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姜晓光

作品数：42 被引量：87H指数：5
供职机构：长春理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金吉林省科技发展计划基金更多>>
相关领域：电子电信化学工程生物学理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 18篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 13篇电子电信
  • 3篇化学工程
  • 2篇生物学
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 21篇激光
  • 21篇激光器
  • 14篇腔面
  • 14篇面发射
  • 14篇垂直腔
  • 13篇垂直腔面
  • 13篇垂直腔面发射
  • 11篇半导体
  • 11篇半导体激光
  • 11篇半导体激光器
  • 9篇面发射激光器
  • 9篇发射激光器
  • 9篇垂直腔面发射...
  • 8篇氧化物限制
  • 7篇下降法
  • 7篇晶体
  • 4篇电梯
  • 4篇电梯设备
  • 4篇坩埚下降法
  • 4篇温场

机构

  • 42篇长春理工大学
  • 2篇长春生物制品...
  • 2篇中国人民解放...
  • 2篇中国科学院长...

作者

  • 42篇姜晓光
  • 24篇赵英杰
  • 22篇郝永芹
  • 13篇钟景昌
  • 12篇晏长岭
  • 10篇冯源
  • 9篇臧春雨
  • 9篇臧春和
  • 9篇李毅
  • 7篇赵宇斯
  • 7篇万玉春
  • 6篇李林
  • 6篇芦鹏
  • 5篇张永明
  • 5篇王晓华
  • 5篇谢浩锐
  • 5篇苏伟
  • 4篇许鹏
  • 4篇宋博
  • 4篇于正林

传媒

  • 6篇长春理工大学...
  • 3篇Journa...
  • 2篇光子学报
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇建材标准化与...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇中国激光
  • 1篇微生物学杂志
  • 1篇半导体光电
  • 1篇浙江大学学报...
  • 1篇2007年全...
  • 1篇第五届全国感...

年份

  • 2篇2018
  • 2篇2016
  • 5篇2015
  • 4篇2013
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 5篇2008
  • 4篇2007
  • 7篇2006
  • 8篇2005
  • 1篇2004
共 42 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
下降法定向生长氟化物晶体的方法及装置
一种定向生长氟化物晶体的装置和方法，采用下降法在真空条件下生长特定方向氟化物晶体时，在坩埚脖颈部的孔中安放有特定方向的籽晶，为确保在晶体生长初期籽晶熔化一部分，采用在坩埚脖颈外侧安装伞形反射屏的方法来保证籽晶下部不被熔化...
李毅臧春雨臧春和姜晓光覃检涛崔凤泰万玉春
文献传递
VCSEL的研究进展及应用前景被引量：9
2005年
介绍了垂直腔面发射半导体激光器的发展过程、器件结构、工作原理和新型的氧化限制型垂直腔面发射半导体激光器和晶片熔合工艺,同时展望了该器件的应用及发展前景。
赵英杰李轶华李林张永明郝永琴晏长岭姜晓光钟景昌
关键词：垂直腔面发射激光器液相外延技术波分复用
下降法生长晶体坩埚底部籽晶的装夹方法及装置
一种采用坩埚下降法生长特定方向晶体坩埚底部装夹籽晶的方法和装置，当在坩埚底部安放特定方向的籽晶时，为确保籽晶的方向精度能够在晶体生长过程中得到保持，将坩埚底部脖颈安放籽晶处加工成圆锥孔，同时将籽晶加工成圆锥体，二者具有相...
李毅臧春雨姜晓光臧春和万玉春
文献传递
垂直腔面发射激光器中的侧向氧化(英文)
2006年
研究了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的侧向氧化工艺及其特性.发现对于条形台面,氧化物生长遵循线性生长规律.但对于在VCSEL中采用的两种结构,氧化物的生长(温度高于435℃)表现为非线性生长行为.理论分析表明,台面结构的几何形状对高温下的氧化速率产生了影响.
刘文莉郝永芹王玉霞姜晓光冯源李海军钟景昌
关键词：垂直腔面发射激光器
在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法
在焊盘台面及连接面上开孔的半导体芯片上电极制作方法属于半导体芯片电极制作技术领域。已知技术存在的问题是，电子流会经连接面下面的上布拉格反射镜向焊盘流动，造成损耗，还使器件发热；另外，电极引线球焊头与光滑的平面电极之间焊接...
赵英杰郝永芹晏长岭王晓华姜晓光芦鹏
文献传递
一种垂直升降电梯防坠落保护装置
本发明涉及电梯设备制造技术领域，是一种垂直升降电梯防坠落保护装置。电梯坠落原因主要由钢丝绳脱落或断裂、超载运行、测速与限速器以及设备故障所造成的，少有发生。为了克服现有技术之不足，本发明提供一种独立于现有安全保障系统的垂...
赵英杰芦鹏金国烈许鹏赵宇斯刘羽姜晓光姜涛于正林赵博郝永芹晏长岭冯源
文献传递
垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法
垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法属于半导体激光器电极制作技术领域。相关的现有技术为刻蚀环形沟槽法。该技术存在的主要问题是，由于最后要用聚酰亚胺填充环形沟槽，使得所制造的激光器散热不良。本发明采用刻蚀环形分布...
赵英杰钟景昌晏长岭李林郝永芹李轶华苏伟姜晓光
文献传递
808 nm In GaAsP-InP单量子阱激光器热特性研究被引量：10
2006年
从InGaAsP-InP单量子阱激光器结构分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP-InP单量子阱激光器热特性进行了研究·实验表明,在23-70℃的温度范围内,器件的功率由1.74W降到0.51W,斜率效率由1.08W/A降到0.51W/A·实验测得其特征温度T0为325K·激射波长随温度的漂移dλ/dT为0.44nm/℃·其芯片的热阻为3.33℃/W·
张永明钟景昌路国光秦莉赵英杰郝永芹姜晓光
关键词：单量子阱激光器NM
垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法
垂直腔面发射半导体激光器制作中刻蚀环形分布孔法属于半导体激光器电极制作技术领域。相关的现有技术为刻蚀环形沟槽法。该技术存在的主要问题是，由于最后要用聚酰亚胺填充环形沟槽，使得所制造的激光器散热不良。本发明采用刻蚀环形分布...
赵英杰钟景昌晏长岭李林郝永芹李轶华苏伟姜晓光
文献传递
下降法生长晶体坩埚底部籽晶的装夹方法及装置
一种采用坩埚下降法生长特定方向晶体坩埚底部装夹籽晶的方法和装置，当在坩埚底部安放特定方向的籽晶时，为确保籽晶的方向精度能够在晶体生长过程中得到保持，将坩埚底部脖颈安放籽晶处加工成圆锥孔，同时将籽晶加工成圆锥体，二者具有相...
李毅臧春雨姜晓光臧春和万玉春
文献传递
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