 4篇2002
34 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
氧分量对柔性衬底上WO_x薄膜性能的影响
2008年
通过射频磁控溅射方法,在柔性PET衬底上低温沉积电致变色WOx薄膜。利用X射线衍射(XRD)、紫外-可见光分光光度计、X射线光电子能谱(XPS)分析所制备薄膜的微观结构、透光率、O元素的结合状态。结果表明,各氧分量下制备的WOx薄膜均为非晶态;氧分量0时制备的薄膜着、退色态透光率变化范围达到25%左右,具有较好的电致变色性能;XPS分析表明氧分量8%时氧空位含量最低,随着氧分量的继续增大,氧空位含量也增大。
唐武范芸李海霞翁小龙邓龙江
关键词:电致变色射频磁控溅射
低温沉积ITO薄膜划擦行为、微结构、电学和光学性能的研究(英文)被引量:3
2015年
通过RF磁控溅射技术制备不同溅射气压下的ITO薄膜,对其电阻率、光学透过率、XRD图、AFM图和划擦行为进行了研究。薄膜和基板的附着力通过划擦测试进行表征,重点研究了薄膜划擦测试的不同阶段的特征。研究表明随着Ar溅射气压的下降,薄膜附着力下降。而且,ITO薄膜的表面形貌和电阻率强烈的依赖于Ar气压。低温沉积ITO薄膜均为非晶态,在溅射气压0.8 Pa时得到电阻率(1.25×10^(-3)Ω·cm)和高可见光透过率薄膜(90%)。研究结果表明该薄膜光学禁带约为3.85 eV,电阻率主要受载流子浓度控制,受溅射气压的变化影响有限。
唐武王雅琴刘结张兰
关键词:ITO电阻率
金属薄膜结合性能的评价方法研究被引量:10
2007年
针对Al2O3基体上磁控溅射沉积的Au/NiCr/Ta多层金属薄膜,用压痕法、滚动接触疲劳法、摩擦力和声发射两种模式同时监测的划痕法,对比研究了金属薄膜与基体的结合性能。结果表明:压痕试验从压痕形貌上很难判断薄膜与基体是否发生剥离,压入过程中也没有诱发裂纹的产生,更无法分辨薄膜层间的分离;由于金属薄膜的塑性变形,滚动接触疲劳法很难应用于金属薄膜结合性能的表征;划痕法可应用于多层金属薄膜的特异划擦行为研究,其中摩擦力模式能反映压头进入不同金属膜层时的变化,层间声发射信号的灵敏度不如摩擦力信号,对应试验条件,摩擦力曲线存在若干以拐点为特征的载荷,摩擦力曲线上出现的拐点及拐点特征载荷值可以在一定程度上反映多层膜的层数和层厚,并可刻划出该膜/基体系承受压入载荷而不发生剥落的能力。
唐武邓龙江徐可为
关键词:金属薄膜压痕法划痕法
集成电路薄膜互连线力学失效行为及评价
电路薄膜互连线虽然很少把薄膜用作力学负载的结构部件,但是受基体的约束,在电路服役过程中,经常会出现薄膜与基体剥离的现象.本文将就如何评价薄膜与基体的结合性能进行探讨.采用常规的划痕法对微波集成电路用Au/NiCr/Ta和...
唐武房永思徐可为
关键词:集成电路互连线
缓冲层对Au膜电阻率的影响
采用磁控溅射方法,在Al2O3基体上沉积纯Au膜和具有缓冲层的Au/NiCr/Ta多层金属膜。利用四点探针法测试退火前后纯Au膜及有缓冲层的Au/NiCr/Ta多层金属膜表面电阻率的变化。结果表明,对于纯Au膜来说,在沉...
唐武殷学松邓龙江
关键词:缓冲层电阻率磁控溅射法
文献传递
柔性衬底上WO_x薄膜的制备及特性研究被引量:1
2007年
采用射频磁控溅射工艺,在柔性PET衬底上低温制备电致变色WOx/ITO/PET多层薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)分析所制备薄膜的原始态、着色态和退色态的微观结构、表面形貌及W元素的化合价态。结果表明:原始态、着色态及退色态的WOx薄膜均为非晶态;原始态薄膜表面存在较多孔洞,薄膜在LiClO4的乙腈溶液中进行电致变色反应,实验发现着退色态薄膜颜色可发生可逆变化,随Li+的注入和抽出,薄膜表面形貌发生明显变化;XPS分析进一步表明WOx薄膜在原始态中W元素的化合价为W6+,着色态存在W6+和W5+的混合价态。
李海霞唐武翁小龙邓龙江
关键词:电致变色磁控溅射
缓冲层对Au膜电阻率的影响
采用磁控溅射方法,在Al2O3基体上沉积纯Au膜和具有缓冲层的Au/NiCr/Ta多层金属膜。利用四点探针法测试退火前后纯Au膜及有缓冲层的Au/NiCr/Ta多层金属膜表面电阻率的变化。结果表明,对于纯Au膜来说,在沉...
唐武殷学松邓龙江
关键词:缓冲层电阻率
文献传递
氧分量对WOx薄膜红外光谱性能的影响
采用射频磁控溅射工艺,在ITO/PET柔性衬底上低温制备氧化钨电致变色薄膜。利用傅立叶红外光谱仪及其附件分析了不同氧分量条件下氧化钨薄膜着色态和退色态的红外特性。实验结果表明:在500~3000 cm区域,氧分量对薄膜的...
范芸唐武翁小龙邓龙江
关键词:红外光谱磁控溅射
文献传递
不同氮分压制备纳米复合Zr-Si-N薄膜的组织与性能研究(英文)被引量:1
2009年
利用射频反应磁控溅射设备在不同N2分压下制备了Zr-Si-N纳米复合薄膜。研究了N2分压对薄膜组织和性能的影响。结果表明:随着N2分压的增加,薄膜中Zr、Si元素含量比降低,且薄膜方电阻增加;Zr–Si–N薄膜的微观组织由纳米晶ZrN嵌入SiNx非晶基体构成,在低N2分压条件下,有少量Zr2Si形成。Zr2Si的形成与低N反应活性相关。在0.03PaN2分压条件下,Zr-Si-N薄膜硬度达到22.5GPa的最大值。高N2分压制备薄膜硬度较低可能与Si原子造成的晶格畸变相关。
王剑锋马大衍宋忠孝唐武徐可为
关键词:磁控溅射
自然氧化对MOCVD生长的IN0.13AL0.87N外延层表面电子特性的影响(摘要)
  在富AL的IN0.13AL0.87N外延层,由于ALN对O的亲和性较高,在ALN材料表面会形成氧化层.这会对材料的物理特性产生很大影响.氧化层的形成也可能会改变电子结构.早期的研究发现,当GAN置于空气中,表面形成的...
周伟夏素静李祥阳杰唐武冯志红
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共4页<1234>
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